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公开(公告)号：CN111490164A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010332025.7
申请日：2020-04-24
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了基于DNT-PH复合空穴传输层的钙钛矿光电探测器及其制备方法,用于工业自动化、航空航天、火灾预警等设备中，属于光电探测技术领域，以解决传统空穴传输层材料Spiro-OMeTAD迁移率低，器件稳定性差，寿命较短的问题,光电探测器从下至上依次包括透明衬底、导电阴极、电子传输层、钙钛矿光活性层、复合空穴传输层以及金属阳极，复合空穴传输层为双层结构，下层薄膜的材料为Spiro-OMeTAD，上层薄膜的材料为DNT-PH的小分子。DNT-PH具有较高的homo能级，能促进空穴传输层与电极间的电荷传输，同时在暗态情况下抑制载流子的复合，进而提升光电流，大幅降低其暗电流，将DNT-PH覆盖于Spiro-OMeTAD的表面，能够有效地减少水氧对器件的侵蚀，进一步增强其稳定性，使得器件的稳定性及寿命大幅提高。
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公开(公告)号：CN107064930B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201710198727.9
申请日：2017-03-29
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安中电科西电科大雷达技术协同创新研究院有限公司
IPC: G01S13/89
Abstract: 本发明属于雷达成像领域，公开了一种基于GPU的雷达前视成像方法，包括：在CPU端，获取接收天线对目标场景的观测向量；并对目标场景进行网格划分，获取目标所处网格范围对应的测量矩阵，建立从观测向量中恢复场景目标后向散射系数的优化模型；在GPU端，从CPU端获取观测向量和测量矩阵，采用CUDA架构并行实现从观测向量中恢复场景目标后向散射系数向量；在CPU端，从GPU端获取场景目标后向散射系数向量，将场景目标后向散射系数向量对应到目标所处网格范围内，从而得到三维场景目标的估计模型，完成雷达前视成像；用于提高雷达前视成像效率，达到实时处理雷达回波数据的目的。
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公开(公告)号：CN110619313A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910893945.3
申请日：2019-09-20
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种遥感图像判别性描述生成方法，对前文已生成序列添加注意力的方法更加适合遥感图像描述场景中对象关系较为固定、描述句子较为简单的情况，这一改进方法适用于各种语言生成模型，可以是语言模型对遥感图像生成更加准确流畅的描述；本发明还提出了一种新颖的基于间隔性损失的训练目标，通过最小化这一损失可以鼓励语言模型对遥感图像生成更加具有判别性的描述。本发明针对遥感图像的特点，提出了两种改进方法，使模型的性能得到了显著的提高。
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公开(公告)号：CN110473935A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910638572.5
申请日：2019-07-16
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/112 , H01L31/18
Abstract: 一种基于碲化铋-石墨烯异质结的太赫兹波探测器及其制备方法，属于太赫兹波探测器件技术领域。所述探测器包括半导体衬底，形成于半导体衬底之上的绝缘层，形成于绝缘层之上的由石墨烯和碲化铋层组成的异质结，位于异质结两端的源极和漏极，以及形成于半导体衬底背面的栅极。本发明采用石墨烯和碲化铋纳米片组成的异质结作为场效应管沟道，有效解决了单层石墨烯在太赫兹频段光吸收率低的问题，吸收率相较于单层石墨烯提高了20％以上；采用背栅以及先形成源极和漏极的方法，有效保证了石墨烯-碲化铋异质结的完整性，提高了太赫兹探测器的性能。
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公开(公告)号：CN108418995B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201810229331.0
申请日：2018-03-20
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H04N1/32
Abstract: 本发明公开了一种基于同态加密算法的个人图像安全检索方法，具体实现步骤包括：1、构建Paillier加密系统；2、加密个人图像；3、服务器对加密个人图像进行预处理；4、对加密个人图像角度积分；5、提取加密个人图像小波矩特征；6、计算特征距离；7、返回检索结果。本发明基于同态加密算法，采用图像小波矩特征对个人图像进行全面的描述，降低了个人图像特征计算的复杂度，提高了检索的效率。整个检索过程都是在密文域中实现的，在不泄漏用户检索信息和数据的前提下，有效的实现了个人图像的安全检索。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109523514A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811216249.0
申请日：2018-10-18
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种对逆合成孔径雷达ISAR的批量成像质量评估方法，主要解决现有技术耗时多，模型复杂、建模难度大的问题。其实现方案为：对N幅ISAR图像由人工视觉进行分类，并对分类好的ISAR图像贴上标签作为样本；将样本中的一半作为训练样本输入到卷积神经网络CNN中训练，提取出图像特征并得到训练好的卷积神经网络CNN′；将提取的特征输入支持向量机SVM中训练，得到训练好的支持向量机SVM′；将样本中的另一半作为测试样本输入到卷积神经网络CNN′中进行测试和提取特征，并将该特征输入支持向量机SVM′中进行分类，得到对逆合成孔径雷达ISAR的批量成像质量评估结果。本发明耗时和费用少，便于操作，效率高，可用于对雷达性能的检测和雷达设计。
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公开(公告)号：CN109063750A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810781174.4
申请日：2018-07-17
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安中电科西电科大雷达技术协同创新研究院有限公司
CPC classification number: G06K9/6269 , G06N3/0454
Abstract: 本发明公开了一种基于CNN和SVM决策融合的SAR目标分类方法，其思路为：确定SAR图像，所述SAR图像包括λ类目标，对所述λ类目标进行划分得到训练集和测试集；然后对测试集进行标准化和子集划分，得到第一测试子集testx1、第二测试子集testx2和第三测试子集testx3；然后得到trainx的标准化特征矩阵traindata、testx1的标准化特征矩阵testdata1、testx2的标准化特征矩阵testdata2和testx3的标准化特征矩阵testdata3后分别得到参数矩阵W和偏移向量bb；确定第一列向量C1、第二列向量C2和第三列向量C3；进而得到最终的预测类别列向量；计算得到v2类被识别为v1类的概率后记为基于CNN和SVM决策融合的SAR目标分类结果。
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公开(公告)号：CN109001705A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810676365.4
申请日：2018-06-27
Applicant: 西安电子科技大学 , 西安中电科西电科大雷达技术协同创新研究院有限公司
IPC: G01S7/41
Abstract: 本发明公开了一种宽带雷达三维干涉测量锥体目标微动参数估计方法，其主要思路为：确定收发一体天线A、接收天线B和接收天线C，得到收发一体天线A和接收天线B在第k个散射中心处的干涉相位差和收发一体天线A和接收天线C在第k个散射中心处的干涉相位差：k为设定个数散射中心中任意一个且都在锥体目标上；确定平滑处理后第k个散射中心的重构x轴坐标曲线、平滑处理后第k个散射中心的重构y轴坐标曲线和平滑处理后第k个散射中心的重构z轴坐标曲线，然后分别得到锥体目标的进动频率估计值 锥体目标的进动角估计值 锥体目标的半锥角估计值 锥体目标的高度估计值 以及锥体目标的底面半径估计值后记为一种宽带雷达三维干涉测量锥体目标微动参数估计结果。
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公开(公告)号：CN107918124A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201711012954.4
申请日：2017-10-26
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01S13/90
CPC classification number: G01S13/9011 , G01S13/9017 , G01S2013/9041
Abstract: 本发明公开了一种带有方位空变校正的机载大斜视高分辨SAR成像方法，解决了机载大斜视高分辨SAR成像因方位向分块导致较大复杂性问题，其实现包括：SAR回波信号距离走动校正；用更高阶补偿函数对高次耦合相位和二维剩余相位补偿；距离向调频变标；距离压缩和一致弯曲校正；方位向更高阶次相位和剩余相位补偿及频域相位滤波；方位向非线性调频变标；方位压缩和方位向高阶相位补偿。本发明通过对无近似二维频域表达式中的耦合项高阶展开，改善了聚焦深度；分块处理步长更大，二维剩余相位补偿，大大减小剩余相位误差。本发明减小成像复杂性，也削弱了因距离向和方位向旁瓣不对称的图像失真，提高了成像聚焦性能,用于机载大斜视高分辨SAR成像。
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公开(公告)号：CN107403842A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710648115.5
申请日：2017-08-01
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78603 , H01L29/66742
Abstract: 本发明公开了一种基于复合绝缘层的氧化物薄膜晶体管器件及其制备方法，属于电子技术领域，为解决反应溅射氧化铝表面的粗糙度高以及出现针孔现象对IGZO薄膜晶体管性能的破坏，本发明提供了一种基于复合绝缘层的氧化物薄膜晶体管器件及其制备方法。本发明包括由下到上依次设置的衬底、栅电极、复合绝缘层、氧化物半导体层、和氧化物半导体层上的源电极和漏电极，复合绝缘层包括上下两层，下层为设置在栅电极上的氧化铝，上层为设置在氧化铝上的有机材料。本发明用于提高薄膜晶体管性能。
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