-
公开(公告)号：CN103268886A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201310174274.8
申请日：2013-05-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种横向高压功率半导体器件的结终端结构，属于功率半导体器件技术领域。本发明针对专利文献CN102244092B提供的一种横向高压功率半导体器件的结终端结构中直线结终端结构和曲率结终端结构相连部分的电荷平衡问题，在保持器件表面横向超结掺杂条宽度为最小光刻精度W的两倍的情况下，对终端结构进行分析和优化，提出表面超结结构浓度的关系表达式，根据关系式优化器件结构，从而得到最优化的击穿电压。同时，N型漂移区表面所有的横向超结结构宽度都采用最小光刻精度W，可以减小芯片的版图面积。
-
公开(公告)号：CN102244092A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110166312.6
申请日：2011-06-20
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种横向高压功率半导体器件的结终端结构，属于半导体功率器件技术领域。通过将横向高压功率半导体器件的曲率终端部分的N型漂移区长度缩短，使得N型漂移区与P-well区间隔一定距离，间隔部分以P型衬底代替，相当于引入P型衬底的附加电荷，使得原来的P-well区与N型漂移区构成的pn结处的电场峰值降低，同时在P型衬底与N型漂移区构成的pn结处引入新的电场峰值，而且增大了曲率终端的曲率半径，避免电力线的过于集中，提高器件的击穿电压。其中N型漂移区表面还可与表面RESURF结构或超结结构相结合。本发明可以减小器件曲率终端的宽度，节约器件版图面积，并且与CMOS工艺相兼容，利用本发明可制作性能优良的高压、高速、低导通损耗的横向高压功率器件。
-
公开(公告)号：CN118398648A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410497612.X
申请日：2024-04-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本发明提供一种降低单粒子效应的沟槽型IGBT的抗辐射加固结构，在发射极N型重掺杂区域的下方添加薄层氧化层，阻碍电流路径，降低反馈电流，同时降低发射极端电场，抑制闩锁效应的发生，进而解决重粒子辐照后沟槽型IGBT容易发生SEB的问题，提高了SEB阈值，实现了单粒子效应的加固。通过调整内部添加的薄层氧化层的长度来调节器件的单粒子性能，并可以采用分段式结构减小对器件基本性能的影响。以此可以设计出抗辐射性能更强的沟槽型IGBT功率半导体器件。
-
公开(公告)号：CN116190434A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211694146.1
申请日：2022-12-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种抗总剂量辐射高压三极管结构，该器件包括N型发射区、P型阱区、N型阱区、N型埋层区、P型衬底、P型注入区、浅槽隔离氧化层、N型发射极注入区、P型基极注入区、N型集电极注入区、N型注入区、金属电极；本发明通过在发射结基区一侧的表面引入高掺杂P型区，提高了发射结附近基区表面浓度，削弱了总剂量辐射致陷阱电荷对发射结注入效率的影响，阻止了基区表面复合电流的增加，抑制了器件共发射极电流放大系数的退化，有效提升了三极管抗总剂量辐射的能力。同时，在发射区下方引入高掺杂N型区，避免了基区表面P型区带来的器件初始共发射极电流放大系数的下降。
-
公开(公告)号：CN115881698A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211695228.8
申请日：2022-12-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L23/552 , H01L29/73
Abstract: 本发明提供了一种深槽隔离型抗辐射的高压三极管结构，该器件包括第二导电类型发射区、第一导电类型阱区、第二导电类型阱区、第二导电类型埋层区、第一导电类型衬底、深槽隔离氧化层、浅槽隔离氧化层、第二导电类型发射极注入区、第一导电类型基极注入区、第二导电类型集电极注入区、发射极金属电极、基极金属电极、集电极金属电极；本发明通过采用深槽隔离氧化层，改变电流路径，降低了流经基区/氧化物界面的电流密度，阻止了基区和氧化物界面的复合电流的增加，抑制了三极管共发射极电流放大系数的退化，有效提升了器件的抗总剂量辐射的能力。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109728076B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201811622189.2
申请日：2018-12-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L23/552
Abstract: 本发明提供一种横向抗辐射功率器件结构，包括第二种导电类型半导体衬底、第一种导电类型半导体漂移区、第二种导电类型半导体阱区、第二种导电类型半导体接触区、第一种导电类型半导体接触区，第一种导电类型半导体接触区的部分上表面和第二种导电类型半导体阱区的部分上表面覆盖绝缘层，第一种导电类型半导体接触区的左侧嵌入绝缘层；绝缘层的左上方覆盖有多晶硅；绝缘层中内嵌多晶硅条，在厚场氧内部引入多晶硅层，阻止辐照电离产生的空穴向场氧化层/漂移区界面移动，降低场氧化层/漂移区界面附近陷阱对空穴的俘获率，抑制电离辐照陷阱电荷对体内势场、载流子行为的调制作用，实现器件抗辐照加固，本发明能很好地解决器件的抗辐照问题。
-
公开(公告)号：CN109713032B
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201811621620.1
申请日：2018-12-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种抗辐射半导体器件终端结构，包括第一种导电类型半导体衬底、第一种导电类型半导体漂移区、第二种导电类型元胞区延伸阱、绝缘层、第一金属电极、多晶硅条，本发明能够有效抑制因辐射终端氧化层中电荷积累现象，避免器件由于终端氧化层电荷积累而发生击穿。能够改善辐射后器件终端表面电场，提高器件终端击穿电压，本发明简单可行工艺难度较低，能很好地解决辐射后终端耐压问题。
-
公开(公告)号：CN109904237B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201910203095.X
申请日：2019-03-18
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种具有瞬时剂量率辐射加固结构的横向SOI高压器件，包括第二型掺杂杂质半导体衬底、第一型掺杂杂质漂移区、第二型掺杂杂质阱区、第二型掺杂杂质接触区、第一型掺杂杂质源区、第一型掺杂杂质阱区、第一型掺杂杂质漏区、栅氧化层、埋氧层、栅电极、源电极和漏电极；在所述的第二型掺杂杂质阱区和第一型掺杂杂质漂移区交界的地方还设置有绝缘介质埋层，本发明提供的横向高压器件可减少瞬时光电流的产生并避免寄生效应引起器件的烧毁，以此来提高器件抗瞬时剂量率辐射的能力。
-
公开(公告)号：CN109728076A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811622189.2
申请日：2018-12-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L23/552
Abstract: 本发明提供一种横向抗辐射功率器件结构，包括第二种导电类型半导体衬底、第一种导电类型半导体漂移区、第二种导电类型半导体阱区、第二种导电类型半导体接触区、第一种导电类型半导体接触区，第一种导电类型半导体接触区的部分上表面和第二种导电类型半导体阱区的部分上表面覆盖绝缘层，第一种导电类型半导体接触区的左侧嵌入绝缘层；绝缘层的左上方覆盖有多晶硅；绝缘层中内嵌多晶硅条，在厚场氧内部引入多晶硅层，阻止辐照电离产生的空穴向场氧化层/漂移区界面移动，降低场氧化层/漂移区界面附近陷阱对空穴的俘获率，抑制电离辐照陷阱电荷对体内势场、载流子行为的调制作用，实现器件抗辐照加固，本发明能很好地解决器件的抗辐照问题。
-
公开(公告)号：CN102945839B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201210519390.4
申请日：2012-12-06
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L23/528 , H01L23/552
Abstract: 一种部分场板屏蔽的高压互连结构，属于半导体功率器件技术领域。本发明用于具有高压互连线的跑道型横向功率器件中，包括双层部分多晶屏蔽场板和高压互连线；所述双层部分多晶屏蔽场板仅存在于高压互连线跨过的器件表面层中，无高压互连线跨越的器件表面没有多晶屏蔽场板；所述双层部分多晶屏蔽场板由第一层场板和第二层场板构成，其中第二层场板位于第一层场板与高压互连线之间；两层场板在器件表面层中呈非连续分布状，且两层场板之间交错分布并相距适当的距离。本发明与具有高压互连的传统浮空场板结构相比，在不影响浮空场板对高压互连线效应的屏蔽作用，保证器件耐压的基础上，减小了器件尺寸，增加了器件的开态电流能力。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
96
records
(took 0.024 seconds)
