公开(公告)号：CN102181828B

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201110093252.X

申请日：2011-04-14

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 孙科 ,  余忠 ,  李金龙 ,  蒋晓娜 ,  兰中文

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/35

Abstract: ZnFe2O4铁氧体薄膜制备方法，属于电子材料技术领域。本发明包括下述步骤：1)ZnFe2O4铁氧体靶材的制备：采用氧化物陶瓷工艺，以Fe2O3、ZnO为原料，按分子式ZnFe2O4配料，球磨，烘干后预烧；二次球磨烘干，加入10％的聚乙烯醇造粒，压制成圆饼样品，然后升温至1300℃，在空气中保温，随后降温至300℃，然后随炉自然冷却，最终获得致密的烧结体靶材；2)ZnFe2O4铁氧体薄膜的制备：将单晶Si和Si基片按照乙醇→丙酮→乙醇的清洗顺序清洗，采用磁控溅射薄膜，溅射背底气压低于4.0×10-4Pa，溅射过程中，基片不加热，所述单晶Si为111取向，所述Si基片为100取向；3)薄膜的后期热处理：薄膜制备后，烧结退火，升温，保温，然后随炉自然冷却至室温。本发明能够实现原子沿{111}面的取向生长。

公开(公告)号：CN102745981A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201210222035.0

申请日：2012-06-29

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 许志勇 ,  孙科 ,  余忠 ,  蒋晓娜 ,  兰中文

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622

Abstract: 较高磁导率宽温低损耗MnZn铁氧体材料，由主成分和添加剂组成，其中，主成分按摩尔百分比，以氧化物计算：51～54mol%Fe2O3，9～13mol%ZnO，0.1～0.7mol%SnO2，余量为MnO；以预烧反应后的主成分的质量为参照，添加剂按重量百分比，以氧化物计算：0.05～0.1wt%CaO，0.01～0.08wt%Bi2O3，0.01～0.05wt%V2O5，0.02～0.05wt%Nb2O5，0.03～0.09wt%ZrO2。本发明晶粒均匀致密，气孔较少，平均晶粒尺寸约为14±0.5μm，具有较高磁导率和宽温低损耗特性。

公开(公告)号：CN101412621B

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN200810046352.5

申请日：2008-10-23

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 余忠 ,  兰中文 ,  孙科 ,  李乐中 ,  蒋晓娜 ,  姬海宁

IPC: H01F1/34 ,  C04B35/26 ,  C04B35/622

Abstract: 高磁导率高饱和磁感应强度MnZn铁氧体材料及其制备方法，属于铁氧体材料技术领域，本发明的铁氧体材料由主料和掺杂剂构成，其中，以Fe2O3、ZnO、SnO2和MnCO3计算，主料包括以下组分：51～54mol％Fe2O3，15～20mol％ZnO，0～0.5mol％SnO2，其余为MnCO3；以预烧反应后的主料的质量为参照，按重量比，添加剂的组分包括：0.05～0.3wt％TiO2、0.01～0.3wt％K2CO3、0.01～0.3wt％V2O5、0.01～0.3wt％Bi2O3、0.01～0.2wt％MoO3。本发明改善了MnZn铁氧体晶粒均匀性，以提高磁导率和饱和磁感应强度，改善了力学性能。

公开(公告)号：CN100589215C

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN200710051054.0

申请日：2007-12-29

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 余忠 ,  兰中文 ,  孙科 ,  蒋晓娜 ,  姬海宁 ,  李乐中

IPC: H01F1/34 ,  C04B35/26 ,  C04B35/64

Abstract: NiZn系铁氧体材料及制备方法，本发明属于铁氧体材料制备技术领域。其主成分按摩尔百分比，以氧化物计算：48.5～52.5mol%Fe2O3，25～33mol%ZnO，0.5～8.0mol%CuO，余量为NiO；掺杂剂按重量百分比，以氧化物计算：0.001～0.15wt%CaO、0.01～0.12wt%MoO3、0.01～0.08wt%Bi2O3、0.01～0.20wt%Nb2O5、0.01～0.20wt%SnO2、0.01～0.16wt%V2O5。本发明的有益效果是，一、提高功率密度，实现小型化；二、提高电子系统的可靠性。

公开(公告)号：CN101412621A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200810046352.5

申请日：2008-10-23

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 余忠 ,  兰中文 ,  孙科 ,  李乐中 ,  蒋晓娜 ,  姬海宁

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622

Abstract: 高磁导率高饱和磁感应强度MnZn铁氧体材料及其制备方法，属于铁氧体材料技术领域，本发明的铁氧体材料由主料和掺杂剂构成，其中，以Fe2O3、ZnO、SnO2和MnCO3计算，主料包括以下组分：51～54mol％Fe2O3，15～20mol％ZnO，0～0.5mol％SnO2，其余为MnCO3；以预烧反应后的主料的质量为参照，按重量比，添加剂的组分包括：0.05～0.3wt％TiO2、0.01～0.3wt％K2CO3、0.01～0.3wt％V2O5、0.01～0.3wt％Bi2O3、0.01～0.2wt％MoO3。本发明改善了MnZn铁氧体晶粒均匀性，以提高磁导率和饱和磁感应强度，改善了力学性能。

公开(公告)号：CN119176714B

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202411368264.2

申请日：2024-09-29

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 邬传健 ,  楚兆龙 ,  孙科 ,  余忠 ,  李启帆 ,  蒋晓娜 ,  兰中文

IPC: C04B35/40 ,  C04B35/622 ,  H01F1/01

Abstract: 一种C波段超低损耗自偏置六角旋磁铁氧体材料，属于铁氧体材料制备技术领域。所述铁氧体材料包括重量比为0.1～10的BiCaZrVIn‑YIG旋磁铁氧体材料和LaScBiCu‑BaM六角旋磁铁氧体材料；掺杂剂占铁氧体材料的重量百分比，以氧化物计算：0.3～0.7wt％La2O3、0.4～0.8wt％SiO2和0.5～0.9wt％SrTiO3。本发明在低损耗BiCaZrVIn‑YIG旋磁铁氧体颗粒表面生长兼具高Mr/Ms和Hc特性的LaScBiCu‑BaM六角旋磁铁氧体，研制兼具高而可调各向异性场Ha、高矫顽力Hc和剩磁比Mr/Ms、超低铁磁共振线宽△H和介电损耗tanδε特征的六角旋磁铁氧体材料，满足C波段微型集成器件低损耗宽带宽的工程化需求问题。

公开(公告)号：CN118955112B

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411456112.8

申请日：2024-10-18

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 何贤坤 ,  兰中文 ,  邬传健 ,  余忠 ,  孙科 ,  李启帆 ,  蒋晓娜

IPC: C04B35/30 ,  C04B35/40 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  H01F1/01

Abstract: 一种Ka波段低损耗自偏置复合铁氧体材料及制备方法，属于铁氧体材料制备技术领域。所述复合铁氧体材料包括NiZn和BaM铁氧体材料；NiZn铁氧体材料包括40~60 mol%NiO、1~5 mol%CuO、1~5 mol%ZnO、40~50 mol%Fe2O3；BaM铁氧体材料包括10~20 mol%BaO、1~10 mol%ZnO、1~5 mol%La2O3、1~10 mol%CuO、60~75 mol%Fe2O3。本发明制得的Ka波段低损耗自偏置复合铁氧体材料兼具高4πMs、Mr/Ms、Ha、Hc和低ΔH、tanδε特性，适用于Ka波段微集成环行器的设计和应用。

公开(公告)号：CN116969751B

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202311070026.9

申请日：2023-08-24

Applicant: 电子科技大学 ,  四川京都龙泰科技有限公司

Inventor： 邬传健 ,  李翱 ,  余忠 ,  唐明星 ,  孙科 ,  李元兴 ,  李启帆 ,  李子愚 ,  蒋晓娜 ,  兰中文

IPC: C04B35/26 ,  H01F1/01

Abstract: 该发明公开了一种高阻高磁特性六角铁氧体材料及制备方法，属于铁氧体材料制备技术领域。为永磁电机的开发等领域解决如下几方面的关键技术问题：其一，大幅提升六角铁氧体的电阻率，并改善了电阻温度特性；其二，内禀矫顽力和磁感矫顽力均大幅上升，使微特电机在运行中的稳定性得到增强。本发明中在大幅提升材料电阻率的同时，矫顽力也有约7％的提升；在J.European Ceram Soc.2023,43:5521‑5529报道中，材料的电阻率相比掺杂前提升了47.5％，而本发明中材料的电阻率相比于掺杂前提升了325％，在磁性能和电性能方面表现出了显著的优势。

公开(公告)号：CN116621571B

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202310389828.X

申请日：2023-04-13

Applicant: 电子科技大学 ,  东阳富仕特磁业有限公司

Inventor： 孙科 ,  胡智勇 ,  余忠 ,  李凌峰 ,  张方远 ,  张晓峰 ,  王朝明 ,  李启帆 ,  邬传健 ,  蒋晓娜 ,  兰中文

IPC: C04B35/26

Abstract: 微波铁氧体材料及制备方法和介电常数调节方法，涉及磁性材料领域，本发明的微波铁氧体材料的组成化学式为：BiaY3‑a‑b‑eCab+eZrbMncCrdHfeFe5‑b‑c‑d‑eO12，其中，1.25≤a≤1.5，0.475≤b≤0.6，0≤c≤0.1，0≤d≤0.05，0≤e≤0.05。本发明的微波铁氧体材料兼具高介电常数、窄铁磁共振线宽与低介电损耗特性。

公开(公告)号：CN117276835A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202311227921.7

申请日：2023-09-22

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 蒋晓娜 ,  龚莹 ,  邬传建 ,  孙科 ,  余忠 ,  兰中文 ,  李启帆

IPC: H01P1/38 ,  H01P11/00

Abstract: 铁氧体基板及制备方法，涉及材料技术，本发明的铁氧体基板其平面形状具有内切圆，铁氧体基板纵横比的数值为29％～59％，所述纵横比按照下式确定：纵横比＝h/d；h为基板厚度，d为基板平面形状的内切圆的直径。采用本发明技术的铁氧体基板，具有高剩磁比、较高磁晶各向异性场、高矫顽力、低共振线宽的性能。