公开(公告)号：CN103828021A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201280045025.2

申请日：2012-09-14

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  永田和寿

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/2011 ,  H01L21/76243 ,  H01L21/76251

Abstract: 本发明提供一种制造复合晶片的方法，其中可以从一个施体晶片获得至少两个复合晶片，并且可以省略倒角步骤。所提供的制造复合晶片的方法至少包括以下步骤：将至少两个处理晶片的表面与施体晶片的表面键合以获得键合晶片，所述施体晶片的直径大于或等于所述至少两个处理晶片的直径之和，并且所述施体晶片具有通过从所述施体晶片的表面注入氢离子而在施体晶片内部形成的氢离子注入层；在200℃至400℃加热所述键合晶片；以及沿着加热后的键合晶片的氢离子注入层从所述施体晶片分离出膜，以获得具有转移到所述至少两个处理晶片上的所述膜的复合晶片。

公开(公告)号：CN102017070B

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN200980116731.X

申请日：2009-10-29

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  川合信 ,  田中好一 ,  飞坂优二 ,  野岛义弘

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/76256

Abstract: 本发明提供了一种SOI晶片的制造方法，上述方法可防止由绝缘性基板和SOI层的热膨胀系数的差异引起的热应力、剥离、裂缝等问题的产生，同时改善SOI层的膜厚均一性。上述SOI晶片的制造方法包含以下工序：对绝缘性晶片的表面及具有氢离子注入层的单晶硅晶片的氢离子注入面中的至少一个表面施以表面活化处理的工序；将氢离子注入面与绝缘性晶片的表面贴合以获得贴合晶片的工序；将贴合晶片在第1温度进行热处理的工序；为了降低贴合晶片中单晶硅晶片的厚度，对贴合晶片中单晶硅晶片侧施以研削和/或蚀刻的工序；将贴合晶片在高于第1温度的第2温度下进行热处理的工序；通过对贴合晶片中的氢离子注入层施以机械性冲击，将氢离子注入层进行剥离的工序。

公开(公告)号：CN103339710A

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201280006999.X

申请日：2012-01-24

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/185 ,  H01L21/302 ,  H01L21/76251 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明的目的在于提供一种通过相对低的温度下的和相对较短的持续时间的处理来减少由键合方法在单晶硅层表面和内部引起的缺陷的方法。更具体地，本发明涉及一种制备SOI晶片的方法，所述方法包括以下步骤：通过键合方法在操作基板上形成单晶硅层，以获得键合基板，所述操作基板是从具有800℃以上的耐热温度的材料中选择出的；在所述键合基板的所述单晶硅层上沉积非晶硅；及在800℃以上的温度下加热所述沉积之后的所述键合基板。

公开(公告)号：CN102591136A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210015148.3

申请日：2012-01-17

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏

IPC: G03F1/62 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/62 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/24 ,  Y10T428/24975 ,  Y10T428/265

Abstract: 本发明提供一种EUV用防尘薄膜组件，其将膜厚均匀的单晶硅膜作为防尘薄膜。该防尘薄膜由厚度为20nm-1μm的单晶硅薄膜以及强化该薄膜的辅助结构构成，其特征在于上述单晶硅薄膜与辅助结构通过硅氧化物层而牢固地结合。上述防尘薄膜的制造方法，其特征在于含有将辅助结构用图案设置在SOI基板的硅支持基板表面后，进行干式蚀刻直到硅氧化膜露出为止，接着除去露出的硅氧化物层的工序，所述SOI基板由单晶硅层、硅氧化物层以及上述硅支持基板构成，且上述单晶硅层以及硅氧化物层的厚度分别为20nm-1μm，而上述硅支持基板的厚度为30μm-300μm。

公开(公告)号：CN101286442B

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN200810088667.6

申请日：2008-04-10

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  川合信 ,  飞坂优二 ,  田中好一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/76256 ,  H01L27/12

Abstract: 提供一种回蚀法薄膜化后的硅层的基板面内的膜厚均匀性和电阻率均匀性优异的SOI基板的制造方法。从单晶硅基板(10)的表面，注入硼离子，在最表面形成深度L的高浓度硼添加p层(11)，使单晶硅基板(10)和石英基板(20)在室温下密接而贴合。从单晶硅基板(10)的背面，施行化学蚀刻，使其厚度为L以下。对所得到的SOI基板，在含氢气氛中施行热处理，使硼从高浓度硼添加p层(11)向外方扩散，得到期望电阻值的硼添加p层(12)。在此热处理中，硅结晶内部的硼，以与环境中的氢结合的状态，扩散至结晶外，高浓度硼添加p层(11)内的硼浓度，逐渐降低。此时的热处理温度，由绝缘性基板的软化点，设为700～1250℃。

公开(公告)号：CN101174659B

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN200710185124.1

申请日：2007-10-30

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 伊藤厚雄 ,  秋山昌次 ,  川合信 ,  田中好一 ,  飞坂优二 ,  久保田芳宏

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/1896 ,  Y02B10/10 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种单晶硅太阳能电池的制造方法，包含：将氢离子或稀有气体离子注入单晶硅基板的工序；形成透明导电性膜于透明绝缘性基板的表面的工序；于该单晶硅基板的离子注入面及/或该透明绝缘性基板上的该透明导电性膜的表面，进行表面活化处理的工序；贴合该单晶硅基板的离子注入面与该透明绝缘性基板上的该透明导电性膜表面的工序；对该离子注入层施予冲击，机械性剥离该单晶硅基板，形成单晶硅层的工序；以及于该单晶硅层形成pn结的工序。由此，提供一种单晶硅太阳能电池，于硅太阳能电池中，为了有效活用其原料(硅)而将光变换层制成薄膜，且变换特性优异，并且因光照射产生的劣化少，所以可使用作为住宅等的采光窗材料的透视型太阳能电池。

公开(公告)号：CN101286444B

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN200810088669.5

申请日：2008-04-10

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 川合信 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  田中好一 ,  飞坂优二 ,  秋山昌次

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明提供一种SOI基板，其不会有起因于氧施体的生成所导致的电特性变动的疑虑。在贴合步骤中所使用的单晶硅基板10，是以红外线吸收法测得的晶格间氧浓度为1×1018cm-3以下的单晶硅基板。将单晶硅基板的晶格间氧浓度设为1×1018cm-3以下的理由，是因为氧施体的形成程度与该晶格间氧浓度密切相关。若将结晶硅基板的晶格间氧浓度设为1×1018cm-3以下，SOI基板的硅层(SOI层)的电特性(电阻率)的变动，能够抑制在实用上不会有问题的程度。如此的单晶硅基板，通过对硅熔液施加磁场来控制其对流的MCZ法、或是通过没有使用石英坩埚的FZ法，能够容易地获得。

公开(公告)号：CN101990697A

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200980112677.1

申请日：2009-04-10

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 飞坂优二 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  田中好一 ,  川合信 ,  秋山昌次 ,  田村博

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/187 ,  H01L21/76254

Abstract: 本发明提供了一种制造贴合基板的方法，所述基板在整个基板表面、特别是贴合终端部附近具有良好的薄膜。第二基板上具有薄膜的贴合基板的制造方法至少包含以下工序：在作为半导体基板的所述第一基板的表面，通过注入氢离子和/或稀有气体离子形成离子注入层的工序；对所述第一基板的离子注入面及所述第二基板的贴合面中的至少一面施以表面活化处理的工序；在湿度30％以下和/或水分含量6g/m3以下的气氛中，将所述第一基板的离子注入面和所述第二基板的贴合面进行贴合的贴合工序；将所述第一基板在所述离子注入层分离，以使所述第一基板薄膜化的剥离工序。

公开(公告)号：CN101896648A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN200880120249.9

申请日：2008-12-11

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/007 ,  C30B23/025 ,  C30B25/183 ,  C30B29/08 ,  C30B29/406 ,  C30B33/02 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631

Abstract: 一种使用也可以成为大口径的单晶作为基板、含有GaN层的层叠基板及其制造方法以及使用了所述层叠基板的器件。本发明的层叠基板的制造方法包括：锗生长工序，其通过化学气相沉积法使锗层在(111)硅基板上异质外延生长；热处理工序，其在700～900℃的温度范围内对所得到的硅基板上的锗层进行热处理；和GaN生长工序，其随后使GaN在锗层上异质外延生长。

公开(公告)号：CN101286442A

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200810088667.6

申请日：2008-04-10

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  川合信 ,  飞坂优二 ,  田中好一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/76256 ,  H01L27/12

Abstract: 提供一种回蚀法薄膜化后的硅层的基板面内的膜厚均匀性和电阻率均匀性优异的SOI基板的制造方法。从单晶硅基板(10)的表面，注入硼离子，在最表面形成深度L的高浓度硼添加p层(11)，使单晶硅基板(10)和石英基板(20)在室温下密接而贴合。从单晶硅基板(10)的背面，施行化学蚀刻，使其厚度为L以下。对所得到的SOI基板，在含氢气氛中施行热处理，使硼从高浓度硼添加p层(11)向外方扩散，得到期望电阻值的硼添加p层(12)。在此热处理中，硅结晶内部的硼，以与环境中的氢结合的状态，扩散至结晶外，高浓度硼添加p层(11)内的硼浓度，逐渐降低。此时的热处理温度，由绝缘性基板的软化点，设为700～1250℃。