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公开(公告)号：CN1048291C
公开(公告)日：2000-01-12
申请号：CN97120353.9
申请日：1997-12-12
Applicant: 清华大学
IPC: C23C14/06
Abstract: 本发明涉及一种医用植入物的离子束增强沉积羟基磷灰石镀层的制备方法，该方法用50%羟基磷灰石的烧结陶瓷为溅射靶。首先用Ar离子轰击样品进行清洗，然后在保持有水蒸汽分压下以离子束轰击溅射靶，在基底样品表面溅射成膜，同时辅以高能Ar离子束轰击基底样品，将膜样品从真空室中取出，加热至380～420℃，在潮湿空气中退火。本发明制备的镀层具有膜与基片的结合力强，膜本身致密度高、生物相容性优良等优点。
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