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公开(公告)号:CN108587007A
公开(公告)日:2018-09-28
申请号:CN201810042683.5
申请日:2018-01-17
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种叠层结构铁电聚合物基电介质薄膜、及其制备方法和用途。所述薄膜具有至少一个第一电介质层和与所述第一电介质层交替层叠的第二电介质层,所述第一电介质层含有偏氟乙烯-六氟丙烯共聚物P(VDF-co-HFP)和片层状Al2O3,其中,以体积百分比计,两者的配比为(100-x)%P(VDF-co-HFP)–x%Al2O3,0
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公开(公告)号:CN108570201A
公开(公告)日:2018-09-25
申请号:CN201810441260.0
申请日:2018-05-10
Applicant: 深圳清华大学研究院
Abstract: 本发明涉及一种介电复合材料及其制备方法。上述介电复合材料的制备方法及介电复合材料,对钛酸钡颗粒表面进行羟基化处理,再加入含氟单体引发聚合得到具有核壳结构的改性钛酸钡,再将改性钛酸钡与偏二氟乙烯-六氟丙烯共聚物配制得到静电纺丝溶剂,再利用静电纺丝的工艺得到介电复合材料。钛酸钡颗粒具有着很高的介电常数而偏二氟乙烯-六氟丙烯共聚物有着良好的击穿性能,引入了含氟单体,这类单体分子链上均带有一定数量的氟原子与基体聚合物PVDF-HFP类似,将这一类单体包覆在颗粒表面,起到了温和过渡的效果,可以增加颗粒与基体间的相容性,进而使得颗粒有着好的分散性,从而使得介电复合材料兼具有高介电常数、高击穿场强和低介电损耗。
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公开(公告)号:CN108546108A
公开(公告)日:2018-09-18
申请号:CN201810355482.0
申请日:2018-04-19
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622 , C04B35/626 , C01B19/00
Abstract: 本发明提供了热电材料及其制备方法以及热电器件。其中,所述热电材料具有以下化学组成:Bi2-xSbxO2Se,其中,0<x≤0.15。发明人发现,具有上述化学组成的热电材料具有较高的电导率,热电优值(ZT值)较高,热电性能较佳,工作效率较高,在高温下化学稳定性较好,且在使用过程中不容易被氧化损坏,使用性能较佳,对环境友好,成本低。
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公开(公告)号:CN108451773A
公开(公告)日:2018-08-28
申请号:CN201810426619.7
申请日:2018-05-07
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种树脂渗透硅酸盐复合材料,其由包括树脂和玻璃相硅酸盐的组分在固化剂存在下经固化反应制得,其中,所述树脂、玻璃相硅酸盐与固化剂的质量比为1:(1-3):(0.005-0.02)。本发明还涉及一种树脂渗透硅酸盐复合材料的制备方法,其采用注浆成型制备多孔陶瓷块体,将树脂渗透多孔陶瓷块体后,经固化制得硅酸盐/树脂双重网络结构的复合材料。本发明的制备方法简化了多孔硅酸盐陶瓷坯体的制备工艺,该方法制备的树脂渗透硅酸盐复合材料有效地结合了树脂和陶瓷的优点,同时具备了较高的力学性能和美学性能,在齿科修复应用方面具有巨大的开发潜力和广阔的市场前景。
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公开(公告)号:CN107056276A
公开(公告)日:2017-08-18
申请号:CN201710193321.1
申请日:2017-03-28
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/47 , C04B35/622 , C04B35/634 , C04B35/638 , C04B41/00 , C04B41/45 , H01G4/12
CPC classification number: C04B35/453 , C04B35/47 , C04B35/62218 , C04B35/63416 , C04B35/638 , C04B41/0036 , C04B41/0072 , C04B41/4529 , C04B2235/3267 , C04B2235/3272 , C04B2235/6567 , C04B2235/94 , C04B2235/95 , C04B2235/96 , H01G4/1209 , H01G4/1227
Abstract: 本发明公开了一种用于高密度储能的铁酸铋基电介质薄膜及其制备方法和应用,其特征在于,所述电介质薄膜化学成分通式为(1‑x)BiFeO3‑xSrTiO3,其中,x为摩尔分数,且0
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公开(公告)号:CN103709565B
公开(公告)日:2016-02-24
申请号:CN201310737522.5
申请日:2013-12-26
Applicant: 清华大学
IPC: C08L27/16 , C08K9/04 , C08K7/08 , C08K3/22 , C08K3/24 , C08J5/18 , B29C41/00 , D01F9/08 , D01F1/10
Abstract: 本发明公开了一种复合纤维及聚合物基柔性复合薄膜及其制备方法。所述复合纤维及聚合物基柔性复合薄膜包括复合纤维和聚合物基体,所述复合纤维的体积百分含量为1%~30%;所述复合纤维由氧化物纤维和嵌入于氧化物纤维中的陶瓷颗粒和/或金属颗粒组成;所述聚合物基体为聚偏氟乙烯、环氧树脂、聚偏氟乙烯-三氟乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二酯和聚酰亚胺中至少一种。本发明将复合纤维与聚合物基体在进行复合,由于在复合纤维内部引入的额外极化,可以在较低的添加量的情况下使聚合物基复合薄膜得到较高的介电常数,从而在满足复合材料介电性能要求的同时最大限度的维持了聚合物薄膜原有的机械柔性等相关性能。
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公开(公告)号:CN104916869A
公开(公告)日:2015-09-16
申请号:CN201510249686.2
申请日:2015-05-15
Applicant: 清华大学
IPC: H01M10/0562 , H01M10/058 , H01M10/0525 , H01M12/08
CPC classification number: Y02E60/128 , H01M10/0562 , H01M10/0525 , H01M10/058 , H01M12/08
Abstract: 本发明公开了基于无机固态锂离子电解质材料的多孔-致密双层电解质陶瓷烧结体、全固态二次锂离子电池、全固态二次锂-空气电池,及其制备方法。其中,多孔-致密双层电解质陶瓷烧结体的制备方法包括如下步骤:a)提供所述无机固态锂离子电解质的粉体;b)将部分所述粉体与造孔剂进行混合,得到混合粉体;c)利用其余部分所述粉体和所述混合粉体形成坯体,其中,所述坯体包括相互层叠的第一坯体层和第二坯体层,由其余部分所述粉体形成所述第一坯体层,并由所述混合粉体形成所述第二坯体层;以及d)将所述坯体进行烧结,烧去所述造孔剂,得到所述多孔-致密双层电解质陶瓷烧结体,其中,所述第一坯体层形成致密层,所述第二坯体层形成多孔层。
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公开(公告)号:CN102887698B
公开(公告)日:2014-09-17
申请号:CN201110206869.8
申请日:2011-07-22
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/01 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种氧化铟基陶瓷复合热电材料及其制备方法。该方法包括如下步骤:(1)将ZnO、In2O3和GeO2的混合物进行煅烧得到前驱体粉末A;(2)将SrCO3、Ru和Er2O3的混合物进行煅烧得到前驱体粉末B;(3)将所述前驱体粉末A和所述前驱体粉末B混合后经放电等离子烧结即得所述In2O3基陶瓷复合Sr2ErRuO6热电材料。本发明提供的In2O3基陶瓷复合Sr2ErRuO6热电材料的制备方法,以普通的固相烧结相比,具有反应时间短,烧结温度低,烧结体热导率低,可以有效克服现有技术中反应温度高,反应时间长,能耗大,化合物偏离化学比以及热导率相对较高等缺点。
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公开(公告)号:CN103708547A
公开(公告)日:2014-04-09
申请号:CN201310654359.6
申请日:2013-12-05
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明利用均匀沉淀法通过掺杂晶型诱导剂-TZ-3Y-E(Tosoh)制备室温稳定四方相ZrO2纳米粉体。该方法具体步骤如下:(1)称取锆源、沉淀剂、晶型诱导剂、表面改性剂,依次溶解在去离子水中,形成混合溶液;(2)将混合溶液在水浴加热条件下进行搅拌;(3)将搅拌后的溶液离心、洗涤,将沉淀物干燥后得前驱体粉体;(4)将前驱体粉体在600℃~900℃煅烧2h,得到四方相ZrO2纳米粉体。本发明通过掺杂晶型诱导剂,采用新的方法制备了室温稳定四方相ZrO2纳米粉体,降低了其生产成本。
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公开(公告)号:CN103451773A
公开(公告)日:2013-12-18
申请号:CN201210167707.2
申请日:2012-05-28
Applicant: 清华大学
IPC: D01F9/08 , D01D5/00 , D01D10/02 , B01J23/843 , B01J35/06
Abstract: 本发明公开了一种铁酸铋纳米纤维及其制备方法。该铁酸铋纳米纤维的制备方法,包括下述步骤:1)以硝酸铋或其水合物、以及硝酸铁或其水合物为原料,将二者溶解于溶剂中,加入络合剂,搅拌获得溶胶,然后在铁酸铋溶胶中加入聚合物作为助纺剂,搅拌均匀得到前驱体溶液;2)前驱体溶液进行静电纺丝获得铁酸铋前躯体的纤维;3)铁酸铋前躯体的纤维进行热处理去除聚合物,得到铁酸铋纳米纤维。本方法制得的BiFeO3纳米纤维,纤维的晶粒沿轴向排列,形成类竹节结构。具有禁带宽度小(2.1~~2.3eV),对可见光的利用率高,比表面积大,存在的晶界与晶面较少,可以有效提高光生载流子的分离和降低光生电子和空穴的复合率,量子效率较高,表现出比纳米粒子更优异的光催化性能。
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