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公开(公告)号：CN113847996A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202111114273.5
申请日：2021-09-23
Applicant: 清华大学
IPC: G01K7/01
Abstract: 本发明公开了氮化镓温度传感器及其制备方法和应用。其中，该氮化镓温度传感器包括氮化镓层、隧穿层、阴极和阳极，所述隧穿层设在所述氮化镓层的至少一部分表面上，所述隧穿层上设有电极孔；所述阴极设在所述电极孔中并与所述氮化镓层接触；所述阳极设在所述隧穿层的部分表面上，所述阳极不与所述阴极接触。该温度传感器采用金属‑隧穿层‑氮化镓新型结构，利用载流子在受热激发后隧穿通过隧穿层的概率增大的原理，即热致隧穿效应，通过检测隧穿电流的大小实现对温度的检测和传感，具有耐高温、高线性度和高灵敏度的优势，可以更好的满足大功率、高温等应用场景的测温需求。
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公开(公告)号：CN112881459B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110037744.0
申请日：2021-01-12
Applicant: 清华大学
IPC: G01N25/16
Abstract: 本发明公开了一种薄膜材料热膨胀系数的测试装置，包括热膨胀系数测试结构、加热结构和射频测试仪器。其中，热膨胀系数测试结构包括衬底、射频传输线和热膨胀系数测试MEMS结构，射频传输线包括第一信号线段和第二信号线段；热膨胀系数测试MEMS结构包括待测薄膜组件、梁结构和位移测量结构，待测薄膜组件设置在所述衬底上且与第一信号线段相连，梁结构与待测薄膜组件相连；位移测量结构与第二信号线段相连，且间隔开地位于梁结构的下方；射频测试仪器用于测试热膨胀系数测试MEMS结构的射频隔离度，以最终获得待测薄膜热膨胀系数。本发明可以测得不同材料、连续温度点的、小面积的薄膜的热膨胀系数，通用性好。
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公开(公告)号：CN109346381A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811414006.8
申请日：2018-11-26
Applicant: 清华大学
IPC: H01H59/00
CPC classification number: H01H59/0009
Abstract: 本发明涉及一种带有上浮栅结构的梯形射频MEMS开关，属于射频微电子机械系统(RFMEMS)和通信技术领域。本发明采用梯形的悬臂梁结构，通过在悬臂梁三角形外边框内沿信号方向设置一个或多个横梁，降低开关制作的工艺复杂度，并可通过调整悬臂梁的弹性系数，调节开关的驱动电压。相比于已有的静电驱动式MEMS开关，本发明在悬臂梁下方设置由隔离层和电荷充电层共同组成的浮栅结构，通过对浮栅结构预充电，降低并调节开关在工作状态下驱动电压，提高开关的可靠性和使用寿命。本发明的射频MEMS开关，可以与其他MEMS器件兼容制作，应用在移动终端等通信领域。
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公开(公告)号：CN103413681B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201310323750.8
申请日：2013-07-30
Applicant: 清华大学
IPC: H01G5/16
Abstract: 本发明是一种对称杠杆结构的MEMS线性可变电容器，包括介质衬底、上极板、下驱动电极、电容下极板及4个对上极板起支撑和固定作用的锚点，上极板的两端部分与下驱动电极相应，中间部分与电容下极板相应，两端部分在下驱动电极的作用下加速向下运动，带动中间部分向上运动，使上极板和电容下极板之间的电容线性减小，电容下极板较厚，下驱动电极较薄，可使可调电容器的初始电容值大、电容变化范围大。
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公开(公告)号：CN104064407B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201410262092.0
申请日：2014-06-12
Applicant: 清华大学
IPC: H01H59/00
Abstract: 本发明提出一种微机电系统开关，包括：基底；微波传输线，设置在基底上；多通道条形极板的一端固定设置在基底上；信号功率分配过渡区与多通道条形极板的固定端相连，用于实现对多通道条形极板的功率分配；驱动电极设置在基底上且位于多通道条形极板的正下方，驱动电极上电时驱动多通道条形极板弯曲以使多通道条形极板与微波传输线接触而形成通路。本发明的微机电系统开关，功率容量大、可靠性高、结构简单。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104779448A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201510165999.X
申请日：2015-04-09
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种基于RF MEMS移相器的识别天线，所述天线包括五层结构，底层为馈电网络，所述馈电网络层包括功分器、RF MEMS移相器；中间层包括参考地面；中间层的上层和下层分别包括两层用于隔离的介质材料；最上层包括天线阵元；所述天线还包括馈电探针，所述馈电网络与所述天线阵元采用背馈形式连接，所述馈电网络通过所述馈电探针对所述天线阵元进行馈电。
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公开(公告)号：CN104064407A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410262092.0
申请日：2014-06-12
Applicant: 清华大学
IPC: H01H59/00
Abstract: 本发明提出一种微机电系统开关，包括：基底；微波传输线，设置在基底上；多通道条形极板的一端固定设置在基底上；信号功率分配过渡区与多通道条形极板的固定端相连，用于实现对多通道条形极板的功率分配；驱动电极设置在基底上且位于多通道条形极板的正下方，驱动电极上电时驱动多通道条形极板弯曲以使多通道条形极板与微波传输线接触而形成通路。本发明的微机电系统开关，功率容量大、可靠性高、结构简单。
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公开(公告)号：CN102901763B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210362732.6
申请日：2012-09-25
Applicant: 清华大学
IPC: G01N27/416 , B82Y35/00
Abstract: 基于石墨烯纳米孔-微腔-固态纳米孔的DNA测序装置及制作方法，在SOI硅片上部刻蚀有倒金字塔形微腔，在其下部刻蚀有柱状孔，倒金字塔形微腔塔顶为固态纳米孔，在上部有石墨烯，在石墨烯中央刻蚀有石墨烯纳米孔，铂电极和纵向微弱电流测量装置及电源构成纵向微弱电流测量回路，金电极和横向微弱电流测量装置及电源构成横向微弱电流测量回路；在SOI硅片正面刻蚀倒锥形腔，背面刻蚀垂直柱状孔，腐蚀掉其上氧化埋层，形成固态纳米孔，将已经制备的石墨烯转移到SOI硅片表面，在石墨烯中央刻蚀出与固定纳米孔同轴的石墨烯纳米孔；将芯片、电源和电流表组成电路，通过测定DNA穿过纳米孔时电路中电流强度的变化，实现对DNA的测序。
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公开(公告)号：CN102914394A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210404330.8
申请日：2012-10-22
IPC: G01L1/12
Abstract: 一种MEMS巨磁阻式高度压力传感器，包括键合基板、设置在键合基板上方的铁磁性薄膜承载体、设置在铁磁性薄膜承载体的弹性薄膜的下表面的中心位置的铁磁性薄膜、设置在键合基板上表面中心位置的与铁磁性薄膜正对的巨磁敏电阻以及固定在铁磁性薄膜承载体上方的保护罩，保护罩上表面的中间设置连通保护罩的内腔和外界的接触孔，被测压力通过接触孔作用在铁磁性薄膜承载体的硅弹性薄膜上并使其发生Z向弯曲，从而带动铁磁性薄膜发生Z向移动，导致其产生的磁场发生微弱变化，引起巨磁敏电阻阻值发生剧烈变化，电阻值变化引起测量电路中相应电路的电流或电压变化，实现对被测压力的测量，由于海拔与压力之间有一定的关系，通过测得的压力就可以得到海拔高度。
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公开(公告)号：CN101430300B
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN200810240372.6
申请日：2008-12-19
Applicant: 清华大学
IPC: G01N27/327
Abstract: 本发明提出一种用于生物医学电化学检测的三维微电极结构及其制作方法。利用微加工技术，在衬底表面制作牺牲层和具有一定内应力的双层金属结构，通过去除牺牲层，将制作于衬底表面的微电极金属释放，使其通过本身的内应力作用产生背离衬底表面的翘曲，从而形成一种三维立体微电极结构。该三维微电极与将流体有更好的接触，且在相同的电极尺寸下增大了微电极与流体的有效接触面积。
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