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公开(公告)号：CN117647865A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311590561.7
申请日：2023-11-27
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种开关型二维光束扫描器，包括：激光器用于产生外部光束；光路选择装置由二维拓扑结构集成的多个马赫‑增德尔干涉仪组成，所述马赫‑增德尔干涉仪的输入端用于接收来自激光器的光束，或者与其他马赫‑增德尔干涉仪的一个输出端交叉连接；光栅耦合器与马赫‑增德尔干涉仪的另一个输出端连接，用于接收马赫‑增德尔干涉仪输出的光束，并将光束输出至外界，从而实现二维光束扫描；通过调控马赫‑增德尔干涉仪使得经过马赫‑增德尔干涉仪的光束发生相位改变，从而改变光束的路径，使得光束从指定的光栅耦合器输出至外界，从而达到控制二维光束扫描的目的。该扫描器具有较低的调控复杂度，结构简单，具有较好的扫描效果。
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公开(公告)号：CN117631177A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311707095.6
申请日：2023-12-13
Applicant: 浙江大学绍兴研究院
IPC: G02B6/42
Abstract: 本发明公开了一种双透镜耦合准直聚焦系统及方法，该系统将红外激光器芯片移动至准直透镜物方焦点的位置，在准直透镜另一侧放置聚焦透镜，在聚焦透镜像方焦点处放置硅基光波导芯片，从红外激光器芯片出射的发散光束，经准直透镜整形准直后，再经聚焦透镜聚焦到硅基光波导芯片端面，耦合进硅基光波导中。通过红外激光探测卡将肉眼不可见的红外光转为可见光，方便观察光斑状态，同时只需要前后平移红外激光探测卡便可以确定光斑是否达到最佳准直和聚焦状态，使耦合过程更加便捷、高效，无需使用光电探测器等复杂器件，减少电路，只需给激光器芯片通电即可，这一系统和方法同样适用于单透镜耦合。
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公开(公告)号：CN117631176A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311707094.1
申请日：2023-12-13
Applicant: 浙江大学绍兴研究院
IPC: G02B6/42
Abstract: 本发明公开了一种红外成像辅助透镜耦合系统及方法，该系统包括红外激光器模块、透镜、反射镜、红外成像模块和硅基光波导模块，耦合步骤如下：红外激光器模块、透镜、硅基光波导模块、反射镜依次放置，红外相机在系统的正上方以及反射镜正前方各一个，从红外激光器芯片出射的发散光束，经透镜聚焦到硅基光波导芯片入射端面，耦合进硅基光波导中，光波导芯片出射端面的光斑经反射镜反射后成像在红外相机上，本发明中的红外相机可以捕获人眼不可见的红外光斑，能够快速的使激光芯片、透镜与波导对准并耦合，提高耦合效率，缩短对光时间。
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公开(公告)号：CN117534031A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311573708.1
申请日：2023-11-23
Applicant: 浙江大学绍兴研究院
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种深层氧化硅刻蚀的形貌优化方法，包括步骤S1：样片清洗；步骤S2：芯层生长；步骤S3：PVD镀膜；步骤S4：掩膜层生长；步骤S5：掩膜层光刻；步骤S6：通过第一刻蚀工艺刻蚀沟槽，所述第一刻蚀工艺包括第一刻蚀气体、第一ICP功率和第一RF偏置功率；步骤S7：通过第二刻蚀工艺刻蚀沟槽，所述第二刻蚀工艺包括第二刻蚀气体、第二ICP功率和第二RF偏置功率；步骤S8：通过第三刻蚀工艺刻蚀沟槽，所述第三刻蚀工艺包括第三刻蚀气体、第三ICP功率和第三RF偏置功率。本发明公开的一种深层氧化硅刻蚀的形貌优化方法，实现刻蚀出高深宽比、高绝对深度、侧壁角度垂直和侧壁光滑的刻蚀结构。
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公开(公告)号：CN117509533A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311573710.9
申请日：2023-11-23
Applicant: 浙江大学绍兴研究院
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种深层氧化硅波导与沟槽的刻蚀工艺，对晶圆进行刻蚀并且需要刻蚀的晶圆自上而下依次包括光刻胶、浅层氧化硅、金属铬、深层氧化硅、石英衬底和背部金属铬，包括步骤S1：采用预设厚度的光刻胶作为浅层氧化硅的掩模版并且采用第一工艺参数进行第一道刻蚀工艺，第一道刻蚀工艺为：向腔体内部通入氟基气体，以对位于金属铬上层的浅层氧化硅进行等离子体刻蚀，从而将光刻胶上的图形转移至浅层氧化硅上。本发明公开的一种深层氧化硅波导与沟槽的刻蚀工艺，实现刻蚀出高深宽比、高绝对深度、侧壁角度垂直和侧壁光滑的刻蚀结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111144247B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN201911292323.1
申请日：2019-12-16
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种基于深度学习的自动扶梯乘客逆行检行为测方法，包括步骤一、从自动扶梯的监控视频流获取图像帧，并设定检测区域(ROI)；步骤二、使用目标检测算法检测步骤一中规定的ROI区域中乘客的头部位置；步骤三、使用分类器判别步骤二中检测到的人头的方向，判断该乘客是否有可能出现逆行现象；步骤四、利用多目标跟踪算法对步骤三中每个可能逆行的目标(头部)进行跟踪，得到跟踪轨迹；步骤五、对步骤四中的每一条轨迹进行分析，判断乘客是否发生逆行行为。该算法能在复杂的情况下较高的准确性和实时性，能有效的判断自动扶梯上的乘客逆行行为，避免事故的发生。
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公开(公告)号：CN116360033A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310248050.0
申请日：2023-03-15
Applicant: 浙江大学绍兴研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于玻璃基板的光纤与PZT波导的耦合方式。在单模光纤与PZT波导的中间加入玻璃波导，在玻璃波导与PZT波导重合的绝热耦合区，设计反锥形PZT波导来实现低损耗功率传输，两者之间利用光学透明粘合剂提供机械接触并控制波导分离。玻璃波导的传输损耗低，耐受功率高，作为接口添加在波导和光纤之间，在一端与单模光纤直接耦合，另一端与所述锥形PZT波导倏逝耦合，可以提高光纤与PZT波导的耦合效率，降低接口处的光学功率损耗。
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公开(公告)号：CN116207487A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310089652.6
申请日：2023-02-09
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种单片集成的硅基光馈天线，所述单片集成的硅基光馈天线包括硅基片上天线、锗硅光电探测器、偏置网络和GSG pad部分。该硅基光馈天线通过大带宽和高RF饱和功率的锗硅光电探测器进行光电转化并馈入高增益和高定向性硅基片上天线发射到空间中，实现了高辐射功率和高效率传输。此外，该器件在CMOS兼容的SOI衬底以单片集成的方式构成，减小了传统混合集成的金属线键合的寄生效应，且器件结构尺寸紧凑，利于大规模集成。
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公开(公告)号：CN115265613A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210896490.2
申请日：2022-07-28
Applicant: 浙江大学绍兴研究院
IPC: G01D5/353
Abstract: 本发明公开一种多频率间隔的布里渊频移提取方法，通过训练后的特征向量表能够使得输入的频率扫描间隔找到对应的特征向量表示，然后将输入的布里渊增益谱的数据段与对应的特征向量表示进行组合，将组合向量输入到训练后的全连接网络中准确得到分段频移和数据段贡献率，将每个数据段频移和数据段贡献率相乘后加和得到布里渊频移结果，该方法避免了对于不同的频率扫描间隔和不同长度的输入数据都需要进行重新训练，或者做相应的数据裁剪，具有较好的应用前景。本发明还公开了一种多频率间隔的布里渊频移提取装置。
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公开(公告)号：CN113465676B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202110776984.2
申请日：2021-07-09
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种双阶段布里渊频移提取方法，该方法构建了去噪和回归的双阶段布里渊频移提取网络，去噪网络包含编码器、解码器和残差连接单元，回归网络包含卷积单元和回归单元；网络训练，以损失函数收敛为目标，分别对两个网络进行训练，网络参数确定后，通过级联两个网络来提取布里渊增益谱的布里渊频移；本发明为布里渊光时域分析系统提供了一种在低信噪比下精度高且处理速度快的方案。
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