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公开(公告)号：CN107350483A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710576268.3
申请日：2017-07-14
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明提供了一种梯度合金量子点及其制备方法，制备方法包括：将单质硒、镉源、锌源和不含磷有机溶剂混合后升温至第一温度进行保温，得到量子点前驱体后，将量子点前驱体升温至第二温度进行保温，得到梯度合金量子点。本发明采用一锅法合成ZnxCd1-xSe(0＜x＜1)简化了制备过程中的工序，同时以单质硒作为硒源，无需使用含磷有机溶剂，环保且成本低，可节约成本60％以上。本发明将锌源、镉源和单质硒与不含磷有机溶液混合，利用锌源、镉源与单质硒的不同的反应速率，采用梯度升温的方式，进行分步升温和分阶段保温，制备得到梯度合金量子点，相对于组分固定的量子点(如CdSe，ZnSe)具有更高的稳定性和高的量子产率。
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公开(公告)号：CN105885419A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610275529.3
申请日：2016-04-29
Applicant: 河南大学
IPC: C08L83/04 , C08L63/00 , C08L33/00 , C08K9/10 , C08K9/02 , C08K3/30 , C09K11/02 , C09K11/54 , B82Y40/00
CPC classification number: C08K9/10 , B82Y40/00 , C08J5/18 , C08J2333/00 , C08J2363/00 , C08J2383/04 , C08K3/30 , C08K9/02 , C08K2003/3027 , C08K2003/3036 , C08K2201/011 , C08L2203/16 , C09K11/02 , C09K11/54 , C08L83/04 , C08L63/00 , C08L33/00
Abstract: 本发明属于一种镉化合物量子点荧光薄膜的制备方法，首先用制备的双亲树脂对油溶性镉化合物量子点进行包覆相转移处理，获得水溶性量子点；然后再用硅酸四乙酯和硅烷偶联剂对水溶性量子点进一步包覆处理，获取SiO2包覆的镉化合物量子点，将其与树脂溶液混合制备荧光薄膜。本发明制得的镉化合物量子点荧光薄膜不但保存了油溶性量子点的高荧光量子产率的优势，同时也明显提高了量子点的稳定性和在树脂中的分散性。得到的荧光薄膜透光率高，该性质不仅可以应用在背光显示技术中，在照明领域也可以广泛应用。
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公开(公告)号：CN104701430A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510068498.X
申请日：2015-02-10
Applicant: 河南大学
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/00 , H01L33/28 , H01L2933/0008
Abstract: 本发明属于电致发光器件领域，涉及一种改善量子点发光二极管寿命的方法，其作为发光层的量子点的壳和核体积比大于60：1。所选用量子点的核和壳层材料均为II-VI族材料，可以为CdSe/ZnS、CdSe/ZnCdS/ZnS、CdSe/CdS、ZnCdSe/ZnS或ZnCdSe/ZnSe/ZnS等。壳层可由ZnCdS与ZnS、或ZnSe与ZnS等复合而成。该方法利用“巨壳型”量子点作为发光层，有效地抑制了量子点的荧光闪烁，提高了其抗光漂白的能力，并由此有效地改善了半导体荧光量子点作为发光层的电致发光器件的寿命。
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公开(公告)号：CN103184045A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201310043066.4
申请日：2013-05-08
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明公开了具有II型结构半导体纳米晶（CdS/ZnSe，ZnSe/CdSe，CdTe/CdSe，CdTe/CdS等）及其制备方法，属于半导体纳米材料制备技术领域。本方法避免了目前国际上的使用三丁基膦（tributylphosphine，TBP）或三辛基膦(trioctylphosphine，TOP)溶解硒或者碲作为硒或碲的前躯体，而是采用常规溶剂溶解硒或碲作为硒或碲前躯体。合成过程简单，重复性好，安全环保，无需手套箱，可节约成本60%以上。本发明合成的CdS/ZnSe，ZnSe/CdSe等II型核壳结构纳米晶荧光范围为400—650nm，量子产率可达60%以上。合成的CdTe/CdSe，CdTe/CdS等II型核壳结构纳米晶荧光范围覆盖600-950nm，在近红外区域量子产率最高可达75%，并且具有良好的稳定性。
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公开(公告)号：CN101311383B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200810049338.0
申请日：2008-03-11
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明涉及一种半导体纳米晶及其制备方法，所述半导体纳米晶组成如下：AXB1-XC，0＜x＜1，其中A为Cd或Zn：A为Cd时，B为Hg，C为Te；A为Zn时，B为Cd或Cu，C为Se。制备时先将CdTe或ZnSe纳米晶溶于反应溶剂中，以C4-C12的硫醇为稳定剂，然后与汞盐、镉盐或铜盐溶于有机溶剂的溶液充分作用，保持温度为20-100℃，即得AXB1-XC半导体纳米晶。本发明制得的半导体纳米晶尺寸、形貌可控，发光效率高，发光范围可根据需要调节。制备方法简单，条件容易控制可控，反应条件平和，成本低，值得推广。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101891162A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010192244.6
申请日：2010-06-07
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明是使用镉和锌的长链脂肪酸盐作为镉和锌的前驱体合成ZnxCd1-xSe(0≤x≤1)以及ZnxCd1-xSe/ZnSe，ZnxCd1-xSe/ZnS和ZnxCd1-xSe/ZnSe/ZnS核壳结构纳米晶，是目前最为经济环保的高质量ZnxCd1-xSe及其相关核壳结构纳米晶的合成方法。本方法避免了目前国际上的使用三丁基膦(tributylphosphine，TBP)或三辛基膦(trioctylphosphine，TOP)溶解硒单质作为硒的前驱体，而是采用十八烯(ODE)溶解硒单质作为硒前驱体，得到的纳米晶和使用TBP或TOP溶解硒粉作为硒的前驱体时合成的纳米晶具有同等质量，该方法被成为无膦法。合成过程简单，重复性好，安全环保，无需手套箱，可节约成本60％以上。合成的ZnxCd1-xSe及其相关核壳结构纳米晶荧光范围可以从400-650nm。粒径尺寸分布均匀，荧光量子产率效率高(40-70％)，半高宽窄。本方法还适用于合成ZnxCd1-xS，HgxCd1-xSe，ZnxCd1-xTe纳米晶及其相关核壳结构。更为重要的是该方法可大规模合成高质量纳米晶，因此无论是在实验室合成还是工业合成都具有巨大的应用价值。
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公开(公告)号：CN101260294B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810049316.4
申请日：2008-03-06
Applicant: 河南大学
IPC: C09K11/02
Abstract: 本发明涉及一种核壳结构纳米晶的制备方法，将点状颗粒的含硒化合物纳米晶溶于加有添加剂的溶剂并于惰性环境下将溶液中的氧气排除得到溶液1，然后将12族元素的前驱体与硫分别溶于相同溶剂的溶液混合得到混合液2，将混合液2滴加至溶液1中，混合溶液加热至120-280℃使纳米晶生长，得到以含硒化合物纳米晶为核，以硫化物为壳的核壳结构纳米晶；所述添加剂为含碳数不小于10的有机胺或有机酸；所述溶剂为溶点不大于60℃的非配位溶剂；硫与12族元素的物质的量比为1∶1-1.5。本发明方法工序简单，便于操作，溶剂环保且成本低，可节约成本50％以上，本方法无论是在实验室合成还是工业合成上都具有巨大的应用价值。
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公开(公告)号：CN101554999A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910064764.6
申请日：2009-04-30
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明特别涉及一种含碲半导体纳米晶的合成方法。所述含碲半导体纳米晶化学式如CdTexA1－x所示，其中0＜x≤1，A为Se或S；步骤如下：前躯体的制备；将前躯体混合得反应液；反应液反应1s－3h，冷却沉淀即得所述含碲半导体纳米晶。本方法合成过程中使用常规、稳定的低毒害药品，成本可节约50％以上；本方法操作安全，易操作，重复性好。合成的含Te纳米晶荧光范围几乎覆盖了可见-近红外光区；尺寸分布均匀，荧光效率高，半高宽窄，耐光漂白性好；其在实验室以及工业生产方面都有很高的应用价值。
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公开(公告)号：CN101311383A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200810049338.0
申请日：2008-03-11
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明涉及一种半导体纳米晶及其制备方法，所述半导体纳米晶组成如下：AXB1－XC，0＜x＜1，其中A为Cd或Zn：A为Cd时，B为Hg，C为Te；A为Zn时，B为Cd或Cu，C为Se。制备时先将CdTe或ZnSe纳米晶溶于反应溶剂中，以C4－C12的硫醇为稳定剂，然后与汞盐、镉盐或铜盐溶于有机溶剂的溶液充分作用，保持温度为20－100℃，即得AXB1－XC半导体纳米晶。本发明制得的半导体纳米晶尺寸、形貌可控，发光效率高，发光范围可根据需要调节。制备方法简单，条件容易控制可控，反应条件平和，成本低，值得推广。
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公开(公告)号：CN119280427A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411443709.9
申请日：2024-10-16
Applicant: 河南大学
IPC: A61K47/69 , A61K31/145 , A61K41/00 , A61K47/62 , A61K33/242 , A61K33/243 , A61P35/00
Abstract: 本发明涉及一种促进肝癌细胞铜死亡增效双硫仑（DSF）化疗的纳米药物制备方法与应用：目前在肝癌细胞铜死亡的药物中DSF有巨大潜力，但该药不足以引起肝癌细胞铜死亡。针对不足，本发明提供一种新型纳米药物，该纳米药物包括具有近红外光（NIR）响应无机纳米材料中空硫化铜纳米颗粒（HCuS NPs）、双金属催化活性Au‑Pt纳米酶、光敏剂吲哚菁绿（ICG）、二乙基二硫代氨基甲酸‑铜结合物（Cu(DTC)2）和锚定有肝癌靶向性的肽，得到具有促进肝癌细胞铜死亡增效DSF化疗的纳米药物HCuS/Au‑Pt@DSF/ICG@9R‑P（HAPDI9P），实现纳米药物具有优异化疗、光热治疗、光动力学治疗和化学动力学治疗的组合治疗效果，并诱导肝癌细胞免疫原性死亡，增强肝癌细胞的免疫应答，对促进肝癌细胞铜死亡有重要意义。
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