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公开(公告)号：CN103219466B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201310154664.9
申请日：2013-04-28
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种有机阻变存储器及其制备方法，包括由下至上叠接的衬底、下电极、阻变层、上电极，其特征是：存储结构为阵列式结构，阻变层的有机阻变转换材料为聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）和聚醚酰亚胺（PEI）的共混物。制备时，先在衬底上制备条状下电极，然后涂覆有机阻变层膜，低温固化后，在阻变层膜的表面制备交叉的条状电极，形成阵列存储结构。本发明的优点是，该有机阻变存储器具有高的开关比，稳定的存储性能，极小的关态电流，较低的制备温度。
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公开(公告)号：CN102925683B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201210435582.7
申请日：2012-11-05
Applicant: 桂林电子科技大学
CPC classification number: Y02P10/234
Abstract: 本发明涉及一种柿子单宁分离铟铁的方法。首先将5~8份的柿子粉和2~5份的牛皮胶原纤维溶解，搅拌反应，加入交联剂，反应后过滤，真空烘干，粉碎得到固化柿子单宁吸附材料；然后将吸附材料加入到铟铁的混合溶液中，调节混合溶液的pH值，振荡吸附6~12小时，铁离子被柿单宁选择性吸附而除去，吸附结束后过滤即得到含铟的溶液，最后通过电沉积的方法使铟富集而得到高纯铟。该方法分离速度快，分离度高；工艺简单，环保，可工业化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103254454A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310176825.4
申请日：2013-05-14
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种流延法制备合成高分子增强改性淀粉薄膜的方法，先将一定比例的淀粉与去离子水制成混合物放入反应器中，在80~95℃的环境下用搅拌器以250~320r/min的转速搅拌，糊化30min~1h，自然冷却到30~60℃；加入5~25份合成高分子水溶液或水乳液，搅拌1~2h；制得的溶液在凹型塑料薄膜模板上均匀地流延平铺成膜，在60~70℃真空干燥箱中烘干即可。本发明制备工艺简单，不需要任何有机小分子添加剂，制得的淀粉薄膜达到了包装薄膜（GB/T4456-1996）对拉伸强度性能的要求，且成本低，可降解，大大减少了白色污染。
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公开(公告)号：CN103219464A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310155422.1
申请日：2013-04-28
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种MMA/BMI共聚物有机阻变存储器及其制备方法，包括衬底，衬底上的底电极，旋涂于底电极上的共聚物有机阻变存储层和顶电极，其特征是：有机阻变存储层由甲基丙烯酸甲酯（MMA）和双马来酰亚胺（BMI）共聚物有机膜组成。制备时，将制备好的MMA/BMI预聚物溶液旋涂于底电极上，直接在底电极上完成共聚反应得到MMA/BMI共聚物，可以减少底电极与MMA/BMI共聚物有机功能层之间的接触电阻；所得MMA/BMI共聚物有机阻变存储器的性能优异，关态电流小于4nA，开关比高达108，具有良好的稳定性。
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公开(公告)号：CN102527087A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210043670.2
申请日：2012-02-24
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种柿单宁吸附材料吸附回收重金属的方法，其吸附材料是先将牛皮胶原纤维和柿子粉在水中溶解、反应，加入戊二醛或甲醛，在50℃反应后过滤，真空烘干、粉碎制得。吸附回收重金属的方法是采用色层分析柱吸附方法，对铜、铁、铬、镉、银等贵重金属进行吸附回收，平均吸附率均达到95%以上。该方法适用于处理低浓度（﹤1000mg/L）工业废水中的若干重金属离子的吸附回收；运行成本低廉，且可循环使用，对环境无二次污染。
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公开(公告)号：CN207770225U
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201721563999.6
申请日：2017-11-21
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种连续工艺制备Z向微纳粒子改性聚合物胶膜的装置，包括传动部分、薄膜成型部分、取向部分和加热部分；所述的传动部分包括基材传动机构和薄膜卷材传动机构，基材传动机构和薄膜卷材机构通过薄膜基材传动连接；沿传动部分传动方向，在基材传动机构和薄膜卷材机构之间，依次设置薄膜成型部分、取向部分和加热部分；其中薄膜成型部分设在基材传动机构的上方；经过成型后的薄膜依次经过取向部分和加热部分，最后由薄膜卷材机构对薄膜进行卷取。该装置结构简单，操作简单制，备效率高，薄膜中的微纳米粒子取向度高。
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公开(公告)号：CN203415628U
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201320459034.8
申请日：2013-07-30
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种肖特基特性自整流阻变存储器，包括底电极、沉积于底电极上的阻变层和沉积于阻变层上的上电极，所述底电极是导电薄膜电极，所述阻变层是n型PEI-MMA有机薄膜，所述上电极是金电极、银电极、铂电极、钯电极、铝电极、钛电极或铜电极。本实用新型不仅保持器件具有较好的双极性存储功能，而且增加了存储器的自整流功能，可避免存储器在三维集成时其1R结构存在的串扰问题，其自整流功能具有肖特基特性，较之pn结自整流阻变存储器，具有肖特基二极管带来的开关速度快，开关损耗小等一切优点，降低了功耗，提高了读写速度。
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