-
公开(公告)号：CN112136173B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN201980033346.2
申请日：2019-05-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/20 , G02F1/133 , G09G3/3225 , G09G3/36 , H10K59/121 , H10K59/123
Abstract: 提供一种能够提高图像品质的显示装置。本发明的一个方式是将加法电路设置在显示区域的内部和外部的显示装置，加法电路具有对从源极驱动器供应的多个数据进行加法运算的功能。加法电路的部分构成要素分割地配置在显示区域内。因此，可以缓和对加法电路所包括的构成要素的尺寸的限制而高效地对数据进行加法运算。此外，通过将加法电路所包括的其他构成要素设置在显示区域的外部，可以减少显示区域的内部的布线数并提高像素的开口率。
-
公开(公告)号：CN118339602A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202280078476.X
申请日：2022-11-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/32 , G09G3/3208 , G06F3/041 , G06F3/042 , G06F3/044 , G09F9/00 , G09F9/30 , G09F9/33 , G09G3/20 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L29/786 , H01L33/00
Abstract: 提供一种亮度高且寿命长的显示装置。该显示装置包括第一层及位于所述第一层的上方的第二层。第一层包括衬底及多个驱动电路区域，第二层包括多个显示区域。衬底为玻璃衬底。多个驱动电路区域的每一个包括驱动电路，驱动电路包括在沟道形成区域中包含硅的晶体管。多个显示区域的每一个包括像素，像素包括发光二极管及在沟道形成区域中包含金属氧化物的晶体管。尤其是，发光二极管优选为微型发光二极管。多个驱动电路区域之一所包括的驱动电路具有驱动多个显示区域之一所包括的像素的功能。
-
公开(公告)号：CN118139454A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202311618076.6
申请日：2023-11-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K59/12 , G09G3/32 , G09G3/3233 , H10K59/131 , H01L27/12
Abstract: 提供一种新颖半导体装置、显示装置及半导体装置的驱动方法。第二晶体管的栅极与第一晶体管的源极和漏极中的一个及第三晶体管的源极和漏极中的一个电连接，第二晶体管的背栅极与第四晶体管的源极和漏极中的一个及第一电容器的一个端子电连接，第二晶体管的源极和漏极中的一个与第三晶体管的源极和漏极中的另一个、第一电容器的另一个端子及发光元件的一个端子电连接，第一晶体管、第三晶体管、第四晶体管中的半导体层的一部分分别设置在形成于绝缘层中的开口中。
-
公开(公告)号：CN118076992A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202280065628.2
申请日：2022-10-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/3233 , G09F9/30 , G09G3/20 , G09G3/32
Abstract: 提供一种具有新颖结构的显示装置。本发明的一个方式包括层叠设置有第一晶体管和显示元件的显示部。显示部包括第一副显示部及第二副显示部。第一副显示部及第二副显示部分别包括控制显示元件的多个像素电路以及输出驱动多个像素电路的信号的栅极线驱动电路。栅极线驱动电路及多个像素电路都包括第一晶体管。在显示部中，第一副显示部中的图像数据的单位时间的图像改写次数比第二副显示部中的图像数据的单位时间的图像改写次数少。
-
公开(公告)号：CN112534802B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN201980051728.8
申请日：2019-07-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种包括微型化了的像素的摄像装置。像素设置有光电转换元件、第一及第二晶体管以及电容器。光电转换元件的一个电极与第一晶体管的源极和漏极中的一个电连接，第一晶体管的源极和漏极中的另一个与第二晶体管的栅极电连接，第二晶体管的栅极与电容器的一个电极电连接。在第一期间，向电容器的另一个电极供应第一电位且使第一晶体管成为开启状态，由此将对应于照射到光电转换元件的光的照度的摄像数据写入到像素中。另外，在第二期间，向电容器的另一个电极供应第二电位，由此从像素读出摄像数据。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117043865A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202280018194.0
申请日：2022-02-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G11C19/28
Abstract: 提供一种可靠性高的半导体装置。涉及一种包括多级时序电路的移位寄存器电路。时序电路的输出信号被输入到下一级时序电路。在时序电路输出信号之前以及输出信号之后，根据时钟信号使晶体管的栅极的电位变动以免该时序电路所包括的该晶体管的栅极‑源极间长期间被施加电压应力。上述移位寄存器电路例如可以应用于显示装置的扫描线驱动电路。
-
公开(公告)号：CN111417999B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201880077024.3
申请日：2018-12-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/36 , G09G3/20 , H10K59/121 , H10K59/12 , G09F9/30
Abstract: 提供一种方便性或可靠性良好的新颖的显示面板。像素电路包括第一开关、节点、电容器及第二开关。第一开关包括被供应第一信号的第一端子且包括与节点电连接的第二端子。电容器包括与节点电连接的第一端子且包括与第二开关电连接的第二端子。第二开关包括被供应第二信号的第一端子且包括与电容器的第二端子电连接的第二端子。另外，第二开关具有在第一开关处于非导通状态下从非导通状态变化为导通状态的功能，并且包括在第一开关处于非导通状态下从导通状态变化为非导通状态的功能，显示元件根据节点的电位进行显示。
-
公开(公告)号：CN115885389A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202180052440.X
申请日：2021-08-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786
Abstract: 提供一种功能性高的半导体装置。该半导体装置包括第一晶体管及第二晶体管。第一晶体管包括第一半导体层、第一栅电极、第一电极及第二电极。第二晶体管包括第二半导体层、第二栅电极、第三电极及第四电极。第一栅电极与第二栅电极连接，第二电极与第三电极连接。第一半导体层上层叠有第一绝缘层、第二绝缘层和第二半导体层。第一绝缘层与第二绝缘层相比不容易扩散氢。第二绝缘层包含氧化物，第一半导体层包含多晶硅，第二半导体层包含金属氧化物。第一晶体管是p型晶体管，第二晶体管是n型晶体管。
-
公开(公告)号：CN115769295A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202180048255.3
申请日：2021-06-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/20
Abstract: 提供一种适于宽灰度显示的显示装置。该显示装置在像素中包括两个驱动晶体管及发光器件，两个驱动晶体管及发光器件串联连接。一个晶体管为p沟道型晶体管，另一个晶体管为n沟道型晶体管，切换地驱动它们。通过具有该结构，可以抑制进行高灰度显示时的栅极‑源极间电压的变动。此外，通过作为n沟道型晶体管使用在沟道形成区域中包含金属氧化物的晶体管，可以提高低灰度显示的显示特性。
-
公开(公告)号：CN112313736B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN201980042063.4
申请日：2019-06-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/36 , G02F1/13357 , G02F1/1368 , G09F9/30 , G09G3/20 , G09G3/3225 , H01L27/32 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/14
Abstract: 提供一种能够提高图像品质的显示装置。本发明的一个方式是将加法电路设置在显示区域的内部和外部的显示装置，加法电路具有对从源极驱动器供应的多个数据进行加法运算的功能。加法电路的部分构成要素分割地配置在显示区域内。因此，可以放宽对加法电路所包括的构成要素的尺寸的限制而高效地对数据进行加法运算。此外，通过将加法电路所包括的其他构成要素设置在显示区域的外部，可以减少显示区域的内部的布线数并提高像素的开口率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
111
records
(took 0.04 seconds)
