公开(公告)号：CN201681942U

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN201020154946.0

申请日：2010-04-09

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 张海鹏 ,  张帆 ,  苏步春 ,  张亮 ,  牛小燕 ,  林弥

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/41

Abstract: 本实用新型涉及一种纵向沟道SOI LDMOS单元。现有技术限制了器件结构与主要电学特性的改善。本实用新型包括半导体衬底、隐埋氧化层、漂移区、阱区、阱接触区、源区、栅介质层、缓冲区、漏极与漏极接触区、场氧区、多晶硅栅极区、接触孔和金属电极引线。本实用新型将集成SOI LDMOS的沟道方向由横向变为纵向，增加了纵向栅场板，同时将表面漏极变为体漏极，横向栅场板被源场板取代，消除了器件导通时通态电流向漂移区正表面集中的不良效应，降低了扩展电阻，改善了漂移区电导调制效应，提高了态电流，降低了通态电阻和通态压降，从而降低了通态功耗，基本消除器件层纵向耐压限制，减小芯片面积，改善器件耐高温特性。