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公开(公告)号：CN112210673A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202010803530.5
申请日：2020-08-11
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提供一种电子束表面热解去除高温合金中夹杂物的方法，包括如下步骤：高温合金原材料的预处理；电子束精炼及电子束高温热解去除夹杂物，得到高温合金铸锭。本发明结合电子束极高的能量密度以及电子束精炼过程中高真空度的特点，利用高能电子束作用于熔体表面夹杂物，从而实现夹杂物的原位分解去除。
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公开(公告)号：CN112095030A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010963710.X
申请日：2020-09-14
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提供一种真空感应熔炼‑电子束精炼一体化制备高纯镍基高温合金的方法。本发明方法，包括如下步骤：S1、原材料的预处理；S2、装炉；S3、真空感应熔炼；S4、电子束精炼，得到精炼后的合金。本发明通过耦合真空感应熔炼和电子束精炼，采用真空感应方法熔炼高温合金母合金，再使用电子束精炼进一步提纯高温合金，降低偏析程度，充分利用感应熔炼和电子束精炼的优势提高高温合金铸锭的冶金质量，最终实现合金的高纯净制备。
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公开(公告)号：CN112048624A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010962976.2
申请日：2020-09-14
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提供一种电子束循环超温处理提高镍基高温合金成分均匀性的方法。本发明方法，包括如下步骤：S1、原材料的预处理；S2、电子束精炼；S3、合金熔体的电子束循环超温处理，得到精炼后的718合金。本发明采用电子束循环超温技术对熔体进行处理，打破熔体结构的遗传性，充分利用电子束熔炼温度高、易于控制等优点提高熔体成分的均匀性，最终实现合金的高均质制备，从而达到制备高均质镍基高温合金的目的。
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公开(公告)号：CN109850905B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201910304735.6
申请日：2019-04-16
Applicant: 大连理工大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 本发明公开了一种电子束熔炼过程中提高挥发性杂质除杂量的方法及装置，本发明在电子束熔炼硅材料的过程中，通过改变电子束的熔炼模式可以使硅熔体表面出现波动，进而提高蒸发表面积，增加熔体界面的蒸发表面积，提高单位时间内的杂质的蒸发量，通过在熔炼坩埚底部放置石墨衬底，改变硅熔体底部的温度分布，从而促进熔炼坩埚底部硅熔体的流动，使得硅熔体内部产生对流，从而加速底部的硅熔体与顶部的硅熔体之间的熔体交换。本发明通过改变电子束的熔炼模式和实验装置从而增加熔体的蒸发表面积，提高杂质在单位时间内的蒸发量，解决硅熔体在对挥发性杂质除杂过程中杂质蒸发量少、熔炼时间长、硅材料损失量大、成本高的问题。
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公开(公告)号：CN108359949A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810134015.5
申请日：2018-02-09
Applicant: 大连理工大学 , 大工(青岛)新能源材料技术研究院有限公司 , 青岛蓝光晶科新材料有限公司
IPC: C23C14/35 , C30B29/06 , C30B28/06 , C01B33/037
Abstract: 本发明涉及溅射镀膜领域，具体涉及一种高纯多晶硅溅射靶材及其制备方法和应用。包括以下步骤：(1)装入硅料；(2)熔化阶段；(3)长晶过程；(4)减小热应力；(6)降温阶段。本发明选用多晶硅铸锭/提纯过程中产生的尾料作为原料，通过电子束熔炼耦合定向凝固将纯度较低的多晶硅原料提纯获得高纯多晶硅料，通过向硅中添加铝硼合金控制硅靶材的电阻率，通过籽晶诱导定向凝固工艺保证晶粒取向和均匀性，通过凝固工艺调整抑制晶体缺陷的形成。该方法制得的产品出成率能够达到80％左右，且具有成本低、纯度高、结晶取向一致、晶体缺陷少、电阻率可控的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104528732B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410826969.4
申请日：2014-12-25
Applicant: 大连理工大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 本发明公开了一种新型降低电子束熔炼技术能耗的装置与方法，属于冶金领域。所述装置包括水冷熔炼坩埚，所述水冷熔炼坩埚内壁底部由上到下依次设有5～40mm的碳化硅衬底，0～30mm石墨衬底。由于碳化硅以及石墨的热导率远远小于铜材质的热导率，所以热量在通过衬底的时候热流密度降低了，减少了大量能量的损耗，起到了节能作用。
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公开(公告)号：CN104556048B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201410822579.X
申请日：2014-12-25
Applicant: 大连理工大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种在多晶硅定向凝固提纯中分离高金属杂质区的设备及其分离方法，通过在现有多晶硅定向凝固提纯设备中加入水冷铜棒及其提拉装置，并加入冷却水循环系统，使水冷铜棒伸入金属浓度较高的近上层熔体中，硅熔体遇冷凝结在水冷铜棒上，通过水冷铜棒以一定的速率向上提拉，硅熔体中近上层的部分被不断地分离出，达到分离目的。本发明的设备简单，设计巧妙，利用此设备的分离方法可有效抑制金属杂质的扩散行为，有效提高硅锭利用率5～10％；实现高金属杂质的硅熔体区域与硅锭的分离，提高了实际良率5～15％。
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公开(公告)号：CN106149050A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610594698.3
申请日：2016-07-26
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明公开了一种铝硼母合金掺杂制备多晶硅靶材的铸造工艺，其特征在于具有如下步骤：S1、原料配比；S2、预加热；S3、熔炼；S4、长晶过程；S5、消除热应力；S6、降温阶段。本发明选取了铝硼合金作为母合金，降低配料成本，采用配套的定向凝固铸锭工艺去除引入的铝元素，达到提高产品出成率的目的，出成率能够达到80％左，并且实现了多晶硅铸锭中可控的硼掺杂，可对电阻率精确控制，可将多晶硅料的纯度要求从5.5N降低到3N，降低了使用原料的成本。
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公开(公告)号：CN103882518B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201410123795.5
申请日：2014-03-28
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明涉及一种硼元素均匀分布的多晶硅铸锭工艺，属于多晶硅生产领域。一种硼元素均匀分布的多晶硅铸锭工艺，包括多晶硅生长步骤，其特征在于：所述多晶硅生长步骤包括七个多晶硅生长阶段，每个生长阶段的时间为3～4h，各个阶段的生长速率依次为1.3cm/h、1.2cm/h、1.1cm/h、1.0cm/h、0.9cm/h、0.8cm/h、0.7cm/h。该工艺减弱了晶体生长过程中硼元素的定向分凝，可以使硅锭的出成率提高7～12%；均匀的硼元素分布、低的位错密度使得电池片的转换效率提高0.1%～0.2%。
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公开(公告)号：CN103553052B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310530845.7
申请日：2013-10-30
Applicant: 大连理工大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 本发明涉及一种多晶硅逆向凝固装置及方法，属于多晶硅生产领域。一种多晶硅逆向凝固装置，包括炉体、真空系统、充气系统、定向凝固熔炼系统、顶部升降机构、底部升降机构，所述顶部升降机构包括顶部升降旋转装置，顶部升降旋转装置的下端固定顶部连接杆，顶部连接杆的另一端固定籽晶盘；所述顶部升降旋转装置位于炉体的外部，所述顶部连接杆穿过炉体的上表面；所述籽晶盘位于定向凝固熔炼系统中硅液承装装置的上方。本设备和方法，保证硅由顶部向下凝固，当凝固后期富集杂质硅液不再进行定向凝固，抑制反扩散同时提高生产效率和产品的出成率。
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