公开(公告)号：CN109850905B

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN201910304735.6

申请日：2019-04-16

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 姜大川 ,  王唯一 ,  李鹏廷 ,  石爽

IPC: C01B33/037

Abstract: 本发明公开了一种电子束熔炼过程中提高挥发性杂质除杂量的方法及装置，本发明在电子束熔炼硅材料的过程中，通过改变电子束的熔炼模式可以使硅熔体表面出现波动，进而提高蒸发表面积，增加熔体界面的蒸发表面积，提高单位时间内的杂质的蒸发量，通过在熔炼坩埚底部放置石墨衬底，改变硅熔体底部的温度分布，从而促进熔炼坩埚底部硅熔体的流动，使得硅熔体内部产生对流，从而加速底部的硅熔体与顶部的硅熔体之间的熔体交换。本发明通过改变电子束的熔炼模式和实验装置从而增加熔体的蒸发表面积，提高杂质在单位时间内的蒸发量，解决硅熔体在对挥发性杂质除杂过程中杂质蒸发量少、熔炼时间长、硅材料损失量大、成本高的问题。

公开(公告)号：CN109850905A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201910304735.6

申请日：2019-04-16

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 姜大川 ,  王唯一 ,  李鹏廷 ,  石爽

IPC: C01B33/037

Abstract: 本发明公开了一种电子束熔炼过程中提高挥发性杂质除杂量的方法及装置，本发明在电子束熔炼硅材料的过程中，通过改变电子束的熔炼模式可以使硅熔体表面出现波动，进而提高蒸发表面积，增加熔体界面的蒸发表面积，提高单位时间内的杂质的蒸发量，通过在熔炼坩埚底部放置石墨衬底，改变硅熔体底部的温度分布，从而促进熔炼坩埚底部硅熔体的流动，使得硅熔体内部产生对流，从而加速底部的硅熔体与顶部的硅熔体之间的熔体交换。本发明通过改变电子束的熔炼模式和实验装置从而增加熔体的蒸发表面积，提高杂质在单位时间内的蒸发量，解决硅熔体在对挥发性杂质除杂过程中杂质蒸发量少、熔炼时间长、硅材料损失量大、成本高的问题。