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公开(公告)号：CN107305852A
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201610262775.5
申请日：2016-04-25
Applicant: 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L22/32
Abstract: 本发明提供了一种基于开关特性测量的IGBT芯片筛选结构，包括上端盖、下端盖和发射极金属电极；上端盖和下端盖均为凹形盖，上端盖和下端盖的两侧壁通过外框架弹簧连接形成一个长方体框架；发射极金属电极设置在长方体框架内，其包括圆盘形金属电极，及相对该圆盘形金属电极的中心轴对称分布的多个凸台，凸台上放置IGBT模块；圆盘形金属电极布置在下端盖上，其上面和侧面分别设置有一个栅极PCB板和一个辅助栅极/发射极端子。与现有技术相比，本发明提供的一种基于开关特性测量的IGBT芯片筛选结构，可以在主回路参数一致的条件下，测量多个并联的IGBT芯片的开关波形，从而综合评价芯片的动静态参数是否一致。
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公开(公告)号：CN104362141B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201410693404.3
申请日：2014-11-26
IPC: H01L25/11 , H01L23/04 , H01L23/367
Abstract: 本发明涉及一种大功率压接型IGBT模块，模块由子单元壳体(1)和子单元壳盖组件(2)组成气密性封装壳体。至少一个半导体芯片(1‑1)与第一辅助件(1‑6)、至少一个第二辅助件(1‑2)、至少一个第三辅助件(1‑3)形成的夹层结构布置在子单元壳体(1)与子单元壳盖组件(2)之间的气密性壳体内。不少于一个的上述子单元平行排布在模块外壳(3)中形成大功率IGBT模块。本发明涉及的IGBT模块具有低热阻，高可靠性及适于串联使用的优点。
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公开(公告)号：CN105548249A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201610013950.7
申请日：2016-01-11
IPC: G01N25/20
CPC classification number: G01N25/20
Abstract: 本发明提供一种压接式功率器件热阻测试检测装置，所述热阻测试装置包括：由水平方向的构件设置于竖直方向的立柱(21)组成的框架，所述立柱设有高度调节件和限位件。本热阻测试装置采用液压泵施加压力，相比传统的旋转螺杆施加压力可调范围大、精度高、均匀性好，具有较好的可移植性，可以同时满足传统热电偶测试法和瞬态热界面法，而且可以同时实现压接式功率器件单面和双面散热时热阻测试，非常适用于压接式功率器件的热阻测试。
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公开(公告)号：CN103545269A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310341881.9
申请日：2013-08-07
Abstract: 本发明涉及微电子封装技术领域，具体涉及一种大功率压接式IGBT封装模块。上端盖子、子模块、门极针、下端底座，上端盖子盖于下端底座上，所述子模块设置于上端盖子和下端底座之间，所述门极针设置于下端底座中绝缘底板的凹槽内。所述子模块包括顶部钼片、芯片、底部钼片、导电银片和PBI高性能塑料框架，在所述PBI高性能塑料框架的槽面内顶部钼片、芯片、底部钼片和导电银片自上到下依次压接，所述顶部钼片的上表面与上端盖子的下表面电极接触，所述子模块里导电银片的下表面与下端底座中凸台的上表面压接。本发明具有制作和装配更加简便、连接的可靠性更好、散热性能更好等优点。
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公开(公告)号：CN207623447U
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201721744068.6
申请日：2017-12-14
Applicant: 国家电网公司 , 国网河北省电力公司 , 河北省送变电有限公司
IPC: G01R31/06
Abstract: 本实用新型涉及一种电流互感器极性测试装置，属于电力系统测试设备技术领域。一种电流互感器极性测试装置，包括用于产生脉冲信号的单片机控制系统、功率放大器以及万用表；单片机控制系统的输出端与功率放大器的输入端连接，功率放大器的输出端连接到电流互感器穿过的一次设备的导线两端，万用表连接电流互感器的二次出线两端。本实用新型使用单片机控制系统或干电池控制电路自动产生脉冲信号使电流互感器产生感应电流，通过万用表的指针偏向判断电流互感器的极性，该装置操作简单，自动化程度高；能够保证测试的准确性，使用该装置能够大幅降低工作人员的劳动强度，测试时间也相应降低，测试效率提高，该装置测试准确率能够达到100%。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN205177819U
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201520956426.4
申请日：2015-11-26
IPC: H01L23/488 , H01L23/49 , H01L21/60 , H01L29/739
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本实用新型提供了一种预封装单芯片，所述预封装单芯片包括外壳，位于芯片两面的大小钼片，其侧面的键和线以及引脚。本实用新型的预封装单芯片可以方便地进行性能测试，避免了环境对芯片造成的污染和损坏，且不会对其性能造成影响，经测试合格的预封装芯片可直接采用压接或焊接的方式组装为大功率器件，便于标准化生产。
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公开(公告)号：CN204230238U
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201420721791.2
申请日：2014-11-26
IPC: H01L25/11 , H01L23/04 , H01L23/367
Abstract: 本实用新型涉及一种大功率压接型IGBT模块，模块由子单元壳体(1)和子单元壳盖组件(2)组成气密性封装壳体。至少一个半导体芯片(1-1)与第一辅助件(1-6)、至少一个第二辅助件(1-2)、至少一个第三辅助件(1-3)形成的夹层结构布置在子单元壳体(1)与子单元壳盖组件(2)之间的气密性壳体内。不少于一个的上述子单元平行排布在模块外壳(3)中形成大功率IGBT模块。本实用新型涉及的IGBT模块具有低热阻，高可靠性及适于串联使用的优点。
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公开(公告)号：CN206148403U
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201620356492.2
申请日：2016-04-25
Applicant: 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本实用新型提供了一种基于开关特性测量的IGBT芯片筛选结构，包括上端盖、下端盖和发射极金属电极；上端盖和下端盖均为凹形盖，上端盖和下端盖的两侧壁通过外框架弹簧连接形成一个长方体框架；发射极金属电极设置在长方体框架内，其包括圆盘形金属电极，及相对该圆盘形金属电极的中心轴对称分布的多个凸台，凸台上放置IGBT模块；圆盘形金属电极布置在下端盖上，其上面和侧面分别设置有一个栅极PCB板和一个辅助栅极/发射极端子。与现有技术相比，本实用新型提供的一种基于开关特性测量的IGBT芯片筛选结构，可以在主回路参数一致的条件下，测量多个并联的IGBT芯片的开关波形，从而综合评价芯片的动静态参数是否一致。
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公开(公告)号：CN203351576U
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201320287253.2
申请日：2013-05-23
IPC: H01L23/16 , H01L23/48 , H01L23/367
Abstract: 本实用新型涉及一种全压接式绝缘栅双极晶体管器件。该器件包括芯片（1）、与所述芯片（1）轴向垂直、依次对称设置在芯片（1）上下的辅助件（2）和接触电极（3）；对称接触电极（3）通过外壳（4）相互连接，所述辅助件（2）上设有金属盖（5）。该器件通过所述金属盖（5）可以消除全压接式器件长期使用存在的结构隐患，提高了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN206148429U
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201620356491.8
申请日：2016-04-25
Applicant: 华北电力大学 , 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司
IPC: H01L25/11 , H01L23/528
CPC classification number: H01L2224/0603 , H01L2224/4846 , H01L2224/48472 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/49175
Abstract: 本实用新型提供了一种便于串联使用的大功率IGBT模块，包括功率子单元、金属电极板和外部管壳；金属电极板设置在外部管壳的底部；外部管壳包括两列方形框架；两列方形框架之间留有空间形成一个条状框架；功率子单元设置在方形框架内且与金属电极板紧密接触，其包括金属端盖、栅极PCB板、辅助栅极PCB板和多个功率半导体芯片；辅助栅极PCB板设置在条状框架内；金属端盖、金属电极板和栅极PCB板分别与功率半导体芯片的集电极、发射极和栅极电气连接。与现有技术相比，本实用新型提供的一种便于串联使用的大功率IGBT模块，既有利于功率半导体器件的串联，同时不需要太大的钳位压力，降低了功率半导体器件在实际应用过程中对机械结构的要求。
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