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公开(公告)号：CN102976393A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210520733.9
申请日：2012-12-06
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种羟基氧化镓纳米晶体的制备方法属于羟基氧化物纳米材料制备的技术领域。采用反应釜密封加热醇解的方法以及液-液界面反应的原理，通过向放置在超声仪中的氯化镓的苯溶液中逐滴滴入甲醇，再将混合后的溶液密封低温加热反应，所制备的样品为白色粉体。在优选的条件下制备出表面光滑、形貌完整、尺寸均一的纳米刷形貌的晶体。本发明首次采用醇解反应的方法进行羟基氧化镓纳米晶体的合成，克服了氯化镓极易吸水潮解的缺点，无需调节pH值、无需真空环境即可操作完成；明显抑制氯化镓的反应速度，使生成的羟基氧化镓形貌更易控制。并且本发明方法制得的产物产量大、纯度高；制备方法简单、重复性好、成本低。
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公开(公告)号：CN101531350B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200910066831.8
申请日：2009-04-16
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B21/068 , B82B1/00 , B82B3/00
Abstract: 本发明的氮化硅纳米梳及其制备方法属于纳米材料及制备的技术领域。纳米梳中纳米线是由Si3N4组成的，纳米线阵列形成梳状。制备方法是采用直流电弧放电装置；以硅粉、碳粉和二氧化硅粉为原料，压成混合粉块；放入直流电弧发电装置，充入氮气至气压为10～30kPa，在电压20～40V电流80～120A条件下，放电反应5～10分钟，制得白色粉末的氮化硅纳米梳。本发明方法简单、环保、低成本；纳米线制备具有产量高、反应迅速、可重复性高、样品纯度高等优点；产品在量子元器件，光致发光，纳米机电系统等方面有应用潜力。
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公开(公告)号：CN101508427B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200910066671.7
申请日：2009-03-23
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B21/072
Abstract: 本发明的一种氮化铝单边纳米梳及其制备方法属于纳米材料及其制备的技术领域。氮化铝单边纳米梳由纳米线阵列形成的单边梳状结构，纳米线在中间主干一侧生长出来；纳米线由六方纤锌矿晶体结构的AlN构成；纳米线的直径一般约为50～80nm，长度约1～1.5μm。制备方法是采用直流电弧放电装置，在高温低压系统条件下，使金属铝直接与氮气和氨气的混合气体发生反应，制备出白色的纳米梳样品。本发明首次合成出纯度高排列较均匀的AlN单边纳米梳结构；制备方法简单，重复性好，时间短，成本低，对环境友好；将会在激光干涉/耦合、纳米激光器阵列、纳米机电系统等方面有应用前景。
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公开(公告)号：CN101531350A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200910066831.8
申请日：2009-04-16
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B21/068 , B82B1/00 , B82B3/00
Abstract: 本发明的氮化硅纳米梳及其制备方法属于纳米材料及制备的技术领域。纳米梳中纳米线是由Si3N4组成的，纳米线阵列形成梳状。制备方法是采用直流电弧放电装置；以硅粉、碳粉和二氧化硅粉为原料，压成混合粉块；放入直流电弧发电装置，充入氮气至气压为10～30kPa，在电压20～40V电流80～120A条件下，放电反应5～10分钟，制得白色粉末的氮化硅纳米梳。本发明方法简单、环保、低成本；纳米线制备具有产量高、反应迅速、可重复性高、样品纯度高等优点；产品在量子元器件，光致发光，纳米机电系统等方面有应用潜力。
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公开(公告)号：CN117416980A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311070693.7
申请日：2023-08-24
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种g‑C3N4/γ‑AlOOH纳米复合材料及其制备方法属于纳米复合材料的制备技术领域，所述纳米复合材料是由g‑C3N4纳米片与γ‑AlOOH纳米带复合而成，所述制备方法包括以下步骤：采用溶剂热法制备纳米带状γ‑AlOOH，煅烧法制备g‑C3N4，将g‑C3N4与γ‑AlOOH通过球磨法进行研磨得到g‑C3N4/γ‑AlOOH纳米复合材料。本发明制备的纳米复合材料具有良好的稳定性和重复利用性，制备工艺简单、经济、高效，拥有良好的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114014351B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202111424410.5
申请日：2021-11-26
Applicant: 吉林大学
IPC: C01G9/00
Abstract: 本发明的一种Cu3Zn(OH)6Br2晶体及其制备方法属于磁性材料制备的技术领域。以碱式碳酸铜粉末、溴化锌粉末为原料，首先配置醇水溶液，再将碱式碳酸铜粉末和溴化锌粉末加入醇水溶液中，在磁力搅拌器中搅拌10分钟后，将得到的混浊液置于反应釜中在180～200℃下密封反应4～8小时；冷却至室温，固液分离，研磨后得到Cu3Zn(OH)6Br2晶体材料。本发明的方法操作简单易行、重复性好、成本低廉、反应物毒性小；制备出Cu3Zn(OH)6Br2晶体具有产量高、纯度高等优点。
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公开(公告)号：CN114988459B
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202210809949.0
申请日：2022-07-11
Applicant: 吉林大学
IPC: C01G11/00
Abstract: 本发明的一种羟基氯化镉中空六棱锥微米材料及其制备方法属于IIB族羟基氯化物材料制备技术领域。所述羟基氯化镉具有层状塔形的中空六棱锥形貌，棱长为6～13μm；内部中空，壁厚为0.4～0.8μm，锥底空腔直径为1.1～2.1μm，椎尖空腔直径为0.3～0.6μm。制备方法为：以二水合乙酸镉、尿素、氯化钠为原料，在90℃下密封反应4～8小时；冷却至室温，将产物离心清洗、干燥、研磨后得到白色粉末样品。本发明的羟基氯化镉结构新颖，制备方法简单，反应条件温和，重复性好。制备出的Cd(OH)Cl结晶性好，纯度高，为进一步研究镉的化合物的应用奠定基础。
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公开(公告)号：CN114988459A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210809949.0
申请日：2022-07-11
Applicant: 吉林大学
IPC: C01G11/00
Abstract: 本发明的一种羟基氯化镉中空六棱锥微米材料及其制备方法属于IIB族羟基氯化物材料制备技术领域。所述羟基氯化镉具有层状塔形的中空六棱锥形貌，棱长为6～13μm；内部中空，壁厚为0.4～0.8μm，锥底空腔直径为1.1～2.1μm，椎尖空腔直径为0.3～0.6μm。制备方法为：以二水合乙酸镉、尿素、氯化钠为原料，在90℃下密封反应4～8小时；冷却至室温，将产物离心清洗、干燥、研磨后得到白色粉末样品。本发明的羟基氯化镉结构新颖，制备方法简单，反应条件温和，重复性好。制备出的Cd(OH)Cl结晶性好，纯度高，为进一步研究镉的化合物的应用奠定基础。
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公开(公告)号：CN113353966B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202110748162.3
申请日：2021-07-02
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种羟基氟氯化铜纳米片及其制备方法，属于IB族羟基氟氯化铜纳米片材料的制备领域。所述的羟基氟氯化铜纳米片，是以化学计量数为4:6:1:1的比例构成的化合物Cu4(OH)6FCl，具有六边形纳米片形貌。制备方法包括：首先将氯化铜固体颗粒和六次甲基四胺颗粒加入到去离子水中，搅拌10分钟，然后加入氟化钠颗粒继续搅拌10分钟，将得到的混合溶液在135～195℃下密封反应2～3小时；冷却至室温，将产物离心清洗、干燥、研磨后得到蓝色的羟基氟氯化铜纳米片粉末。本发明的方法流程简单、成本低廉；制备出样品具有产量高、分散性好等优点。
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公开(公告)号：CN109694096B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201910035870.5
申请日：2019-01-15
Applicant: 吉林大学
IPC: C01F7/02
Abstract: 本发明的一种γ‑AlOOH片状单晶及其制备方法，是属于ⅢA族羟基氧化物材料的制备领域。本发明方法制备的γ‑AlOOH片状单晶，结晶度高、透明，具有类似云母薄片的形貌，在X射线衍射谱上表现出属于勃姆石结构的强而锐的衍射峰，表面的线度在毫米到厘米量级，并且在可见光波段具有良好透明性；其制备方法是以无水氯化铝、无水乙醇为原料，在反应釜中密封加热，反应结束后，将胶状产物用超声处理后，移入蒸发皿中缓慢烘干脱水，即得到大面积γ‑AlOOH片状单晶。本发明制备方法产物纯度高、重复性好、成本低。本发明合成的γ‑AlOOH片状单晶对今后新型二维材料的形成提供有利依据。
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