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公开(公告)号：CN102153089B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110131546.7
申请日：2011-05-19
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种冶金法N型多晶硅片磷吸杂方法，涉及一种多晶硅。提供一种吸杂效果较好、成本较低、操作简单，适合工业化生产的冶金法N型多晶硅片磷吸杂方法。将冶金法N型多晶硅片清洗，烘干；将得到的硅片在700～1200℃的温度下通入气体进行磷扩散吸杂热处理，然后冷却硅片；将得到的硅片浸泡在HF溶液中；将硅片用酸腐蚀液腐蚀吸杂层，清洗后吹干，烘烤，得磷吸杂后的多晶硅片。
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公开(公告)号：CN101555015B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200910111808.6
申请日：2009-05-19
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种多晶硅的除硼提纯方法及装置，涉及一种多晶硅。提供一种低成本，工艺简单，适合产业化推广的多晶硅的除硼提纯方法及装置。多晶硅除硼提纯装置设有真空系统、中频感应熔炼系统、二次加料装置、多孔旋转喷嘴和浇注用石墨模具。将造渣剂预熔，所得矿渣装入加料仓；金属硅放入石墨坩埚，抽真空，接中频感应线圈电源，加热熔化金属硅后使硅液保持在1500～1800℃，将多孔旋转喷嘴降至硅液表面上方预热，通反应气体；旋转加料仓，加入造渣剂，将多孔旋转喷嘴降至石墨坩埚中，启动旋转叶片；待通气造渣完成后，关闭旋转叶片，升起多孔旋转喷嘴，关闭气源，将硅液倒入石墨模具静置，冷却后取出硅锭，去除杂质富集部分，得多晶硅锭。
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公开(公告)号：CN101628719B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200910112398.7
申请日：2009-08-19
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 真空感应熔炼去除硅中磷杂质的方法，涉及一种硅提纯方法。提供一种真空感应熔炼去除硅中磷杂质的方法。将多晶硅放入坩埚中，抽真空，预热后关闭粗抽阀，开启扩散泵阀门抽真空，接通中频感应加热电源，坩埚开始感应生热，对坩埚内的硅原料进行低温预热，当温度上升到600℃时，硅自身感应生热；增加中频加热功率为50～200kW，当温度达到1415℃以上时，硅开始熔化；熔化后，调节中频加热功率，使硅液温度控制在1550～1850℃；待温度稳定后，将真空度控制在1.2×10-2～1.0×10-1Pa；开始计时，保温时间为45～120min；在水冷铜盘中通入循环水，然后将熔炼完成的硅液浇注入模具中，快速凝固，即完成。
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公开(公告)号：CN101870472A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010109835.2
申请日：2010-02-09
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种采用稀土氧化物去除工业硅中硼磷杂质的方法，涉及一种半导体材料工业硅。提供一种采用稀土氧化物去除工业硅中硼磷杂质的方法。将工业硅原料和造渣剂放进石墨坩埚；抽真空，启动中频感应电源加热，使石墨坩埚中的硅料和渣料熔化；待石墨坩埚内物料全部熔化后，将坩埚上方的石墨通气棒预热；向体系中开始通入惰性气体，待预热充分后将通气棒开始通气搅拌；渣过程中，通过调整中频功率，使反应温度为1550～1850℃；待造渣充分后将通气棒升离坩埚，然后通过翻转浇铸将硅液倒入石墨模具中，静置，冷却后取出硅锭，去除头尾杂质富集部分，得到提纯后的多晶硅锭，测量熔炼后的硼、磷杂质含量。
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公开(公告)号：CN101844768A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010177776.2
申请日：2010-05-20
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种冶金级硅中磷和硼的去除方法，涉及一种冶金级工业硅的提纯。提供一种具有投资较少、生产成本较低、环境污染较小等优点的冶金级硅中磷和硼的去除方法。将块状硅料装入熔炼炉中熔炼，再将造渣剂覆盖在块状硅料上，得硅块混料；对熔炼炉抽真空，当真空抽至800～1200Pa时停止抽气，再充氩气至8000～12000Pa后停止充氩气；将硅块混料加热融化，通入水蒸气，再将熔化的混料浇注在熔炼坩埚下方的承接石墨坩埚上，冷却后，取出硅料；将造渣后的硅料破碎磨粉，得硅粉；将硅粉用盐酸浸泡；将盐酸浸泡后的硅粉用稀王水浸泡；将稀王水浸泡后的硅粉用氢氟酸浸泡，得已去除磷和硼的冶金级硅。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101719504A
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200910112909.5
申请日：2009-12-03
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L27/144 , H01L31/08 , H01L21/822 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 用于光电单片集成的硅基光电探测器及其制备方法，涉及一种硅基光电单片集成电路。提供一种与商业的BCD标准工艺完全兼容的用于光电单片集成的硅基光电探测器及其制备方法。硅基光电探测器设有P型硅衬底、BN+、BP+、N-EPI外延层、N阱、P阱、P+、N+、Al层、场氧层、SiO2绝缘介质层和Si3N4表面钝化层，P型硅衬底、BN+、BP+、N-EPI外延层、N阱、P阱、P+、N+设于同一硅片上，场氧层是在硅片表面生成的氧化硅层，金属铝层沉积在硅片表面，按制备顺序从下至上共3层SiO2绝缘介质层通过沉积工艺附着在硅衬底上、Si3N4表面钝化层通过沉积工艺附着在SiO2绝缘介质层上。
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公开(公告)号：CN101671023A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910112546.5
申请日：2009-09-15
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种多晶硅除硼提纯方法，涉及一种多晶硅的除硼提纯工艺。提供一种高效，低成本，操作简单，适合大规模工业化生产的多晶硅除硼提纯方法。选用金属硅为原料；将原料金属硅放入石墨坩埚中，抽真空，启动中频感应电源加热，使石墨坩埚中的金属硅熔化；当硅全部熔化后，向体系中通入惰性气体，提高电源功率，使硅液温度保持在1500～1600℃，加入预熔过的第一种助渣剂反应，进一步提高电源功率，使硅液温度保持在1600～1700℃，再加入预熔后的第二种助渣剂；待造渣完成后，将硅液倒入浇注用坩埚中，静置，冷却后取出硅锭，得到提纯后的多晶硅锭。
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公开(公告)号：CN100370619C
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200510118918.7
申请日：2005-10-26
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L27/14
Abstract: CMOS硅双光电探测器及其制备方法，涉及一种光电集成电路，尤其是涉及一种CMOS硅双光电探测器。提供一种与商业CMOS工业完全兼容的CMOS硅双光电探测器及其制备方法。设有P型硅衬底、N阱、P阱、P型重掺杂硅、N型重掺杂硅、金属铝、场氧层、SiO2绝缘介质层(按制备顺序从下至上共3层)和Si3N4表面钝化层，其中P型硅衬底、N阱、P阱、P型重掺杂硅和N型重掺杂硅设于同一硅片材料上，场氧层为对硅片进行氧化在硅片表面生成的氧化硅，金属铝为通过溅射工艺沉积在硅片表面SiO2绝缘介质层通过沉积工艺附着在硅衬底上、Si3N4表面钝化层通过沉积工艺附着在SiO2绝缘介质层上。
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公开(公告)号：CN101054178A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200710105965.7
申请日：2007-06-04
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 多晶硅的除硼方法，涉及一种多晶硅，尤其是涉及一种方法简易、成本低、污染少的去除多晶硅中的硼杂质的方法。提供一种方法简易、成本低、工艺安全和较少污染的多晶硅的除硼方法。步骤为：将多晶硅块粉碎，球磨，筛选得硅粉；将硅粉用有机溶剂去油处理，并去除硅粉中的铁粉；将去油除铁的硅粉放到容器内，再将容器放到高温炉内，进行湿氧氧化，再冷却；将冷却后取出的硅粉放入氢氟酸溶液中腐蚀，去除样品表面的氧化层；用水反复清洗硅粉至流出的水显中性为止，将硅粉去水干燥，得目标产品。经过对硅粉样品的光谱分析表明，可一次将硅粉原料中的硼含量降低1～3倍，与酸洗提纯工艺完全兼容，也可有效地除铝。
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公开(公告)号：CN1819115A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200510129962.8
申请日：2005-12-16
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/225
Abstract: 一种开管锌扩散方法，涉及一种化合物半导体外延片扩散方法，尤其是涉及一种以掺在有机硅胶中的锌一类金属作为扩散源，在开管通氮气氛围将锌一类杂质扩散到砷化镓化合物半导体外延片中的方法。提供一种新的开管锌扩散工艺。步骤为将锌粉掺入有机硅胶中得含锌的有机硅胶；在化合物半导体片上涂敷上一层含锌有机硅胶作为扩散源，匀胶后在样片上涂敷上有机硅胶，烘干；以惰性气体为保护气体进行扩散，扩散温度为550～620℃；除去表面涂层和有机硅胶层，即得目标产物。不需特殊设计的扩散室和复杂繁琐的真空处理，没有扩散室污染问题：工艺条件要求低，热处理设备简单，生产周期短，容易操作，稳定可靠，成本低。
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