公开(公告)号：CN1819115A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200510129962.8

申请日：2005-12-16

Applicant: 厦门大学

Inventor： 肖雪芳 ,  谢生 ,  陈朝 ,  陈良惠

IPC: H01L21/225

Abstract: 一种开管锌扩散方法，涉及一种化合物半导体外延片扩散方法，尤其是涉及一种以掺在有机硅胶中的锌一类金属作为扩散源，在开管通氮气氛围将锌一类杂质扩散到砷化镓化合物半导体外延片中的方法。提供一种新的开管锌扩散工艺。步骤为将锌粉掺入有机硅胶中得含锌的有机硅胶；在化合物半导体片上涂敷上一层含锌有机硅胶作为扩散源，匀胶后在样片上涂敷上有机硅胶，烘干；以惰性气体为保护气体进行扩散，扩散温度为550～620℃；除去表面涂层和有机硅胶层，即得目标产物。不需特殊设计的扩散室和复杂繁琐的真空处理，没有扩散室污染问题：工艺条件要求低，热处理设备简单，生产周期短，容易操作，稳定可靠，成本低。

公开(公告)号：CN100389483C

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：CN200510129962.8

申请日：2005-12-16

Applicant: 厦门大学

Inventor： 肖雪芳 ,  谢生 ,  陈朝 ,  陈良惠

IPC: H01L21/225

Abstract: 一种开管锌扩散方法，涉及一种化合物半导体外延片扩散方法，尤其是涉及一种以掺在有机硅胶中的锌一类金属作为扩散源，在开管通氮气氛围将锌一类杂质扩散到砷化镓化合物半导体外延片中的方法。提供一种新的开管锌扩散工艺。步骤为将锌粉掺入有机硅胶中，按质量比锌粉∶有机硅胶＝1∶(1～2)，得含锌的有机硅胶；在化合物半导体外延片上涂敷上一层含锌的有机硅胶作为扩散源，匀胶；在化合物半导体片上涂敷一层未含锌的有机硅胶作为防止锌挥发的屏蔽膜，匀胶后烘干；将所得的化合物半导体片以惰性气体为保护气体进行扩散，扩散温度为550～620℃；除去表面涂层，再去除还黏附的含锌的有机硅胶扩散源层，即得目标产物。