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公开(公告)号：CN112034027A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010918276.3
申请日：2020-08-29
Applicant: 南京航空航天大学
IPC: G01N27/30 , G01N27/333 , G01N27/48 , B82Y15/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种用于检测废水中氨氮离子含量的传感电极及其制备方法，包括以下步骤：(1)将多孔纳米片状CZTS粉末样品超声分散于壳聚糖-醋酸溶液，得CZTS-壳聚糖-醋酸混合液；(2)将CZTS-壳聚糖-醋酸混合液滴涂于玻碳电极表面；(3)干燥处理所述玻碳电极。该电极的最低检出限为30.0μmol/L(S/N＝10)。因此，该方法在0.5mmol/L H2SO4基液中对氨氮离子含量的测定获得了成功。
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公开(公告)号：CN110444630A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201810434714.1
申请日：2018-05-04
Applicant: 南京航空航天大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236 , C30B33/10
Abstract: 本发明涉及一种室温下快速减薄与制绒晶硅的方法。减薄与制绒时均采用金属铜作为腐蚀催化剂，通过调节腐蚀溶液中ρ值(ρ＝[HF]/([HF]+[H2O2])，在室温下实现快速减薄制作超薄晶硅材料后再在其表面快速制作减反射绒面，可用于高效超薄单晶硅太阳电池的制作。本发明的优点在于：在室温下晶硅减薄与制绒速率非常快，通过ρ值的调节能够改变减反射绒面的形貌，从减反射复合倒金字塔结构、小倒金字塔结构到大倒金字塔结构，是一种具有应用价值的快速减薄与制绒晶硅材料的技术。
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公开(公告)号：CN110444629A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201810434642.0
申请日：2018-05-04
Applicant: 南京航空航天大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236 , C30B29/06 , C30B33/10
Abstract: 本发明涉及一种协助铜催化腐蚀制备黑硅的方法，其包括如下步骤：(1)用化学溶液腐蚀法去除硅片表面损伤层；(2)将硅片置入金属催化腐蚀溶液中腐蚀2～30min；(3)采用清洗剂去除硅片表面残留的金属颗粒。其特征在于金属催化腐蚀液的成份为：硝酸铜0.005-0.1mmol/L，硫酸镍0.005-0.1mmol/L，氧化剂1-8mol/L，氢氟酸1-10mol/L，去离子水。本发明所提供的镍协助铜催化腐蚀制备黑硅一步法的工艺简单，时间短，无需加热，有利于降低生产成本，可用于晶硅太阳电池规模化制绒。
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公开(公告)号：CN109680340A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201910148247.0
申请日：2019-02-27
Applicant: 南京航空航天大学
IPC: C30B33/12 , C30B29/06 , H01L31/18 , H01L31/0236
CPC classification number: C30B33/12 , C30B29/06 , H01L31/02363 , H01L31/1804
Abstract: 本发明涉及一种便于控制酸蒸汽温度和衬底初始温度的金刚线切割多晶硅片的制绒装置。该装置包括一个保温腔室的温度控制装置、一个产生稳定蒸汽的腐蚀液腔室、一个硅片的保温腔室和一个废蒸汽以及腐蚀副产物的处理与收集装置。保温腔室外面的加热装置为水浴或者油浴。腐蚀液蒸汽腔室与衬底保温腔室由可移动的密封盖隔离，废蒸汽与反应副产物回收装置与衬底保温腔室由导气管连接，温度控制装置的热电偶置于衬底保温腔室中。本发明主要是通过温度控制装置可以有效地控制硅片腐蚀之前的初始温度，而调节硅片距离蒸气腔室口的高度和蒸汽腔室温度，可更有效地控制硅片的腐蚀速率。本制绒装置操作简单，容易控制反应状态，在去除金刚线切割多晶硅片表面线痕的同时，可获得较低的反射率，有很好的应用价值。
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公开(公告)号：CN106229386B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201610898676.6
申请日：2016-10-14
Applicant: 南京航空航天大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236 , C30B33/10
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及一种低成本的制备黑硅结构的方法，属于光电技术领域。其方法步骤如下：(1)对溶液进行预清洗；(2)将清洗好的硅片置于H2O2、HF、AgNO3、Cu(NO3)2和超纯水的混合溶液中腐蚀以制备黑硅纳米减反结构；(3)采用纳米重构溶液对黑硅结构进行优化处理，形成均匀的倒金字塔结构。该发明采用Ag和Cu双金属辅助于多晶硅表面进行化学腐蚀，相对于现有的Ag辅助化学腐蚀，该发明使AgNO3消耗量降低几十倍以上，且工艺简单，降低了黑硅制备成本，可实现大面积黑硅的批量制备，并利用纳米重构溶液对黑硅结构进行优化处理的方法，在高转换效率的黑硅太阳电池制备中有巨大的应用潜力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105161572B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201510551031.0
申请日：2015-08-31
Applicant: 南京航空航天大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种铜锌锡硫(Cu2ZnSnS4)太阳电池吸收层的墨水多层涂敷制备方法，其包括如下步骤：(a)采用化学溶液法制备铜锌锡硫纳米颗粒并制成铜锌锡硫纳米墨水；(b)具有良好环境相容性的前驱体分子溶液墨水(含有Cu2+、Zn2+、Sn2+、S2‑的混合溶液)的制备；(c)采用旋涂法或喷涂法或刮涂法分别将铜锌锡硫纳米墨水和前驱体分子溶液墨水涂敷在衬底上，制备出铜锌锡硫预制薄膜；(d)在惰性气氛或硫气氛或硒气氛下退火制备高质量铜锌锡硫薄膜。本发明所提供的制备铜锌锡硫薄膜方法不需要昂贵的设备与原材料，且工艺稳定性好，易于大规模生产，制备的高质量铜锌锡硫薄膜可用于高效铜锌锡硫薄膜太阳电池制作。
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公开(公告)号：CN106282925A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610855569.5
申请日：2016-09-27
Applicant: 南京航空航天大学 , 中利腾晖光伏科技有限公司
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/0036 , C23C14/086 , C23C14/165 , C23C14/185 , C23C14/5806
Abstract: 本发明公开了一种TCO/TiW透明导电薄膜及其制备方法，利用超薄TiW合金薄膜层作为扩散阻挡层改善TCO薄膜(如掺铟氧化锡(ITO)、掺铝氧化锌(AZO)或掺氟氧化锡(FTO)等三种薄膜)与p-Si等衬底的接触性能；并且通过TiW合金薄膜层的引入作为金属层，与TCO薄膜形成TCO/TiW双层薄膜，使薄膜的电学性能得到明显改善；TCO/TiW透明导电薄膜在显示器、太阳电池等半导体器件中具有巨大应用前景。一种TCO/TiW透明导电薄膜的制备方法，包括：在衬底的表面上沉积TiW合金，形成TiW合金薄膜层/衬底结构；再在所述TiW合金薄膜层的表面上沉积TCO透明导电氧化物，形成TCO薄膜层/TiW合金薄膜层/衬底结构。
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公开(公告)号：CN105256274A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510550954.4
申请日：2015-08-31
Applicant: 南京航空航天大学
IPC: C23C14/34 , C23C14/58 , C23C14/06 , H01L31/032
Abstract: 本发明公开一种衬底加热共溅射法制备铜锌锡硫薄膜的方法。本发明首先使用共溅射方法在加热衬底上沉积三层贫铜富锌/理想配比/贫铜富锌的铜锌锡硫预置层薄膜，然后将预置层薄膜在硫气氛中以特定的退火处理工艺得到铜锌锡硫吸收层。本发明的优点在于：原材料来源丰富且价格低廉、制备工艺简单、薄膜成分及厚度可控，相较于传统溅射预置层后硫化制备铜锌锡硫薄膜的方法，其元素分布，晶粒尺寸的均匀性有很大提高，在太阳电池材料与器件技术领域方面具有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN105140343A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510551033.X
申请日：2015-08-31
Applicant: 南京航空航天大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236 , C30B33/10
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/18 , C30B33/10 , H01L31/0236 , H01L31/02366
Abstract: 本发明公开一种用于高效太阳电池的多晶黑硅结构及其液相制备方法。其制备方法包括：(1)对硅片进行预清洗；(2)利用金属辅助化学腐蚀(MACE)技术，在硅片表面制备黑硅结构；(3)采用NSR(Nano-Structure-Rebuilding)溶液对黑硅结构进行优化处理。最后形成一种易于钝化的均匀分布的倒金字塔结构。本发明是一种利用NSR溶液对黑硅结构进行优化处理的方法，在高转换效率的多晶黑硅太阳电池制备中有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN102593246B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201210030399.9
申请日：2012-02-13
Applicant: 南京航空航天大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种低成本溶液方法制备太阳电池吸收层材料Cu2ZnSnS4的制备方法，属于太阳电池材料与器件技术领域。本发明首先使用连续离子层吸附沉积在衬底上沉积含铜、锡的二元或三元硫化物混合薄膜，随后再在其上使用化学浴沉积一层硫化锌薄膜得到前驱薄膜。将前驱薄膜在硫气氛中以一定的工艺退火处理得到Cu2ZnSnS4吸收层。本发明的优点在于：原材料来源丰富且价格低廉、无需复杂设备，制备工艺简单、制备成本低、薄膜成分及厚度可控。
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