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公开(公告)号：CN108363040A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810047028.9
申请日：2018-01-18
Applicant: 华南理工大学
IPC: G01S5/16
Abstract: 本发明公开了一种基于OFDMA技术的可见光室内定位方法，具体步骤包括：三个LED灯具的发送端分别分配有三个ID标识信号，三个ID信号分别经过OFDM调制模块进行相同点数的OFDM调制，三个调制后的ID信号在相互正交的子信道进行传输。在每个移动终端接收到信号后，经过接收电路进行放大、滤除噪声等处理后进入OFDM解调模块，通过OFDM解调模块解调出三个LED灯具发送的ID信号。根据接收到的LED灯具光信号的ID信息及其衰减大小，利用三角定位算法实现移动终端的精确定位。本发明采用可见光通信，在可见光波段无需频谱申请，而且使用目前商用的LED灯具光源，在满足照明的同时实现定位及通信，本发明具有系统硬件成本低、定位精度高、无电磁辐射、绿色安全等优点。
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公开(公告)号：CN107222125A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201710448215.3
申请日：2017-06-14
Applicant: 华南理工大学
IPC: H02N1/04 , H02N2/18 , H01L41/047 , B82Y30/00
Abstract: 本发明涉及镂空双圆环旋转式纳米发电机，包括定环、动环、转动机构；定环和动环中，一个在内圆周，一个在外圆周；动环在转动机构的作用下绕圆周相对于定环转动，定环和动环在同一径向方向重叠时，两者紧贴且相对运动，在摩擦效应和压电效应的双重作用下，镂空双圆环旋转式纳米发电机发电。还涉及镂空双圆环旋转式纳米发电机的发电方法。本发明可以多方向施加旋转作用力，解决外力施加方向单一的问题，可以大大提高纳米发电机的输出效率，属于纳米发电技术领域。
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公开(公告)号：CN105428419A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510981786.4
申请日：2015-12-22
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L51/05 , H01L21/336 , H01L21/34 , H01L51/40
CPC classification number: H01L29/78648 , H01L29/4908 , H01L29/78669 , H01L29/78678 , H01L29/7869 , H01L51/0554
Abstract: 本发明公开了一种电阻栅薄膜晶体管及其制备方法。电阻栅薄膜晶体管包括衬底、过渡层、栅端电极、电阻栅薄膜层、绝缘栅介质层、半导体有源层、源漏电极；所述电阻栅薄膜层位于栅端电极与绝缘栅介质层之间；所述栅端电极位于电阻栅薄膜层下方；所述源漏极在半导体有源层上，且源漏电极两端与两个栅端电极存在交叠区域。本发明可通过两个栅端电极偏压有效调控器件处于不截止、遥截止或锐截止转移特性,可根据实际应用需要获得所需的阈值电压、关态电流和跨导值，两个栅端电极可同时作为控制栅和信号栅使用，使电路得到简化，从而有效扩大了薄膜晶体管的应用范围，能有效地解决阈值电压漂移、大信号堵塞、自动增益控制动态范围窄等问题。
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公开(公告)号：CN105036058A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510278817.X
申请日：2015-05-27
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种集成化电容式微加工超声换能器的制备方法，包括以下步骤：在玻璃衬底上制备缓冲过渡层；制备薄膜晶体管的源、漏电极；制备薄膜晶体管的半导体有源层；制备薄膜晶体管的栅介质层；制备薄膜晶体管的栅电极；制备第一氮化硅薄膜，对第一氮化硅薄膜进行刻蚀，形成凹槽；在高掺杂硅基片上沉积第二氮化硅薄膜；将第一氮化硅薄膜和第二氮化硅薄膜通过晶片键合技术粘接，在两层氮化硅薄膜之间形成微空腔；对高掺杂硅基片进行刻蚀剥离；制备电容式微加工超声换能器的上电极；制备超声波耦合层。本发明还公开了上述方法制备的集成化电容式微加工超声换能器。本发明可以提高电容式微加工超声换能器的灵敏度和微型化，降低加工成本。
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公开(公告)号：CN104900707A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510280134.8
申请日：2015-05-27
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 本发明公开了双有源层结构氧化锌基薄膜晶体管，由下至上依次包括衬底、栅极、栅绝缘介质层、第一氧化锌基半导体有源层、第二氧化锌基半导体有源层、源极和漏极；栅极于衬底上形成，栅绝缘介质层覆盖栅极和衬底，有源层于栅绝缘介质层上形成；第二氧化锌基半导体有源层上设有源电极和漏电极；第一氧化锌基半导体有源层的掺杂元素为Ga、Al、Hf、In、Sn中的一种或两种；第二氧化锌基半导体有源层为掺硅氧化锌薄膜，且电阻值高于第一氧化锌基半导体有源层。本发明可以有效降低氧化锌基薄膜晶体管的关态电流，提高开关电流比，提高可见光范围内的透光性，改善器件的稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN221176226U
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202322361649.3
申请日：2023-08-31
Applicant: 中山市华南理工大学现代产业技术研究院 , 华南理工大学
Abstract: 本实用新型公开一种微尺寸LED正装阵列芯片。所述正装阵列芯片采用共阴极，阳极单独控制的方式。每个发光单元由GaN基外延层制备而成，从下到上依次设置有衬底、n‑GaN层、绝缘介质层、p电极，绝缘介质层设置有多量子阱层、p‑GaN层。本实用新型利用阳极电极与绝缘介质层构成侧壁场板，耗尽p‑GaN层边缘的载流子，降低器件边缘的空穴浓度；从而减弱器件边缘部分的非辐射复合，提高器件的空穴注入效率和外量子效率(EQE)。各个发光单元通过绝缘介质层和阳极电极相互隔离，可防止串扰，提高显示效果。
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公开(公告)号：CN220821600U
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202322375723.7
申请日：2023-09-01
Applicant: 中山市华南理工大学现代产业技术研究院 , 华南理工大学
Abstract: 本实用新型公开了具有反射镜结构的微米尺寸正装LED器件。所述器件基于GaN基外延层制备而成，从下到上依次设置有衬底、N型GaN层、多量子阱层、P型GaN层，在P型GaN层上表面沉积p电极。在刻蚀暴露出的N型GaN层表面，填充有曲面状的封装胶，曲面的内壁上沉积有金属反射层，封装胶与金属反射层构成反射镜结构；并在金属反射层和台面侧壁之间沉积有钝化层。本实用新型通过金属反射镜能够降低相邻Micro‑LED芯片相互之间的光学串扰，利用金属反射镜与绝缘介质层构成侧壁场板，耗尽P型GaN层边缘的载流子，降低器件边缘的空穴浓度。从而减弱器件边缘部分的SRH复合，提高器件的外量子效率(EQE)。
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公开(公告)号：CN208368513U
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201821130065.8
申请日：2018-07-17
Applicant: 中山市华南理工大学现代产业技术研究院 , 华南理工大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/423
Abstract: 本实用新型公开了基于金属氧化物/二氧化硅叠栅的GaN基MOS-HEMT器件；该器件包括AlGaN/GaN异质结外延层、第一栅介质层、第二栅介质层、栅电极和源漏电极；第一栅介质层为覆盖在AlGaN/GaN异质结外延层上的SiO2薄膜，第一栅介质层的厚度为5-15nm；第二栅介质层为覆盖在第一栅介质层上的金属氧化物薄膜，第二栅介质层的厚度为5-15nm；本实用新型采用金属氧化物/SiO2的叠层介质结构，减小了磁控溅射沉积高介电常数氧化物介质对外延的损伤，使其适用于GaN基HEMT器件的制备；同时弥补了SiO2介电常数低的缺陷，使器件整体栅极控制能力提高且有效降低了栅极漏电。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207835364U
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201820151830.8
申请日：2018-01-30
Applicant: 华南理工大学
IPC: H02N1/04
Abstract: 本实用新型涉及含有电子接收层的摩擦纳米发电机，包括在外力作用下发生接触/分离的正极性摩擦部分和负极性摩擦部分；正极性摩擦部分包括依次设置的第一衬底和第一电极，第一电极同时作为正极性摩擦层；负极性摩擦部分包括依次设置的第二衬底、第二电极、电介质层、电子接收层、负极性摩擦层；第一电极和第二电极之间产生交流电信号。本实用新型旨在提升摩擦纳米发电机的电荷捕获能力，属于新能源开发和纳米发电领域。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208998969U
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201821649476.8
申请日：2018-10-11
Applicant: 华南理工大学
IPC: G01L1/16
Abstract: 本实用新型公开了一种基于纳米压电材料的集成化柔性触觉传感器，由柔性基底、有机半导体薄膜层、源/漏电极、栅介质层、栅电极层、纳米压电薄膜层和上电极层构成；所述有机半导体薄膜层、源/漏电极、栅介质层、栅电极层构成有机半导体薄膜晶体管；所述纳米压电薄膜层为四脚针状氧化锌纳米结构压电薄膜层。本实用新型实现了高灵敏度、高分辨率、高信噪比和抗干扰能力强的集成化柔性触觉传感器，工艺简单、成本低廉并且可大面积阵列化制备，能广泛应用于电子皮肤和仿生机器人等多个领域。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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