一种直流激励磁场下的非侵入式快速温度变化的测量方法

    公开(公告)号:CN104132736A

    公开(公告)日:2014-11-05

    申请号:CN201410374814.1

    申请日:2014-07-31

    CPC classification number: G01K7/38 G01K7/36 G01R33/0213

    Abstract: 本发明公开了一种直流激励磁场下的非侵入式快速温度变化测量方法,包括:(1)将铁磁性粒子置于待测对象处;(2)对所述铁磁性粒子所在区域施加直流磁场使所述铁磁性粒子达到饱和磁化状态;(3)获得待测对象在常温下的稳态温度T1,根据所述稳态温度T1计算出铁磁性粒子的初始自发磁化强度M1;(4)当待测对象发生温度变化后,测量铁磁性粒子在温度变化后的磁化强度变化信号的幅值A,根据所述磁化强度变化信号的幅值A计算得到变化后的温度T2;(5)根据变化后的温度T2以及稳态温度T1,计算得到温度变化值ΔT=T2-T1。本发明能够在非侵入的情况下实现快速精确的温度测量,由此解决测温速度慢、精度低等的技术问题。

    基于磁纳米粒子交流磁化强度的在体温度测量方法及系统

    公开(公告)号:CN103156581B

    公开(公告)日:2014-10-29

    申请号:CN201310065896.7

    申请日:2013-03-01

    CPC classification number: A61B5/01 A61B5/0515 G01K7/36 G01K13/002 G06F17/16

    Abstract: 本发明公开了一种基于磁纳米粒子交流磁化强度的在体温度测量方法,属于纳米测试技术领域。本发明将磁纳米试剂置放于待测对象处,对磁纳米试剂所在区域施加交流激励磁场,采集交流激励磁场作用下磁纳米试剂的交流磁化强度,检测出交流磁化强度信号中各奇次谐波幅值,最后根据谐波和温度的关系式计算在体温度。本发明通过离散化朗之万函数和傅里叶变换预先建立各奇次谐波分量与在体温度关系式,通过该关系式求解在体温度,求解过程中无需考虑磁纳米粒子浓度信息及其有效磁矩随温度变化情况,便可实现在体温度的准确检测。

    一种磁纳米粒子粒径表征方法

    公开(公告)号:CN101726453B

    公开(公告)日:2011-04-20

    申请号:CN200910273185.2

    申请日:2009-12-10

    Abstract: 本发明公开一种磁性纳米粒子的粒径表征方法,在对分析模型的磁化曲线进行傅里叶分析的基础上,得出在给定容许误差下表征磁化曲线所需的最小离散化点数,然后在劳埃德-马克斯Lloyd-Max最优量化方法的基础上提出了一种基于误差加权的最优量化方法,将其应用在根据磁纳米粒子的磁化数值方程求解粒径分布函数的问题上,可降低矩阵方程的条件数,从而提高求解精度。

    一种磁纳米粒子X射线CT造影断层成像方法、装置及系统

    公开(公告)号:CN118319344B

    公开(公告)日:2024-08-09

    申请号:CN202410759779.9

    申请日:2024-06-13

    Inventor: 崔鑫超 刘文中

    Abstract: 本发明公开了一种磁纳米粒子X射线CT造影断层成像方法、装置及系统,属于磁纳米粒子成像领域,方法包括:使含有磁纳米粒子为造影剂的目标对象相对于X射线(存在与其轴线相平行的周期变化的激励磁场)旋转一周,记录每个角度下目标对象的多张连续的透射投影图像;对每个角度下的多张透射投影图像,进行图像后处理操作后,对所有角度下的磁纳米粒子造影成像投影图进行反投影变换,得到断层成像结果;图像后处理操作包括:时频变换:将三维时域矩阵的第三个维度转换到频域,得到三维频域矩阵;特征提取:沿三维频域图像矩阵的第三个维度选取频率为kf的二维矩阵;k为正整数;f为激励磁场的频率。本发明能够有效提高X射线断层成像对比度。

    一种基于磁光透射率的磁纳米粒子成像方法及装置

    公开(公告)号:CN115349844B

    公开(公告)日:2024-06-28

    申请号:CN202210829005.X

    申请日:2022-07-14

    Abstract: 本发明公开了一种基于磁光透射率的磁纳米粒子成像方法及装置,属于纳米材料测试技术领域。通过激光照射待检测目标区域,计算磁纳米粒子的第一透射光强,在外加磁场的作用下,利用磁纳米粒子的磁响应特性使得透过磁纳米粒子的光的透过率发生变化,通过计算变化后的第二透射光强,得到磁纳米粒子的磁光透射率,基于该磁光透射率与磁纳米粒子浓度及温度的关系,可以得到待检测目标区域内的磁纳米粒子的浓度及温度,进而实现对目标区域内磁纳米粒子成像。本发明结合了光学成像的高时空分辨优势,又能够实现在微量造影剂时对组织特异性的功能成像,成像方式简单且成像效果好。

    一种基于磁纳米粒子磁化响应的透射式高分辨率成像方法

    公开(公告)号:CN117169792B

    公开(公告)日:2024-05-14

    申请号:CN202311122825.6

    申请日:2023-08-30

    Abstract: 本发明公开了一种基于磁纳米粒子磁化响应的透射式高分辨率成像方法,属于磁纳米粒子成像领域,该方法包括:S1,对放置在目标区域的磁纳米粒子样品施加激励磁场使其磁化;S2,对磁化后的样品进行激光扫描;其中,所述激光的入射方向与所述激励磁场的方向平行;S3,根据各扫描点处出射激光、入射激光的电场分布与浓度、温度的关系式进行非线性拟合,得到各扫描点处的温度或浓度成像信息。该方法的成像分辨率取决于扫描的最小步长以及激光光斑尺寸,这两者都容易限制在100μm以下,因此相较于现有的MPI技术,本发明提供的方法能够提高成像分辨率。

    基于光弹调制磁光克尔光学系统的温度测量方法及装置

    公开(公告)号:CN117073862A

    公开(公告)日:2023-11-17

    申请号:CN202310873840.8

    申请日:2023-07-14

    Abstract: 本发明公开了一种基于光弹调制磁光克尔光学系统的温度测量方法及装置,属于磁光探测及温度测量技术领域,包括:S 1、调整所述起偏器和所述光弹调制器的光轴方位角,使所述光电探测器的探测光强只有直流分量;并设置所述检偏器的光轴方位角α小于45°,且在所述方位角α下,所述探测光强大于数据采集的量化误差;S2、根据所述探测光强,通过傅里叶变换,得到光强在光弹调制频率的直流幅值、一次谐波幅值、二次谐波幅值;S3、计算磁纳米薄膜样品的磁光信号;S4、改变所述磁纳米薄膜样品的温度,标定所述磁光信号MO(T)与温度T的数值关系。本发明能够直接基于光弹调制磁光克尔光学系统进行温度测量,对样品表面的温度测量能达到mK级别的分辨率。

    基于电子顺磁共振积分谱半高宽的磁纳米粒子测温方法

    公开(公告)号:CN114112097B

    公开(公告)日:2023-03-31

    申请号:CN202111489304.5

    申请日:2021-12-08

    Inventor: 刘文中 王帅

    Abstract: 本发明属于纳米材料测试技术领域,具体涉及一种基于电子顺磁共振积分谱半高宽的磁纳米粒子测温方法,通过测量磁纳米粒子液体样品顺磁共振波谱,经过积分得到其积分谱,然后提取其半高宽信息,根据半高宽的变化来进行温度测量,具体是先通过实验得到表征半高宽与温度之间的关系的温度测量模型,再利用待测样品的半高宽信息计算得到温度。磁纳米粒子具有超顺磁性,利用电子顺磁共振设备可以轻松得到其共振波谱。研究发现在粒子粒径分布一定的情况下,积分后的波谱半高宽变化只与温度有关,浓度变化不会对其造成影响,且积分操作可部分减少系统噪声带来的影响,使温度测量更加精准,故该方法可很好的适用于生命医学中,进行在体非侵入式温度测量。

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