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公开(公告)号：CN117572922A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311309914.1
申请日：2023-10-10
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明涉及集成电路领域，提供一种基准电压产生电路及芯片。所述基准电压产生电路包括电压缓冲器模块、高增益放大器模块、带隙基准电压模块以及高阶温度补偿模块。电压缓冲器模块同时为高增益放大器模块、带隙基准电压模块以及高阶温度补偿模块提供工作电压；带隙基准电压模块与高增益放大器模块以及电压缓冲器模块连接，用于产生温度补偿的基准电压；高阶温度补偿模块与带隙基准电压模块连接，用于消除带隙基准电压模块输出的基准电压的高阶温度项。本发明通过电压缓冲器模块提供稳定的工作电压，提升基准电压的电源抑制能力，通过高阶温度补偿模块消除基准电压的高阶温度项，从而生成具有低温度系数、高电源抑制特性的基准电压。
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公开(公告)号：CN117254806A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311264483.1
申请日：2023-09-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种模数转换器及其参考电压提供电路、处理器，其中，参考电压提供电路包括：电压提供单元，适于提供第一参考电压；缓冲单元，适于对第一参考电压进行缓冲处理，输出第二参考电压；切换单元，被配置为在模数转换器的高位电容组被切换时，切换第二参考电压向模数转换器的ADC采样通道提供电荷，并在模数转换器的低位电容组被切换时，切换第一参考电压向模数转换器的ADC采样通道提供电荷。该电路不会造成片外电容上的电压大幅下降，因此，不会造成ADC的精度下降。
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公开(公告)号：CN116937741A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310909198.4
申请日：2023-07-24
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种锂电池的浮充充电系统及方法，其中，浮充充电系统包括：主动均衡单元和控制单元，其中，主动均衡单元适于对锂电池进行均衡控制，控制单元与主动均衡单元相连，控制单元被配置为根据充电电源输出第一浮充电压，以对锂电池进行间歇充电，并在间歇期间，控制主动均衡单元对锂电池中待放电单元进行均衡放电，以输出第二浮充电压，第二浮充电压用于对锂电池进行回馈充电。该系统利用第一浮充电压对锂电池进行间歇充电，并在间歇期间，利用待放电单元的电能对锂电池进行回馈充电，降低浮充充电引起的电池的浓差极化和欧姆极化带来的影响，从而降低了浮充充电引起的活性锂离子损失。
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公开(公告)号：CN116643193A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310706878.6
申请日：2023-06-14
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G01R31/392 , G01R31/387 , G01R31/388 , G01R31/367
Abstract: 本申请公开了一种电池数据估计方法、装置、存储介质及电子设备，该方法包括：检测当前时刻的端电压和电流，并获取上一时刻估计的目标电池的内部温度和荷电状态；根据上一时刻估计的内部温度和荷电状态、当前时刻的端电压和电流、以及已创建的第一离散状态方程，估计该目标电池当前时刻的内部温度；根据上一时刻估计的荷电状态、当前时刻的内部温度、端电压和电流、以及已创建的第二离散状态方程，估计该目标电池当前时刻的健康状态；根据上一时刻估计的荷电状态、当前时刻的健康状态、当前时刻的内部温度和已创建的第三离散状态方程，估计该目标电池当前时刻的荷电状态，从而实现三者的联合闭环在线估计，提高了估计结果的准确性。
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公开(公告)号：CN116470869A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310204908.3
申请日：2023-03-03
Applicant: 北京智芯半导体科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 复旦大学
IPC: H03F3/217 , G01P15/125 , H03F3/45
Abstract: 本发明涉及芯片技术领域，公开一种寄生电容的消除电路、电容式微机电系统及芯片，所述消除电路包括：第一运算放大器；反馈电容，跨接在第一运算放大器的同相输入端与输出端之间，用于将第一运算放大器的输出信号反馈至所述第一运算放大器的同相输入端；以及第一开关电容电路，跨接在所述第一运算放大器的反相输入端与输出端之间，用于执行以下操作：接收时钟控制信号；以及根据所述时钟控制信号执行以下操作：在一周期的第一时段内进行放电，以及在该周期的第二时段内进行充电，以使得所述第一运算放大器的同相输入端产生对地的负电容，由此可有效地消除大范围内的寄生电容，从而提高电容式微机电系统的输出电压的摆幅和线性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115167608B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202210952558.4
申请日：2022-08-09
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 南开大学
IPC: G05F1/569
Abstract: 本公开涉及集成电路技术领域，具体涉及一种反向电压保护电路、电压调整电路、装置及芯片，所述反向电压保护电路包括：电流产生器，所述电流产生器由所述电压调整电路的输出电压Vout供电，以根据所述输出电压Vout产生第一电流；比较器，所述比较器比较所述电压调整电路的输入电压Vin和输出电压Vout，在所述输出电压Vout高于所述输入电压Vin时输出第一控制信号，其中，所述比较器的工作电流由所述第一电流提供；以及低压开关，所述低压开关的控制端连接于所述比较器的输出端，在所述比较器输出第一控制信号时接收所述第一控制信号，关断所述电压调整电路以实现反向电压保护。本公开提供的技术方案，能够在输出电压较低时仍能正常提供反向电压保护。
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公开(公告)号：CN115617115B
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202211344115.3
申请日：2022-10-31
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: G05F3/26
Abstract: 本公开涉及集成电路技术领域，具体涉及一种基准电压产生电路、芯片及电子设备，所述基准电压产生电路包括：参考电压产生电路，所述参考电压产生电路用于生成第一参考电压；稳压电路，所述稳压电路包括电压转换电路、拉电流稳压支路和灌电流稳压支路，其中：所述电压转换电路用于将所述第一参考电压转换成所述基准电压，并在所述基准电压产生电路接收到外部拉电流时，将所述基准电压转换为第一控制电压，在所述基准电压产生电路接收到外部灌电流时，将所述基准电压转换为第二控制电压；所述拉电流稳压支路接收所述第一控制电压，所述灌电流稳压支路接收所述第二控制电压，以对所述基准电压进行稳压，从而提高电路可靠性。
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公开(公告)号：CN115224932B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211021916.6
申请日：2022-08-24
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本公开涉及电路技术领域，具体涉及一种电荷泵电路、芯片及电子设备，所述电荷泵电路包括：至少两级电荷泵单元和辅助级单元；在所述至少两级电荷泵单元中，第i级电荷泵单元中第一N型场效应晶体管的体端与第i+1级电荷泵单元中第一N型场效应晶体管的漏端以及第i+1级电荷泵单元中第一P型场效应晶体管的漏端连接，第i级电荷泵单元中第二N型场效应晶体管的体端与第i+1级电荷泵单元中第二N型场效应晶体管的漏端以及第i+1级电荷泵单元中第二P型场效应晶体管的漏端连接。采用该方案，通过开关管的前馈体偏置电压，能够降低开关管导通状态下的阈值电压，使得开关管导通电阻变小，有利于电荷泵在超低电压下工作。
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公开(公告)号：CN115588969A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211326659.7
申请日：2022-10-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H02H7/20 , H03K17/687
Abstract: 本公开实施例公开了一种防止场效应晶体管漏电的电路、芯片及电子装置，该电路包括：MOSFET模块和衬底电压生成模块，MOSFET模块包括：第一电阻、第一开关和第一MOSFET，衬底电压生成模块的第一输入端与第一电压源连接、第二输入端与第二电压源连接、且输出端与第一MOSFET的衬底连接；第一MOSFET的源极与第一电压源连接、漏极与第二电压源连接、且栅极与第一电阻的第一端连接，第一电阻的第一端与第一开关的第一端连接，第一开关的第二端与电流源的一端连接，第一电阻的第二端与第一MOSFET的衬底连接。通过该电路结构，有效避免MOSFET的沟道漏电。
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