公开(公告)号：CN102214596B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201110139453.9

申请日：2011-05-26

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  诸葛菁 ,  樊捷闻 ,  艾玉杰 ,  王润声 ,  黄欣

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/8238 ,  B82B3/00

CPC classification number: H01L29/66439 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/775

Abstract: 本发明公布了一种以空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法。方法包括：隔离并淀积与Si有高刻蚀选择比的材料A；光刻定义Fin条硬掩膜；刻蚀材料A，形成Fin条的硬掩膜；源漏注入；光刻定义沟道区和大源漏区；形成Si Fin条和大源漏；去除材料A硬掩膜；形成纳米线；腐蚀SiO2，形成悬空纳米线；形成栅氧化层；淀积多晶硅；多晶硅注入；杂质激活退火；刻蚀多晶硅；淀积SiN；光刻定义栅线条；刻蚀SiN和多晶硅形成栅线条；将源漏与栅分离，之间区域为空气填充；淀积SiO2，形成空气侧墙；退火致密SiO2层；后续流程完成器件制备。本方法与CMOS工艺流程相兼容，空气侧墙的引入能有效减小器件的寄生电容，提高器件瞬态响应特性，适用于高性能逻辑电路应用。

公开(公告)号：CN102509698A

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN201110375066.5

申请日：2011-11-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  孙帅 ,  艾玉杰 ,  樊捷闻 ,  王润声 ,  许晓燕

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/033

Abstract: 本发明公开了一种利用trimming工艺及掩膜阻挡氧化相结合来制备超细线条的方法，该方法利用timming掩膜尺寸，同时利用掩膜来阻挡氧化相结合的方法来得到超细线条。采用此方法制备出的悬空超细线条直径可由淀积氧化硅的厚度、trimming后氧化硅线条的尺寸、湿法氧化的时间及温度来精确地控制在20nm以下，且湿法氧化速度很快，所以对普通光学光刻所产生的线条尺寸更快的缩小。同时利用此方法制备超细线条，成本低，可行性高。

公开(公告)号：CN102082096A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN201010506130.4

申请日：2010-10-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 艾玉杰 ,  黄如 ,  郝志华 ,  浦双双 ,  樊捷闻 ,  孙帅 ,  王润声 ,  安霞

IPC: H01L21/336 ,  B82Y40/00 ,  B82Y10/00

Abstract: 本发明公开了一种Ge或SiGe纳米线场效应晶体管的制备方法，首先在衬底上的隔离层上形成多晶硅栅；然后形成高K材料的栅介质层；再在栅介质层上淀积SiGe薄膜；对SiGe薄膜进行源漏掺杂后光刻定义出源漏区图形，并各向异性干法刻蚀SiGe薄膜，在多晶硅栅两侧形成SiGe侧墙，同时在栅长方向上SiGe侧墙的两头分别形成源区和漏区；最后对SiGe侧墙进行氧化，去掉表面形成的氧化层，得到Ge纳米线或高Ge含量的SiGe纳米线。该方法基于侧墙工艺和Ge聚集技术，在不采用先进光刻设备的条件下制备出Ge或SiGe纳米线场效应晶体管，制备成本低，而且与CMOS工艺完全兼容。