-
公开(公告)号：CN102491253A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110387142.4
申请日：2011-11-29
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种不等高硅结构的加工方法，其步骤为：(1)选用包括器件层、埋氧层和衬底层的硅基片；(2)在器件层表面生长一层氮化硅薄膜，采用光刻和干法刻蚀进行第一次光刻，制成与待加工硅结构形成互补的氮化硅区域；(3)对氮化硅区域内的器件层进行第二次光刻，以光刻胶和氮化硅为掩模进行硅各向异性刻蚀，在器件层形成硅槽，去除光刻胶；(4)对完成刻蚀硅槽的器件层进行氧化，在未被氮化硅覆盖的器件层表面生长出与氮化硅区域互补的氧化硅区域；(5)氧化后去除器件层表面的氮化硅，在器件层表面以氧化硅区域为掩模进行硅各向异性刻蚀至埋氧层，刻蚀出不等高硅结构；(6)去除硅基片的埋氧层，加工出可动的不等高硅结构。本发明可以广泛应用于微机电系统领域。
-
公开(公告)号：CN101876547B
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN200910241710.2
申请日：2009-12-08
Applicant: 北京大学
IPC: G01C19/56
Abstract: 本发明涉及一种采用静电平衡梳齿驱动器的水平轴微机械音叉陀螺，它包括衬底、一组以上的驱动电容、两检测质量块、驱动折叠梁、框架、一组以上的检测电容、检测折叠梁和锚点；每组驱动电容的一侧与相邻的检测质量块连接，检测质量块通过驱动折叠梁固定连接框架，框架分别连接检测电容和检测折叠梁，检测折叠梁连接固定在衬底上的锚点；每组驱动电容的另一侧依次通过驱动折叠梁和框架连接到检测折叠梁，检测折叠梁连接固定在衬底上的锚点。本发明由于采用的驱动可动梳齿与驱动固定梳齿沿Z轴方向厚度相同、位置不同、且对称分布，因此实现了有效地抑制从检测模态到驱动模态的耦合，提高了陀螺的灵敏度和分辨率。本发明可以广泛应用于各种领域中物体转动角速度的检测中。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102063057A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010529243.6
申请日：2010-10-28
Applicant: 北京大学
IPC: G05B11/42
Abstract: 本发明涉及一种微机械谐振式器件闭环驱动用的PID控制装置，其与一乘法器、一微机械谐振式器件、一前置读出电路、一滤波器和一幅度提取器构成一微机械谐振式器件闭环系统，其特征在于：所述PID控制装置由两个PID控制器和至少一个加法器构成，所述PID控制装置的输入端连接所述幅度提取器的输出端，所述PID控制装置的输出端连接所述幅度提取器的输入端。本发明能够使微机械谐振式器件的闭环系统同时满足跟踪性能和抗干扰性能，适用于谐振式微悬臂梁、微谐振器、微机械陀螺和谐振式微加速度计等微机械谐振式器件的闭环驱动控制。
-
公开(公告)号：CN101719434A
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200910241709.X
申请日：2009-12-08
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种微机械加速度锁存开关，它包括衬底，及相对于衬底x轴对称的多个锚点、触头、挠性梁和惯性质量块；各锚点固定连接在衬底上；触头包括动触头、两分别位于动触头上方两侧的顶触头、两分别位于动触头下方两侧的侧触头；动触头的顶部呈凸出的圆形弧面，两顶触头分别与动触头的圆形弧面对应，设置呈内凹的圆形弧面；挠性梁包括顶触头挠性梁、动触头挠性梁、侧触头挠性梁和四检测挠性梁，各顶触头挠性梁的两端分别连接锚点和顶触头；各动触头挠性梁两端分别连接动触头的一侧和锚点；每一侧触头挠性梁两端分别连接锚点和一侧触头；每一检测挠性梁两端分别连接惯性质量块的一侧和锚点。本发明结构简单，接触可靠性高，可以广泛应用在微机电系统领域中。
-
公开(公告)号：CN100513299C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200710121384.2
申请日：2007-09-05
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种微电子机械系统的圆片级真空封装及倒装焊方法，它包括如下步骤：对盖帽玻璃片进行打孔，但不打通；在盖帽玻璃片未打引线孔的一侧溅射钨(或铬)和金，并进行光刻和腐蚀，形成掩膜；用氢氟酸腐蚀玻璃腔体，同时将未穿通的引线孔腐蚀通；在玻璃腔体内溅射吸气剂；将MEMS器件结构圆片与盖帽玻璃片在高温、低压力下静电键合；在盖帽玻璃片上制作金属电极；在金属电极上制作金属凸点；将切片后的单个MEMS器件芯片与处理电路进行倒装焊封装。本发明方法封装可用于批量生产，保护MEMS器件芯片免受外界的污染和破坏，提高成品率。本发明可广泛应用于MEMS系统中。
-
公开(公告)号：CN100397616C
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200610114486.7
申请日：2006-11-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种可去除残余硅的体硅MEMS与CMOS电路集成的方法，其是在原有工艺步骤(6)之后，采取以下工艺步骤：(7)在硅片正面形成金属掩模层；(8)光刻定义出MEMS结构区，用腐蚀液腐蚀金属层，去除光刻胶；(9)在硅片背面形成金属掩膜层；(10)光刻残余硅区域，采用光刻胶形成光刻胶掩膜层；(11)用光刻胶掩膜层掩膜进行DRIE各向异性刻蚀直至露出硅片背面的铝衬底，再进行1～2分钟的各向同性刻蚀去除隔离槽残余硅；(12)干法去除光刻胶掩膜层，用铝掩膜图形和金属掩膜层作掩膜，DRIE刻蚀释放MEMS硅结构；(13)用腐蚀液腐蚀硅片背面的金属层，用腐蚀液腐蚀硅片正面的金属掩膜层；(14)裂片，封装和测试。本发明方法完善了现有技术，大大提高了单片集成MEMS传感器的精度和稳定性。
-
公开(公告)号：CN1949477A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200610114486.7
申请日：2006-11-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种可去除残余硅的体硅MEMS与CMOS电路集成的方法，其是在原有工艺步骤(6)之后，采取以下工艺步骤：(7)在硅片正面形成金属掩模层；(8)光刻定义出MEMS结构区，用腐蚀液腐蚀金属层，去除光刻胶；(9)在硅片背面形成金属掩膜层；(10)光刻残余硅区域，采用光刻胶形成光刻胶掩膜层；(11)用光刻胶掩膜层掩膜进行DRIE各向异性刻蚀直至露出硅片背面的铝衬底，再进行1～2分钟的各向同性刻蚀去除隔离槽残余硅；(12)干法去除光刻胶掩膜层，用铝掩膜图形和金属掩膜层作掩膜，DRIE刻蚀释放MEMS硅结构；(13)用腐蚀液腐蚀硅片背面的金属层，用腐蚀液腐蚀硅片正面的金属掩膜层；(14)裂片，封装和测试。本发明方法完善了现有技术，大大提高了单片集成MEMS传感器的精度和稳定性。
-
-
-
-
-
-
Search Results
67
records
(took 0.022 seconds)
