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公开(公告)号：CN104902671B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201510096498.0
申请日：2015-03-04
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H05K1/02
Abstract: 本发明涉及柔性印刷电路板和光电模块。一种柔性印刷电路板，包括：均包括导电部和覆盖该导电部的绝缘部的第一带状构件和第二带状构件；和包括导电部和覆盖该导电部的绝缘部的第一连接构件，该第一连接构件将第一带状构件的第一端和第二带状构件的第一端彼此连接。第一带状构件的导电部、第二带状构件的导电部和第一连接构件的导电部彼此连续。当第一连接构件弯曲，并且第一带状构件的第一端和第二带状构件的第一端彼此面对时，第一带状构件和第二带状构件能够被成线性布置。
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公开(公告)号：CN106663711B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201580037735.4
申请日：2015-07-06
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L31/05 , H01L31/054
Abstract: 一种发电模块包括配线基板和发电部(30)，发电部(30)包括发电元件(19)。配线基板包括：增强板；和设置在增强板上方的挠性印刷电路(79)。挠性印刷电路(79)具有：FPC平台部(70)，FPC平台部(70)上安装有发电部(30)；和FPC配线部(73)，FPC配线部(73)连接到FPC平台部(70)。FPC配线部(73)的宽度小于FPC平台部(70)的宽度。
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公开(公告)号：CN106028675A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610169285.0
申请日：2016-03-23
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明涉及柔性印刷电路接合结构和接合方法以及聚光型光伏模块。所述接合结构包括：接线盒，被配置为将装置的内部电路和外部导体彼此连接；金属电极，其在所述接线盒中并且被接合到所述外部导体；以及细片状的柔性印刷电路，所述柔性印刷电路形成所述内部电路并且具有将被接合到所述金属电极上的端部。所述金属电极具有将以重叠的方式被接合到所述端部上的接合部，并且确保所述接合部在被重叠在所述端部上之前的处在自由且单独的状态下的所述接合部具有的在该接合部和与该接合部相对的表面之间的间隙比所述端部(包括焊料)的厚度大，并且当所述接合部被按压时，所述接合部具有朝向所述相对的表面侧的可移动性。
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公开(公告)号：CN102612758B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201180004431.X
申请日：2011-05-19
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L31/10
CPC classification number: H01L31/035236 , B82Y20/00 , H01L31/03046 , H01L31/105 , H01L31/1844
Abstract: 提供一种半导体器件和光学传感器装置，每个都具有减小的暗电流和向着近红外中的更长波长扩展的探测灵敏度。而且，提供了一种半导体器件的制造方法。该半导体器件50包括：位于InP衬底1上的II型(InGaAs/GaAsSb)MQW结构的吸收层3，和位于MQW结构上的InP接触层5。在MQW结构中，GaAsSb的组分x(％)不小于44％，其厚度z(nm)不小于3nm，且满足z≥-0.4x+24.6。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104597588A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410598939.2
申请日：2014-10-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H02S40/22 , G02B19/0014 , G02B19/0042 , H01L31/0543 , H02S20/32 , Y02E10/52 , G02B3/0056 , G02B19/0076 , H02S20/00 , H02S40/00
Abstract: 本发明涉及聚光型光伏单元、聚光型光伏模块、聚光型光伏面板和聚光型光伏发电装置。在具有二次透镜的聚光型光伏光学系统中，增加了到达发电元件的光量，并且提高了发电效率。在构成为通过二次聚光部将由一次聚光部聚集的太阳光引导到发电元件的聚光型光伏单元中，二次聚光部包括：具有三维形状的二次透镜；以及半透明的并且折射率高于空气、低于二次透镜的覆盖部，所述覆盖部沿着所述二次透镜中的、至少太阳光入射的表面延伸，从而以薄膜状对该表面进行覆盖。通过布置大量的所述单元，能够构成聚光型光伏模块。通过布置大量的聚光型光伏模块，能够构成聚光型光伏面板。进一步地，通过设置用于跟踪太阳的驱动设备，能够构成聚光型光伏。
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公开(公告)号：CN102264295B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN200980152146.5
申请日：2009-07-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: A61B5/1455 , G01N21/35 , G01N21/47 , H01L31/10
CPC classification number: A61B5/1455 , A61B5/14532 , G01J3/0218 , G01J2003/2866 , G01N21/359 , G01N21/474 , H01L27/1446 , H01L31/035209 , H01L31/1035
Abstract: 本发明提供了一种生物成分检测装置，利用该装置，通过利用其中在无需使用冷却机构的情况下减小了暗电流的InP基光电二极管，能够以高灵敏度检测生物成分，并且光接收灵敏度提升到1.8μm或更大的波长。生物成分检测装置的特征在于，所述检测是通过接收具有至少一个3μm或更小的波长的光来进行的，所述光包括在生物成分的吸收带中包括的波长，在所述生物成分检测装置中，光接收层(3)具有由III-V族半导体的多量子阱结构，pn结(15)是通过在光接收层中选择性扩散杂质元素而形成的，并且光吸收层中杂质的浓度为不大于5×1016/cm3。
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公开(公告)号：CN101882571B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201010171268.3
申请日：2005-05-13
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02645 , H01L33/0075 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/12032 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供其尺寸适于半导体器件的III族氮化物半导体晶体及其有效的制造方法、III族氮化物半导体器件及其有效的制造方法、以及发光设备。制造III族氮化物半导体晶体的方法包括在开始衬底上生长至少一个III族氮化物半导体晶体的步骤、在III族氮化物半导体晶体衬底上生长至少一个III族氮化物半导体晶体层的步骤、以及从所述开始衬底分离由III族氮化物半导体晶体衬底和III族氮化物半导体晶体层所构成的III族氮化物半导体晶体的步骤，并且其特征在于所述III族氮化物半导体晶体的厚度是10μm或以上但是600μm或以下，以及宽度是0.2mm或以上但是50mm或以下。
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公开(公告)号：CN102265411A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200980152161.X
申请日：2009-07-24
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L31/10 , H01L21/203 , H01L21/205
CPC classification number: H01L31/035236 , B82Y20/00 , H01L21/02392 , H01L21/02461 , H01L21/02546 , H01L21/02549 , H01L21/02631 , H01L31/105 , H01L31/184 , Y02E10/544
Abstract: 本发明提供一种受光元件，其在近红外区域中具有灵敏度且其中易于获得良好的晶体品质，可在高准确度下容易地形成受光元件的一维或二维阵列，并能够降低暗电流；受光元件阵列；及其制造方法。所述受光元件包含III-V族化合物半导体层叠结构，所述层叠结构包含内部具有pn结15的吸收层3，其中所述吸收层具有由III-V族化合物半导体构成的多量子阱结构，所述pn结15通过将杂质元素选择性扩散到所述吸收层中而形成，且在所述吸收层中所述杂质元素的浓度为5×1016/cm3以下。
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公开(公告)号：CN102264295A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200980152146.5
申请日：2009-07-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: A61B5/1455 , G01J1/02 , G01N21/17 , G01N21/35 , H01L31/10
CPC classification number: A61B5/1455 , A61B5/14532 , G01J3/0218 , G01J2003/2866 , G01N21/359 , G01N21/474 , H01L27/1446 , H01L31/035209 , H01L31/1035
Abstract: 本发明提供了一种生物成分检测装置，利用该装置，通过利用其中在无需使用冷却机构的情况下减小了暗电流的InP基光电二极管，能够以高灵敏度检测生物成分，并且光接收灵敏度提升到1.8μm或更大的波长。生物成分检测装置的特征在于，所述检测是通过接收具有至少一个3μm或更小的波长的光来进行的，所述光包括在生物成分的吸收带中包括的波长，在所述生物成分检测装置中，光接收层(3)具有由III-V族半导体的多量子阱结构，pn结(15)是通过在光接收层中选择性扩散杂质元素而形成的，并且光吸收层中杂质的浓度为不大于5×1016/cm3。
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