一种抗干扰霍尔式转速传感器磁场探测结构

    公开(公告)号:CN206594194U

    公开(公告)日:2017-10-27

    申请号:CN201720076870.6

    申请日:2017-01-19

    Abstract: 本实用新型属于磁场探测领域,具体的说是一种抗干扰霍尔式转速传感器磁场探测结构。该探测结构设置在传感器底部壳内,包括由第一、二霍尔芯片组成的横向霍尔单元比较对,还包括一个在轴向方向上设置的第三霍尔芯片和磁铁,第三与第一或第二霍尔芯片组成纵向霍尔单元比较对;磁铁设置于第一、二、三霍尔芯片上方、传感器外壳的支撑点上。本实用新型是一种在横向霍尔单元比较对的基础上增加纵向霍尔单元比较对的抗干扰霍尔式转速传感器磁场探测结构,该探测结构适用于可探测区域小于10mm,且可探测区域周围有干扰结构的特殊靶轮的转速测量,解决了转速输出信号的误触发现象。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

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