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公开(公告)号：CN110277490A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910552881.0
申请日：2019-06-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 一种STT-MRAM参考单元及其制备方法及包含该参考单元的芯片，该参考单元包含两个并联的支路，其中一个支路上包含两个串联的隧道结，这两个串联的隧道结阻态不同，一个隧道结的自由层与另一个隧道结的自由层串联连接。通过自由层与自由层的互联，在初始化时仅通过单向电流即可实现，方便简单；另外，在数据读出时，由于两个串联的隧道结通过自由层相连接，在读出电流与初始化电流的方向相同时，无论如何都不会产生某一个隧道结发生翻转的情形，具有很高的可靠性，避免了现有技术中参考层与自由层连接形式对应的读出时较容易使其中一个隧道结发生翻转的问题，此外，对应的制备工艺相对简单，省去了传统结构中的通孔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110277115A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910552901.4
申请日：2019-06-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 一种基于磁隧道结的存储器及其读写方法、制作方法，存储器包括：M×N存储单元交叉点阵列，包含M条字线与N条位线，M≥3，N≥3，每条字线与每条位线的交叉点连接部位为一存储单元，每个存储单元为1晶体管(T)-1磁性隧道结(MTJ)结构，该晶体管用于读出操作；其中，该M×N存储单元交叉点阵列的每条字线和位线均单独连接一选择晶体管，用于基于交叉点阵列的串扰特性进行特定写操作，不同的字线与位线接入Vcc和GND的供电方式对应不同的特定存储状态。该存储器基于交叉点阵列的串扰特性进行写入操作，对应不同的供电方式产生特定的数据存储状态，在数据存储、数据恢复和数据加密等领域均具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN110109039A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910406376.5
申请日：2019-05-16
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请公开一种隧穿磁电阻传感器的调控方法，包括：在所述隧穿磁电阻传感器的底电极和顶电极之间加载电压，所述电压为可调电源提供的可变电压；调整所述底电极和所述顶电极之间的电压值，以调控所述隧穿磁电阻传感器的量程和灵敏度。该方法基于可调电源在所述隧穿磁电阻传感器的底电极和顶电极之间加载电压，通过调整外加的电压值，改变隧穿磁电阻传感器中磁隧道结的界面垂直各向异性的耦合系数，通过该耦合系数可以调整界面垂直各向异性能，进而调整磁隧道结的磁各向异性能，如此导致隧穿磁电阻传感器的灵敏度和线性区被相应地调控，无需额外的补偿电路，降低了磁探测系统整体复杂性。对应地，本申请还公开了隧穿磁电阻传感器的调控系统。
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公开(公告)号：CN110061128A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910420330.9
申请日：2019-05-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请公开一种磁隧道结的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底形成有底电极，在所述底电极上形成磁隧道结，所述磁隧道结包括由下至上依次层叠的第一磁性层、隧穿层和第二磁性层，所述第一磁性层和所述第二磁性层具有垂直各向异性，当存在第二磁性层至第一磁性层电流时，第二磁性层磁矩方向与第一磁性层相同，当当电流方向相反时，第二磁性层磁矩方向与第一磁性层相反，其中，所述隧穿层中与所述第一磁性层的交界处注入有铁磁性粒子，所述铁磁性粒子的磁矩方向与所述第一磁性层的磁矩方向相同。该方法提高了磁隧道结的隧穿磁电阻比，而且不改变磁性层的性质，因此不会对隧道结其他磁电参数产生负面影响。本申请还公开一种磁阻式随机存储器。
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公开(公告)号：CN110061127A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910419482.7
申请日：2019-05-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请公开一种磁隧道结的形成方法，包括提供衬底，所述衬底形成有底电极；在所述底电极上形成磁隧道结，所述磁隧道结包括由下至上依次层叠的垂直钉扎层、第一磁性层、隧穿层、第二磁性层和反铁磁层，所述第一磁性层和所述第二磁性层具有垂直各向异性，所述反铁磁层在与所述第二磁性层的交界处形成有界面偏置场，在界面偏置场和自旋霍尔效应的作用下完成磁矩翻转，实现数据写入。该写入操作依靠脉冲电压，通过隧道结的电流极小，因此功耗极低，也不会对隧道结的势垒层产生损伤，并且，脉冲时间与所施加的脉冲电压强度有关，无需精确控制脉冲时间即可实现磁矩定向翻转，减小了时钟电路的压力，增加了可靠性。本申请还公开了一种磁阻式随机存储器。
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公开(公告)号：CN109768065A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201910031809.3
申请日：2019-01-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供一种半导体器件单元以及图像识别装置，包括光电二极管和磁阻随机存储器，存储器可以为自旋转移力矩磁阻随机存储器或自旋轨道矩磁阻式随机存储器，光电二极管和磁阻随机存储器的底电极相互电连接，光电二极管和磁阻随机存储器的顶电极相互电连接。磁阻随机存储器有无限次重复写入及永久存储的特性，可以用于人工神经网络的权重计算，光电二极管感光后产生光电流信号，光电流的大小与磁阻随机存储器读取电流的量级相似，光电流流入磁阻随机存储器，从而可以用于人工神经网络图像识别。由于光电二极管为自驱动PN结器件，无需额外电源，能耗低且可以应用于断电的特殊环境中，同时，直接对模拟信号进行识别，实现更为智能的图像识别。
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