公开(公告)号：CN110164958B

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN201910337000.3

申请日：2019-04-25

Applicant: 华东师范大学 ,  上海华力微电子有限公司

Inventor： 李相龙 ,  孙亚宾 ,  李小进 ,  石艳玲 ,  王昌锋 ,  廖端泉 ,  田明 ,  曹永峰

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/06 ,  H01L29/47 ,  H01L29/739 ,  H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种非对称型的可重构场效应晶体管，该晶体管包括沟道、设置在沟道一端的漏极和沟道另一端并向沟道内部延伸的源极、设置在沟道外侧的栅极氧化物、分别设置在源极和漏极端且栅极氧化物外侧的控制栅极和极性栅极、分别设置于沟道两端外侧、用于控制栅极、极性栅极和源极、漏极电学隔离的边墙以及设置于栅极氧化物外侧、用于隔离控制栅极与极性栅极的栅极隔离。本发明向沟道中延伸的源端与纳米线沟道的接触面积更大，提高了载流子的隧穿面积，增大开启电流。在关断时，漏极结构与一般性RFET漏极结构非交叠区域相同，泄漏电流基本保持不变，因此提升了电流开关比，在保证静态功耗不变的情况下，缩短逻辑门电流的运算延迟时间。

公开(公告)号：CN110911494A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201911034668.7

申请日：2019-10-29

Applicant: 华东师范大学 ,  上海华力微电子有限公司

Inventor： 王萌 ,  王昌锋 ,  田明 ,  孙亚宾 ,  石艳玲 ,  李小进 ,  廖端泉 ,  曹永峰

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种非对称侧墙结构的纳米片环栅场效应晶体管，包括垂直堆叠的纳米片沟道，包裹在沟道外的双层栅极氧化物，设于沟道两端的源和漏，设于源与栅极之间的双层侧墙，设于漏与栅极之间的栅极氧化物漏端延长区及双层侧墙，设置在底部的衬底。本发明特征是漏与栅极之间设双层侧墙，在双层侧墙下方设栅极氧化物漏端延长区，源与栅极之间仅设双层侧墙，从而构成非对称侧墙结构的纳米片环栅场效应晶体管。本发明与现有对称型技术相比，漏双层侧墙底部的栅极氧化物漏端延长区降低了器件寄生电容，源双层侧墙保证了栅电极对沟道中电荷的耦合，从而保证开态电流足够大。

公开(公告)号：CN110311678A

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201910648078.7

申请日：2019-07-18

Applicant: 电子科技大学 ,  上海华力微电子有限公司

Inventor： 于奇 ,  梁锦江 ,  田明 ,  姜亦刚

IPC: H03M1/10 ,  H03M1/12

Abstract: 一种适用于时间交织模数转换器的时间失配校正电路，包括m个有效沿检测模块、m个电容充放电模块和脉宽计算用数字模块，m为时间交织模数转换器的数据通道个数；m个有效沿检测模块分别用于检测时间交织模数转换器的m个数据通道的采样脉冲信号，在检测到对应数据通道的采样脉冲信号的有效沿时产生一个脉冲信号；m电容充放电模块分别检测相邻两个数据通道的采样脉冲信号的有效沿的时间差；脉宽计算用数字模块分别对m个电容充放电模块输出信号的脉宽进行计数，并将计数结果与理想时差脉宽计数数据进行处理得到时间交织模数转换器中m个数据通道各自的校正码字。本发明没有输入依赖性，扩大了时间交织模数转换器的应用范围。