增压气浮式氧化炉
    61.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101307987B

    公开(公告)日:2010-05-26

    申请号:CN200710034938.5

    申请日:2007-05-18

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种增压气浮式氧化炉,该氧化炉炉体(6)为可承受压力的壳体,炉体(6)内部设有炉胆(11),炉胆(11)壁内设置发热元件(12),炉胆(11)顶部和底部可通气,炉胆(11)底部与炉体(6)之间留有空隙,炉胆(11)顶部上方设置风机叶轮(3),风机叶轮(3)与炉体外的调速电机(1)相连接,风机叶轮(3)两侧设导气管(5);高压进气管(9)通过炉体(6)的一侧进入炉体内,进气管(9)的炉体外段端上设置阀门(8)。本发明通过增加了炉内的气体压力,使炉胆内外形成循环气流,使反应合金粉末能在高压、悬浮状态下与氧气充分接触,从而大大增强氧化效果,并使合金粉末不粘壁板结。

    酒石酸盐镁合金表面化学转化膜导电处理溶液

    公开(公告)号:CN100513638C

    公开(公告)日:2009-07-15

    申请号:CN200710035567.2

    申请日:2007-08-16

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 酒石酸盐镁合金表面化学转化膜导电处理溶液,该溶液组分及各组分的重量百分比为:酒石酸盐:10-15%,水杨酸盐:5-10%,有机醇:1-5%,有机胺:1-5%,水:75-80%。本发明利用了化学试剂的化学特性,降低了成本,提高了效率,形成的化学转化膜电阻在1Ω以下,且这种配方适合几乎所有的镁合金化学转化膜导电处理工艺。

    一种高性能二硅化钼棒材生产方法

    公开(公告)号:CN101445244A

    公开(公告)日:2009-06-03

    申请号:CN200810107533.4

    申请日:2008-12-22

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 一种高性能二硅化钼棒材生产方法,是将二硅化钼、添加剂、水混合制成混合料,对混合料炼泥制成料团,然后将料团压制成生胚料块,烘干;将所得生胚料块加热至1700~1800℃高温烧结,制成熟胚料块;将所得熟胚料块于1000~1500℃,挤压成棒材。本发明一种高性能二硅化钼棒材生产方法,工艺方法简单,操作方便,可大幅度提高二硅化钼材料的致密度、抗低温氧化性能及产品外观质量、延长使用寿命;可替代现有二硅化钼生产工艺,有效提高二硅化钼制品的综合机械性能,特别适于制造二硅化钼高温结构棒材材料、高温发热体材料等。

    增压气浮式氧化炉
    64.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101307987A

    公开(公告)日:2008-11-19

    申请号:CN200710034938.5

    申请日:2007-05-18

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种增压气浮式氧化炉,该氧化炉炉体(6)为可承受压力的壳体,炉体(6)内部设有炉胆(11),炉胆(11)壁内设置发热元件(12),炉胆(11)顶部和底部可通气,炉胆(11)底部与炉体(6)之间留有空隙,炉胆(11)顶部上方设置风机叶轮(3),风机叶轮(3)与炉体外的调速电机(1)相连接,风机叶轮(3)两侧设导气管(5);高压进气管(9)通过炉体(6)的一侧进入炉体内,进气管(9)的炉体外段端上设置阀门(8)。本发明通过增加了炉内的气体压力,使炉胆内外形成循环气流,使反应合金粉末能在高压、悬浮状态下与氧气充分接触,从而大大增强氧化效果,并使合金粉末不粘壁板结。

    一种高硅铝合金电子封装材料的制备工艺

    公开(公告)号:CN100435321C

    公开(公告)日:2008-11-19

    申请号:CN200610031908.4

    申请日:2006-06-30

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种高硅铝合金电子封装材料的制备工艺,A)、粉末制取:将工业纯铝及高纯硅按质量比值6~8.8∶4~1.2制备成Al-Si合金粉末;B)、粉末的空气氧化处理工艺:将Al-Si合金粉末置于电阻炉内,升温至250~450℃,保温氧化8~32小时,取出后在空气中自然冷却;C)、热挤压工艺:将氧化后的合金粉末装入纯铝包套内,在300~500吨液压机上进行挤压,挤压前对Al-Si合金粉末采用400~520℃保温0.5~2小时,挤压比为10~21,挤压前各种挤压模具在200~400℃充分预热保温,挤压完后即为成品。本发明能显著提高材料的热导率、气密性和抗拉强度,保持材料较低的热膨胀系数,大幅度改善材料加工成形性能的高硅铝合金电子封装材料的制备工艺。

    调温调载调频冲击试验机
    66.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101191762A

    公开(公告)日:2008-06-04

    申请号:CN200610136741.8

    申请日:2006-11-24

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 一种冲击试验机,属于硬质合金、陶瓷等材料冲击性能和寿命评估的测试装置。本发明包括循环载荷动力产生装置及动力控制装置、机械传动装置、样品夹具、加热及控温装置、支架底座等。本发明将测试样品固定在冲击测试夹具上,与夹具一起放置于加热装置中,通过机械传动装置将循环载荷动力产生装置产生的动力转化冲击力并作用于测试样品上,通过调整控温装置和动力控制装置来改变冲击试验的温度、载荷和频率。本发明同时具备调温、调载、调频的功能,根据被测试样品的裂纹产生、扩展以及失效情况评估样品材料的抗冲击性能、使用寿命。

    一种高硅铝合金电子封装材料的制备工艺

    公开(公告)号:CN1877823A

    公开(公告)日:2006-12-13

    申请号:CN200610031908.4

    申请日:2006-06-30

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种高硅铝合金电子封装材料的制备工艺,A)粉末制取:将工业纯铝及高纯硅按质量百分比6~8.8∶4~1.2制备成Al-Si合金粉末;B)粉末的空气氧化处理工艺:将Al-Si合金粉末置于电阻炉内,升温至250~450℃,保温氧化8~32小时,取出后在空气中自然冷却;C)热挤压工艺:将氧化后的合金粉末装入纯铝包套内,在300~500吨液压机上进行挤压,挤压前对Al-Si合金粉末采用400~520℃保温0.5~2小时,挤压比为10~21,挤压前各种挤压模具在200~400℃充分预热保温,挤压完后即为成品。本发明能显著提高材料的热导率、气密性和抗拉强度,保持材料较低的热膨胀系数,大幅度改善材料加工成形性能的高硅铝合金电子封装材料的制备工艺。

    原位包覆有机物的纳米铜粉及其制备方法

    公开(公告)号:CN108031839B

    公开(公告)日:2020-05-15

    申请号:CN201810014435.X

    申请日:2018-01-08

    Abstract: 本发明提供一种原位包覆有机物的纳米铜粉及其制备方法,所述制备方法是将铜盐加入到含有分散剂和任选含有水溶性大分子的水溶液中,溶解并混合均匀,加入碱溶液调节pH至10±0.5,然后加入还原剂,升温至30‑100℃反应30‑240min后,再于超声条件下反应10‑60min,冷却,离心,分离沉淀,干燥后即得原位包覆有机物的纳米铜粉。采用本发明方法制得的纳米铜粉粒径均一,分散性好、稳定性好,铜颗粒表面包覆的分散剂能够有效地防止其发生氧化。该制备方法简单,设备要求低,经济效益大,应用前景广阔。

    一种高耐晶间腐蚀的Al-Mg合金及其制备方法

    公开(公告)号:CN110205528A

    公开(公告)日:2019-09-06

    申请号:CN201910462248.2

    申请日:2019-05-30

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种高耐晶间腐蚀Al-Mg合金材料,该合金Ru、Mg、Mn、Zn、Ti和Al,组成。本发明的合金,在腐蚀性介质中,Ru可以提高阴极反应电流密度,使α(Al)表面会自发生成厚度达300nm的Al2O3·3H2O且具有致密的、自修复的、高耐腐蚀性质的钝化膜。有效的阻挡了腐蚀性介质对β(Al3Mg2)相的侵蚀,极大的提高了合金的耐晶间腐蚀能力。通过调整M(Mg):M(Mn):M(Zn)的比例,合金中可以析出τ(Mg32(Al,Zn)49)相,抑制β(Al3Mg2)相的析出,缩小第二相与铝基体的电位差,进一步提高合金的耐晶间腐蚀性能。

Patent Agency Ranking