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公开(公告)号：CN103643083B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201310389582.2
申请日：2013-09-02
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02E30/40
Abstract: 本发明涉及核电站燃料包壳用含铜含锗的锆锡合金，属于锆合金技术领域。该锆合金的组成以重量百分比计为：0.5%～1.5%Sn，0.01%～0.4%Fe，0.01%～0.3%Cr，0.01%～0.4%Cu，0.01%～0.5%Ge；优选范围为：0.9%～1.2%Sn，0.1%～0.3%Fe，0.05%～0.15%Cr，0.05%～0.2%Cu，0.05%～0.25%Ge，其余量均为Zr。本发明的锆合金在2种水化学条件下均表现出优良的耐腐蚀性能，优于Zr-4合金，且加工性好，可在核电站压水堆中用作燃料元件包壳以及定位格架条带等堆芯结构材料。
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公开(公告)号：CN102925750B
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201210412654.6
申请日：2012-10-25
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02E30/40
Abstract: 本发明涉及一种能用作轻水堆核电站燃料包壳以及定位格架条带等结构材料含锗的锆铌合金，属于锆合金材料技术领域。该锆合金的化学组成以重量百分比计为：0.2%～2.0%Nb，0.01%～0.5%Ge，余量为Zr。合金元素优选范围为：0.8%～0.12%Nb，0.05%～0.2%Ge。本发明的锆合金在400℃/10.3MPa蒸汽中表现出优良的耐腐蚀性能，明显优于M5重熔合金，且加工性好，可在核电站压水堆中用作燃料元件包壳以及定位格架条带等堆芯结构材料。
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公开(公告)号：CN104638090A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201410804229.0
申请日：2014-12-18
Applicant: 上海大学
CPC classification number: H01L33/483 , H01L33/62
Abstract: 本发明的一种倒装LED封装模组，包括：基板，在所述基板上开设沟槽；导电层，设置在所述沟槽的两侧；导电连接料，铺设在所述导电层上；倒装LED芯片，通过所述导电连接料固接在所述导电层上；以及硅胶层，设置在所述倒装LED芯片表面。采用本方案的倒装LED封装模组，在基板上开设的沟槽，在倒装LED芯片电连接在导电层上，无论是哪种导电连接料，在连接的过程中，都有可能出现焊料溢流或者溢胶的情况。当产生该情况的时候，沟槽就能够起到收容溢流的焊料或者溢出的导电胶，避免沟槽两侧的导电层导通，提高良品率。
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公开(公告)号：CN104576885A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410806017.6
申请日：2014-12-18
Applicant: 上海大学
CPC classification number: H01L33/48 , H01L33/62 , H01L33/642
Abstract: 本发明的倒装LED封装构件，包括：基板、倒装LED芯片、导电层以及硅胶层；在所述基板上开设第一电极槽和第二电极槽，所述第一电极槽和所述第二电极槽之间形成阻隔件；设置在所述第一电极槽和所述第二电极槽内的导电层；所述倒装LED芯片的两电极分别对应设置在所述第一电极槽和所述第二电极槽内；所述硅胶层设置在所述倒装LED芯片表面。采用本方案的倒装LED封装构件，巧妙的利用在基板上开设的第一电极槽和第二电极槽，倒装LED芯片能够精准、便捷的设置在基板上，同时通过导电层固定倒装LED芯片，倒装LED芯片与基板互联更为简单，最后通过硅胶层实现倒装LED芯片的封装。
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公开(公告)号：CN103643083A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310389582.2
申请日：2013-09-02
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02E30/40
Abstract: 本发明涉及核电站燃料包壳用含铜含锗的锆锡合金，属于锆合金技术领域。该锆合金的组成以重量百分比计为：0.5%～1.5%Sn，0.01%～0.4%Fe，0.01%～0.3%Cr，0.01%～0.4%Cu，0.01%～0.5%Ge；优选范围为：0.9%～1.2%Sn，0.1%～0.3%Fe，0.05%～0.15%Cr，0.05%～0.2%Cu，0.05%～0.25%Ge，其余量均为Zr。本发明的锆合金在2种水化学条件下均表现出优良的耐腐蚀性能，优于Zr-4合金，且加工性好，可在核电站压水堆中用作燃料元件包壳以及定位格架条带等堆芯结构材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103451476A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310398813.6
申请日：2013-09-05
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02E30/40
Abstract: 本发明涉及一种核电站燃料包壳用含硫的锆锡合金，属锆合金材料技术领域。该锆合金的化学组成以重量百分比计为：0.5%～1.5%Sn，0.1%～0.5%Fe，0.05%～0.2%Cr，0.0005%～0.1%S，余量为Zr；其S含量的优选范围分别为0.001%~0.01%，0.01%~0.03%或0.03%~0.09%。本发明的锆合金在360℃/18.6MPa/0.01MLiOH水溶液和360℃/18.6MPa去离子水中均表现出优良的耐腐蚀性能，明显优于Zr-4合金，且加工性好，可在核电站压水堆中用作燃料元件包壳、格架等堆芯结构体的材料。
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公开(公告)号：CN103451474A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310398811.7
申请日：2013-09-05
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02E30/40
Abstract: 一种Zr-Nb-Bi-Fe锆合金由下述成份（重量百分比）组成：Nb0.7%~1.5%，Bi0.02%~0.6%，Fe0.03%~0.1%，Si0.005%~0.015%，O0.08%~0.16%，余量为Zr。本发明的锆合金在三种腐蚀条件下均表现出优良的耐腐蚀性能，均优于Zr-1Nb合金，可在核电站压水堆中用作燃料元件包壳、格架等堆芯结构体的材料。
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公开(公告)号：CN101651412B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200910053855.X
申请日：2009-06-26
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02E10/56
Abstract: 本发明涉及单电源转为双电源的方法与电压跟随器和虚地伪地生成器及直流稳压电源，属自动控制、电源技术与电子设备领域。跨接在单电源的二个电源线之间二个串联电阻的公共端作为虚地Sgnd，经驱动生成伪地Pgnd，与单电源的二个电源线构成三线制的正负双电源系统。限流型电压跟随器由运放与电阻构成，而虚地伪地生成器由限流型电压跟随器与电阻构成，单输入双输出直流稳压电源由稳压集成电路、限流型电压跟随器或虚地伪地生成器、阻容等组成。本发明仅采用半导体器件与阻容元件构成，结构简单可靠、成本低廉、体积小、适用性强，在自控系统、电子电路与电子仪器设备等方面有广泛的应用价值。
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公开(公告)号：CN101995903A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010290960.8
申请日：2010-09-21
Applicant: 上海大学
IPC: G06F1/02
Abstract: 本发明涉及非线性函数发生器与函数变换器及通用非线性校正器，属于信号变换、自动控制与测量技术领域。非线性函数发生器有简易型与合成型、反相与同相折线型、反相与同相三角波合成型与正弦波合成型等形式，函数变换器由输入与输出增益控制器、非线性函数发生器组成，输入与输出增益控制器采用双极性增益可调放大器，非线性校正器有直馈式、反馈式、组合式三种形式，非线性校正器则由加权组合器、函数变换器、输出合成器组成，通用非线性校正器由零位调整电路与非线性校正器组成，高阻型(通用)非线性校正器则为前置电压跟随器的(通用)非线性校正器。
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公开(公告)号：CN101713049A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910198223.2
申请日：2009-11-03
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02E60/327
Abstract: 本发明涉及一种多元钛铁系贮氢合金，其化学组成是(Ti1-cLc)a(Fe1-x-y-zCrxMyNz)b，式中，L为Zr，Hf，Mg中的一种元素，M为Ni，Ta，W，Ce，Cu中的一种元素，N为Nb，V，Zn，Al，B中的一种元素，0.9≤a≤1.3，0.7≤b≤1.1，0.005≤c≤0.2，0.01≤x≤0.4，0.005≤y≤0.05，0.005≤z≤0.03。本发明的多元钛铁系贮氢合金可以用非自耗真空电弧炉及真空中频感应炉熔炼，熔炼的合金易活化、贮氢容量较高，且合金的成本低廉，适宜用作燃料电池氢源合金。
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