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公开(公告)号：CN1699234A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200510026205.8
申请日：2005-05-26
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: C03C15/00
Abstract: 一种在硼硅玻璃表面加工微槽阵列的方法，属于先进制造技术领域。本发明采用在清洗干净的硼硅玻璃片表面溅射铬铜种子层，经过光刻，形成加工玻璃深槽阵列的掩膜窗口；将硼硅玻璃片置入腐蚀液去除窗口内的铬铜种子层，分析纯丙酮中超声去胶，采用电镀方法，首先电镀铜掩膜，然后在铜掩膜上再电镀金掩膜，腐蚀，连续刻蚀，从而在硼硅玻璃表面刻出底部光滑的微沟槽阵列。本发明简便易行，基于溅射和无掩膜微电镀工艺来制备湿法腐蚀硼硅玻璃的掩膜，从而达到减小针孔缺陷和钻蚀量的效果。
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公开(公告)号：CN1694190A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN200510025939.4
申请日：2005-05-19
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种属于精密机械技术领域集成永磁双稳态微电磁驱动器，本发明包括：衬底、定子、动子，所述的定子包括：微驱动线圈绕组、永磁体、软磁磁轭，永磁体位于微驱动线圈绕组中央，软磁磁轭位于微驱动线圈绕组的下方和四周，软磁磁轭位于永磁体下方，定子和动子固定在衬底上。本发明满足微型光开关等器件对微驱动器在行程、驱动力、响应时间、功耗、集成制造等方面的综合要求。
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公开(公告)号：CN1139825C
公开(公告)日：2004-02-25
申请号：CN00125380.8
申请日：2000-09-26
Applicant: 上海交通大学
IPC: G02B6/35
Abstract: 一种微型回转式1×N光开关，主要包括：多面体棱镜、转动部分、电磁驱动部分、基板、轴承、转轴、外壳，多面体棱镜固定于转轴的输出端，转动部分设在外壳内的上下两侧的双电磁驱动部分之间，与转轴固定联接，同时转动或静止，基板也设在外壳的上下两侧的双电磁驱动部分外，转轴由轴承支承，1×N光开关中的N代表反射光的路数，N可以等于24路或更多路数。本发明具有实质性特点和显著进步，体积小(毫米级)、驱动力矩大、结构紧凑、光路切换功能强、器件寿命长、集成化制造。
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公开(公告)号：CN1424565A
公开(公告)日：2003-06-18
申请号：CN03114812.3
申请日：2003-01-09
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种纳米碳基薄膜场发射压力传感器属于微细加工和传感器技术领域。主要包括：电子发射阴极、阳极、绝缘隔离层、发射腔体、电极引线。电子发射阴极材料采用纳米碳基薄膜，电子发射阴极和阳极通过绝缘隔离层相连，在高真空环境下进行键合封装，在电子发射阴极和阳极之间形成场发射腔体，电极引线分别从电子发射阴极和阳极背面引出。本发明由碳基纳米薄膜作为电子发射阴极构成的压力传感器，不仅具有高灵敏性、耐高温、抗辐射、低功耗的优点，而且整个压力传感器的整体结构和制备工艺简化，成本降低，成品率提高。
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公开(公告)号：CN1399005A
公开(公告)日：2003-02-26
申请号：CN02136712.4
申请日：2002-08-29
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 极小热滞形状记忆合金薄膜的制备方法属于薄膜材料和薄膜技术领域。本发明薄膜由NiTi两元合金构成，其重量百分比为：Ni：52.6－51.9％，Ti：47.4－48.1％，膜厚为5－8微米。采用磁控溅射方法和后晶化热处理制备，方法具体如下：(1)选用NiTi铸态合金材料作为溅射靶材；(2)NiTi薄膜的溅射沉积，溅射参数为：溅射前的本底真空度：4－8×10－5Pa，溅射时氩气作为工作气体，压力为0.1－0.8Pa，溅射功率为150W－250W，溅射时间100－120分钟；(3)NiTi薄膜的后晶化处理，晶化处理参数为：温度为500－550℃，时间为20－30分钟。本发明薄膜室温时具有典型的R相变特征，可发生完全的R相变及逆相变，NiTi/Si驱动膜的特征频率可达400Hz，动态特性明显提高，较好的解决了形状记忆合金响应频率不高的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1384338A
公开(公告)日：2002-12-11
申请号：CN02111808.6
申请日：2002-05-23
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01C19/58
Abstract: 自动抵消温度误差的光纤传感器线圈及方法属于光纤传感领域。线圈光路的对称中点位于线圈最内层,位于光路中点两侧的光纤由内而外的排列顺序,由第1层至第i－1层交替重复,从内而外第i层起,排列顺序发生变化,而下一个单元光纤的排列顺序仍按照交替重复的顺序排列,直至最后一层光纤,i的位置根据以下方法确定。方法为:根据线圈的参数,确定线圈各层在光路中的位置坐标;基于有限差分法,求出线圈沿径向各层的温度变化情况;根据位置坐标及温度变化情况,确定各层光纤对线圈的总误差的贡献量的极性和大小;然后调整线圈中各层光纤的排列顺序,直至总的温度误差最小。本发明能显著降低光纤陀螺输出受温度效应的影响。
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公开(公告)号：CN1135677A
公开(公告)日：1996-11-13
申请号：CN95111629.0
申请日：1995-05-08
Applicant: 上海交通大学
IPC: H02K29/00
Abstract: 本发明公开了一种毫米级的电磁型微电机，它由平面微型绕组线圈(定子)、磁阻传感器、磁性转子及控制电路等组成。其磁性转子(1)由稀土永磁和镍铁软磁材料复合薄膜制成，位于平面绕组线圈(5)上方，其直径与平面绕组线圈(5)的直径相同。在外形尺寸不变的前提下，该微电机的转子尺寸较大，从而转动力矩也较大。本发明毫米级电磁微电机与现有技术相比，具有输出功率大、效率高、驱动电压低等优点，在微型机器人、光通信、航空航天等高科技领域有重要实用价值。
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公开(公告)号：CN101383256B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200810201597.0
申请日：2008-10-23
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种电子器件技术领域的大长径比电极的侧壁电极及其制造方法，所述的大长径比电极长度方向彼此平行并且平行于基片，如果电极层数大于两层，则各层堆叠排列，每两层大长径比电极之间填充有固态绝缘材料，所述的大长径比电极，在长度方向上分为相互电绝缘的不同部分，每两个部分之间，存在间隙，其中填充有气态或液态绝缘物质。所述方法为：在基片表面沉积电极材料薄膜，使用图形转移方法形成大长径比电极阵列，如果是单层电极，则直接形成包含电极间隙的图形，如果是多层电极，则在电极材料表面沉积固态绝缘材料，制造多层大长径比电极的堆叠结构，再形成电极间隙。本发明电场增强系数更高，且其他电场极化特征能更加可控地加以优化。
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公开(公告)号：CN101349665B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200810042479.X
申请日：2008-09-04
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01N27/00
Abstract: 本发明公开一种微电子器件技术领域的吸附与电离互补增强的气体传感器，包括极化电极、栅格电极和吸附式气敏装置，栅格电极位于极化电极和吸附式气敏装置之间，栅格电极与极化电极之间的气体间隙构成放电区域，栅格电极与吸附式气敏装置之间的气体间隙构成离子漂移区域；极化电极面向栅格电极一侧表面布置有极化电极电极材料；栅格电极具有镂空的几何特征，使得中性分子、带电粒子或者光量子在放电区域与离子漂移区域之间能够实现物质交换；吸附式气敏装置面向栅格电极一侧的表面布置有叉指式电极，在叉指式电极表面布置有吸附性气敏材料。本发明提高标定和识别气体成分的精度，大幅提高选择性；扩大敏感范围；解决中毒问题。
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