在基底上形成图案的方法及其应用

    公开(公告)号:CN111538212A

    公开(公告)日:2020-08-14

    申请号:CN202010150705.7

    申请日:2020-03-06

    Inventor: 姜学松 李甜甜

    Abstract: 本申请涉及一种在基底上形成图案的方法及其应用。具体地,本申请的方法包括如下步骤:(a)将光敏材料和聚合物在溶剂中的溶液施涂于所述基底上并干燥,从而形成涂膜,其中所述光敏材料在紫外光照射下可直接发生光化学反应;以及(b)穿过非接触式掩模,对所述涂膜进行紫外光照射,在照射过程中,所述光敏材料从涂膜的非曝光区迁移至曝光区,使得所述曝光区按照所述掩模版的图案进行生长,从而在所述涂膜上形成所述图案。而且,根据本发明的方案尤其适于体光栅的制备和芯片的图案化封装。

    基于超支化聚醚胺的两亲性高分子夺氢型光引发剂及其制备方法

    公开(公告)号:CN106279470A

    公开(公告)日:2017-01-04

    申请号:CN201610640655.4

    申请日:2016-08-08

    CPC classification number: C08F2/48 C08G83/006

    Abstract: 本发明公开了一种基于超支化聚醚胺的两亲性高分子夺氢型光引发剂及其制备方法。采用简单的方法将小分子夺氢型光引发剂引入到含共引发剂胺的超支化聚醚胺链上,制备出一种新型的两亲性高分子光引发剂。本发明的光引发剂主链上含有光引发剂和共引发剂胺,有利于两者之间的能量转移,能够更快更好的产生自由基活性种,提高光引发效率,具有较好的引发性能。同时由于超支化聚醚胺的引入,其与各种溶剂都具有很好的相容性,尤其在水溶液中有优异的引发性能,使得超支化聚醚胺的两亲性高分子夺氢型光引发剂更加符合环保实用的水溶液引发的发展趋势。在涂料、油墨、光刻胶、微电子、光致抗蚀剂、粘合剂等方面具有广阔的应用前景。

    一种水溶性磺化聚酰胺及其制备方法

    公开(公告)号:CN102382300A

    公开(公告)日:2012-03-21

    申请号:CN201110305107.3

    申请日:2011-10-11

    Abstract: 本发明公开了水溶性磺化芳香聚酰胺及其制备方法,以1,4-二(4-羧基苯氧基)苯-2-磺酸钠,4,4’-二氨基二苯醚-2,2’-二磺酸为原料,通过Yamazaki-Higashi亚磷酸化反应,制备得到水溶性磺化芳香聚酰胺具有如下结构式:。R为—SO3Na和/或—SO3H。该磺化聚酰胺具有优异的综合性能,如在有机溶剂中良好的溶解性、较高的耐热性能、优异的力学性能,以及安全、健康、无毒无害、环境友好,可以满足一些领域对于材料的特殊要求,具有非常重要的应用前景。

    基于硫烯点击化学法的刺激响应性聚醚胺高分子刷的制备方法

    公开(公告)号:CN102249733A

    公开(公告)日:2011-11-23

    申请号:CN201110099187.1

    申请日:2011-04-20

    Abstract: 一种高分子化学技术领域的基于硫烯点击化学法的刺激响应性聚醚胺高分子刷的制备方法,通过将单侧氨基封端的L100、聚氧丙烯和巯基乙胺反应制备含巯基的刺激响应性接枝聚醚胺gPEA-SH高分子聚合物,然后通过引发剂引发促成双键和巯基的硫烯点击化学反应,将刺激响应性接枝聚醚胺gPEA-SH高分子聚合物固定于具有双键的烯基硅烷偶联剂自组装的基片上,实现刺激响应性聚醚胺高分子刷的制备。本发明操作简单,能有效的大规模制备具有pH和温度双重响应的聚醚胺高分子刷,拓展刺激响应性聚合物刷的潜在应用。

    刺激响应性聚合物刷的制备方法

    公开(公告)号:CN101560062B

    公开(公告)日:2011-08-31

    申请号:CN200910052150.6

    申请日:2009-05-27

    Abstract: 本发明涉及一种刺激响应性聚合物刷的制备方法,制备一种可修饰表面的对温度有刺激响应性的聚合物刷,属于微纳米材料制备技术领域。先将基片用含浓硫酸和双氧水的混合溶液进行表面清洁处理后,再进行环氧硅烷偶联剂自组装,然后再采用光引发剂进行接枝,获得刺激响应性聚合物刷。本发明通过自组装技术将含有共引发剂胺的硫杂蒽酮光引发剂固定在基体材料表面,经由表面光引发聚合制备聚合物刷,操作简单,引发剂接枝密度高,引发聚合的效率高速度快,广泛适用于能够进行光引发聚合的单体,应用前景广阔。

    同时具有微米纳米结构的复合图形的构建方法

    公开(公告)号:CN101157520B

    公开(公告)日:2010-08-11

    申请号:CN200710046152.5

    申请日:2007-09-20

    Inventor: 纪强 姜学松 印杰

    Abstract: 本发明涉及一种同时具有微米纳米结构的复合图形的构建方法,通过将光刻技术及反应性相分离技术相结合,制备同时具有微米及纳米结构的图形,用于集成线路板、信息贮存装置、生物芯片和微机电系统中。首先用浓硫酸和丙酮处理玻璃基片或硅基片表面,再将交联剂、线性共聚物、光引发剂配制成一定浓度的溶液在基片表面旋涂成膜,将制备出的膜在模版下进行光刻、显影,制得微米级的图形,再将微米级图形进行淬火,从而在微米级的图形表面生成纳米级的图形,得到同时具有微米级和纳米级结构的复合图形。本发明方法简单易行,可同时制备具有微米、纳米级的图形,可以节约大量的设备和仪器。

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