发光装置、白光发光装置、照明装置及图像显示装置

    公开(公告)号:CN101442097B

    公开(公告)日:2010-11-10

    申请号:CN200810189320.0

    申请日:2006-03-17

    Abstract: 本发明提供发光装置、白光发光装置、照明装置及图像显示装置。所述发光装置具有高辉度、发出的光更接近自然光、随着发光光量增减而产生的发光色的色差少,所述发光装置具有在流通驱动电流时发光的光源和吸收从光源发出的光的至少一部分并发出具有与上述光的波长不同的光的至少一种波长转换材料,对于所述发光装置,当将以17.5A/cm2的驱动电流密度得到的发光的色度坐标值x记作x1(17.5)、色度坐标值y记作y1(17.5),并且将以70A/cm2的驱动电流密度得到的发光的色度坐标值x记作x1(70)、色度坐标值y记作y1(70)时,所述x1(17.5)、y1(17.5)、x1(70)及y1(70)满足式(D)和式(E)。-0.006≤x1(17.5)-x1(70)≤0.006 (D)-0.006≤y1(17.5)-y1(70)≤0.006 (E)。

    光发射器件及使用其的照明器

    公开(公告)号:CN101420004A

    公开(公告)日:2009-04-29

    申请号:CN200810168770.1

    申请日:2003-02-13

    Abstract: 本发明涉及光发射器件及使用其的照明器。公开了具有高发光强度的光发射器件,和具有高发光强度和良好色彩保留性能的光发射器件。本发明光发射器件包含:发光为350-415nm的第一光发射体和通过暴露于来自第一光发射体的光而发射可见光的第二光发射体,其中所述第二光发射体包含能够满足以下(i)-(iv)的任一条件荧光体:(i)该荧光体包含:(a)结晶相,其中在350-415nm的任一激发波长提供最大发光强度的Eu浓度大于在激发波长254nm提供最大发光强度的Eu浓度;和(b)被Eu活化的结晶相,该Eu具有至少1.1倍在激发波长254nm下提供最大发光强度的浓度,和0.5到9倍在激发频率为400nm下提供最大发光强度的浓度;(ii)该荧光体包含结晶相,由结晶基体中Eu浓度计算,该结晶相具有的Eu-Eu平均距离为4或更大但不大于11;(iii)该荧光体具有的量子吸收效率αq为0.8或更大;(iv)该荧光体具有的量子吸收效率αq与内量子效率ηi的乘积αq·ηi为0.55或更大。

    荧光体原料和荧光体原料用合金的制造方法

    公开(公告)号:CN101360805A

    公开(公告)日:2009-02-04

    申请号:CN200780001497.7

    申请日:2007-02-27

    CPC classification number: C09K11/0838 C22C1/04 C22C24/00

    Abstract: 本发明涉及荧光体原料和荧光体原料用合金的制造方法。本发明提供一种荧光体原料,其可得到杂质的混入少的高特性的荧光体。所述荧光体原料的特征在于,其为至少含有Si并还含有一种以上除Si以外的金属元素的合金。所述荧光体原料用合金的制造方法为制造含有至少包含Si的4价金属元素M4和作为2价金属元素M2的一种以上的碱土金属元素的荧光体原料用合金的方法,其特征在于,使Si和/或含有Si的合金熔解后,使碱土金属熔解。

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