公开(公告)号：CN111825721B

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202010302656.4

申请日：2020-04-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李锦喜 ,  郭丞燕 ,  郭允铉 ,  权五炫 ,  A.田 ,  崔华逸 ,  黄圭荣 ,  崔炳基 ,  崔玹豪

IPC: C07F15/00 ,  C09K11/06 ,  G01N33/00 ,  H10K50/11 ,  H10K50/15 ,  H10K50/17 ,  H10K50/18 ,  H10K50/10 ,  H10K85/30 ,  H10K85/40

Abstract: 公开有机金属化合物、以及包括其的有机发光器件和诊断组合物。所述有机金属化合物由式1表示，其中，在式1中，M、L1、L2、n1、和n2各自独立地与本文中描述的相同。式1M(L1)n1(L2)n2。

公开(公告)号：CN119177446A

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202410805223.9

申请日：2024-06-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 咸喆 ,  姜炳俊 ,  金相完 ,  金圣玟 ,  朴仁仙 ,  宋佳荣 ,  吴政玟 ,  黄圭荣

IPC: C23F1/16 ,  C09K13/06

Abstract: 提供蚀刻组合物、使用其蚀刻含金属的膜的方法和使用其制造半导体器件的方法。所述蚀刻组合物包括氧化剂、酸和选择性蚀刻抑制剂，其中所述氧化剂为不含金属的，所述选择性蚀刻抑制剂包括包含第一重复单元和第二重复单元的共聚物，所述第一重复单元不同于所述第二重复单元，并且所述第一重复单元为含氮的重复单元。

公开(公告)号：CN118547287A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410201168.2

申请日：2024-02-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜炳俊 ,  金圣玟 ,  成旼哉 ,  宋佳荣 ,  吴政玟 ,  李晓山 ,  崔炳基 ,  咸喆 ,  黄圭荣

IPC: C23F1/26 ,  H01L21/3213 ,  C23F1/44 ,  C09K13/06 ,  C09K13/08

Abstract: 提供用于含钛层的蚀刻组合物、通过使用所述蚀刻组合物蚀刻含钛层的方法和通过使用所述蚀刻组合物制造半导体器件的方法，所述蚀刻组合物包括氧化剂、无机酸、和选择性蚀刻抑制剂，其中所述无机酸包括基于磷的无机酸、基于氯的无机酸、基于氟的无机酸、或其任意组合，并且所述选择性蚀刻抑制剂包括具有含氮重复单元的聚合物。

公开(公告)号：CN111808140B

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202010267966.7

申请日：2020-04-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李锦喜 ,  郭允铉 ,  荒谷介和 ,  李智娟 ,  曹裕利 ,  崔钟元 ,  崔华逸 ,  黄圭荣

IPC: C07F15/00 ,  C09K11/06 ,  H10K50/11 ,  H10K85/30 ,  H10K85/40

Abstract: 公开有机金属化合物、以及包括其的有机发光器件和诊断组合物。所述有机金属化合物由式1表示，其中，在式1中，M、L1、L2、n1、和n2各自与在本文中描述的相同。式1M(L1)n1(L2)n2。

公开(公告)号：CN115073529A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210251124.1

申请日：2022-03-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜炳俊 ,  金象同 ,  李锦喜 ,  李芳璘 ,  赵化英 ,  崔炳基 ,  黄圭荣

IPC: C07F15/00 ,  C09K11/06 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54

Abstract: 公开有机金属化合物、包括其的有机发光器件、和包括所述有机发光器件的电子设备。所述有机金属化合物由式1表示，其中M为过渡金属，L1为由式2‑1表示的配体，L2为由式2‑2表示的配体，n1和n2各自独立地为1或2，n1与n2之和为2或3，且L1和L2彼此不同，其中Y1、Y4、X1、X21、环CY1、环CY21、环CY22、环CY14、A1、a1、a2、b1、c1、R11‑R14、R21‑R23、和Z1‑Z5如本说明书中所定义的，式2‑1和2‑2中的*和*'各自表示与M的结合位点，且式3中的＊表示与式2‑1中的环CY1的结合位点。式1M(L1)n1(L2)n2

公开(公告)号：CN115020600A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202210201845.1

申请日：2022-03-03

Applicant: 三星电子株式会社 ,  韩国科学技术院

Inventor： 黄圭荣 ,  白武铉 ,  郭丞燕 ,  孙源埻 ,  崔玹豪 ,  金承泰 ,  郑振勋 ,  金晟汉 ,  崔炳基 ,  其他发明人请求不公开姓名

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56

Abstract: 提供发光器件、制造其的方法、和其操作方法，其中所述发光器件包括第一导电层和由式1表示的发光基团，式1的详细描述与本说明书中描述的相同。式1*‑A3‑(A1)m1‑(A2)m2。

公开(公告)号：CN109326733B

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN201810842607.2

申请日：2018-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李晟熏 ,  金象同 ,  郭丞燕 ,  具贤 ,  李贞仁 ,  黄圭荣

IPC: H01L51/50

Abstract: 公开有机发光器件，其包括第一电极、面对所述第一电极的第二电极、以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的有机层，其中所述有机层包括发射层，其中所述发射层包括电子传输主体、空穴传输主体、和掺杂剂，其中所述掺杂剂包括有机金属化合物，且其中所述有机金属化合物不包括铱，其中所述有机发光器件满足说明书中描述的预定参数。

公开(公告)号：CN114520299A

公开(公告)日：2022-05-20

申请号：CN202111390463.X

申请日：2021-11-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭丞燕 ,  金炯俊 ,  沈明善 ,  李锦喜 ,  李晟熏 ,  李贞仁 ,  崔炳基 ,  黄圭荣

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/54

Abstract: 提供发光器件和包括其的电子设备，所述发光器件包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；以及在所述第一电极和所述第二电极之间的发射层。所述发射层包括i)第一发射层以及ii)位于所述第一发射层和所述第二电极之间的第二发射层，所述第一发射层与所述第二发射层直接接触，所述第一发射层包括掺杂剂、第一空穴传输化合物、和第一化合物，所述第二发射层包括掺杂剂、第二空穴传输化合物、和第二化合物，包括在所述第一发射层中的掺杂剂和包括在所述第二发射层中的掺杂剂彼此相同，所述第一化合物和所述第二化合物彼此不同，并且在所述第二空穴传输化合物的HOMO能级和所述第二化合物的HOMO能级之间的差的绝对值为约0.3eV或更小。

公开(公告)号：CN107573383B

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN201710541197.3

申请日：2017-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李贞仁 ,  黄圭荣 ,  金昭延 ,  A.田 ,  崔玹豪 ,  具贤 ,  金象同 ,  郭允铉 ,  权五炫 ,  崔炳基

IPC: C07F15/00 ,  C09K11/06 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54

Abstract: 提供有机金属化合物、包括所述有机金属化合物的有机发光器件和包括所述有机金属化合物的诊断组合物。所述有机金属化合物由式1A表示，其中，在式1A中，各基团和各变量如说明书中所描述的。

公开(公告)号：CN113135961A

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN202110073591.5

申请日：2021-01-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜炳俊 ,  郭丞燕 ,  李锦喜 ,  A.田 ,  黄圭荣 ,  李芳璘 ,  石原慎吾 ,  曹裕利 ,  崔炳基 ,  洪锡焕

IPC: C07F15/00 ,  C07F19/00 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54

Abstract: 公开有机金属化合物、包括有机金属化合物的有机发光器件和包括有机发光器件的电子设备。所述有机金属化合物由式1表示，其中，在式1中，M、L1、L2、n1和n2可通过参照分别如本文中公开的M、L1、L2、n1和n2的描述而理解。式1M(L1)n1(L2)n2。