公开(公告)号：CN1371101A

公开(公告)日：2002-09-25

申请号：CN01108884.2

申请日：2001-09-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李永宅

IPC: G11C16/02 ,  G11C16/10 ,  G11C7/12

CPC classification number: G11C16/10 ,  G11C16/24 ,  G11C16/30

Abstract: 具有屏蔽位线结构的NAND EEPROM减小由充电或放电位线产生的电源电压和地噪声。该EEPROM具有连接于虚拟电源节点的PMOS上拉式晶体管和NMOS下拉式晶体管。用于充电和放电位线的控制电路控制该PMOS或NMOS晶体管的栅极电压以当经由该虚拟电源节点充电或放电位线时限制峰值电流。一个这种控制电路产生电流映射或施加参考电压以控制栅极电压。一种编程方法,在位于编程电路中的锁存器根据正被存储的各个数据位充电或放电所选择的位线的同时,通过经由具有受控制的栅极电压的PMOS上拉式晶体管预充电未选择的位线。该编程电路中的NMOS晶体管的栅极电压可以被控制以减小由经过该锁存器放电所选择的位线产生的噪声。