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公开(公告)号：CN103831443B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410084433.X
申请日：2014-03-10
申请人： 河南理工大学
摘要： 一种利用离子液体水界面可控制备钴/氧化钴纳米膜的方法，利用KBH4作为还原剂，在不溶性的离子液体水界面上实现过渡金属钴/氧化钴纳米膜结构材料制备，离子液体选择非水溶性的咪唑基阳离子，弱配位的复合阴离子，如PF6-等。对纯的离子液体、上清液、液体钴/氧化钴胶体和离心干燥的固体进行红外光谱测定，显示离心前后离子液体在钴/氧化钴表面均未吸附，实现完全“清洁”的钴/氧化钴纳米膜的制备。本实验可通过改变咪唑环上的取代基和阴离子的不同实现纳米膜结构的调控。在离子液体水界面上实现“清洁”可控钴/氧化钴的纳米膜制备基于离子液体在金属表面的选择性弱吸附效应和模板效应。
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公开(公告)号：CN104073877A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410294076.X
申请日：2014-06-27
申请人： 成都东骏激光股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种利用坩埚下降法生长掺铈硅酸钇镥闪烁晶体的方法，包括：（1）将原料组分制成固相反应料；（2）将固相反应料装入坩埚内，密封后装入下降炉中，抽真空；（3）晶体在充有Ar和H2的气氛中生长，晶体生长的温度梯度为20-40℃/cm，晶体的生长速度为0.5-2mm/h，加热采用中频感应加热，加热体为金属钼；（4）生长结束后，以20-60℃/h的速率降至室温。本发明首次采用感应加热的坩埚下降法生长出LYSO晶体，每埚原料都能生长成晶体，无废弃料块；坩埚的形状和尺寸，可根据实际需要而定，便于加工，并且可节约LYSO晶体的原材料；使用全密闭坩埚的下降法，可防止组分的挥发和外界害物质对原料的影响。
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公开(公告)号：CN103590101A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310547407.1
申请日：2013-11-06
申请人： 山东大学
摘要： 本发明涉及一种降低大尺寸高质量SiC单晶中微管密度的生长方法。在SiC单晶炉中采用升华法生长SiC单晶，生长前抽真空至10-4Pa～10-2Pa，生长压力为5‐50mbar，温度2100-2400℃，速率10-500μm/h；晶体生长20-24h时，向生长室中通入高纯氮气2‐10h；间隔20h后，再通入同样的氮气；周期性地重复此过程，得到间歇性掺氮的SiC单晶；所得SiC单晶无空洞、硅滴、多型等缺陷，大大降低了微管密度。本发明实现了将单晶微管密度降至最低，甚至达到零微管水平的目标。
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公开(公告)号：CN102859050A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201180017185.1
申请日：2011-03-28
申请人： 住友电气工业株式会社
摘要： 本发明涉及一种抑制了半导体单晶中的缺陷产生的制造半导体单晶的方法。该制造方法包括：在生长容器(10)的内壁上形成氧化硼膜(31)的步骤，所述生长容器(10)具有底部和与所述底部连续的主体部；使所述氧化硼膜(31)与含氧化硅的氧化硼熔融液接触以在所述生长容器(10)的内壁上形成含氧化硅的氧化硼膜(32)的步骤；在所述生长容器(10)的内部和布置在所述底部的晶种(20)上方形成原料熔融液(34)的步骤；以及从所述晶种(20)侧固化所述原料熔融液(34)以生长半导体单晶的步骤。
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公开(公告)号：CN102115911B
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201110068628.1
申请日：2011-03-22
申请人： 北京工业大学
摘要： 本发明公开了一种不同气氛下无坩埚生长蓝宝石晶体的方法，属于蓝宝石晶体生长领域，包括以下步骤：用高纯原料Al2O3、FeTiO3和Fe2O3制备多晶棒；将多晶棒放入晶体生长炉中，并套上石英管，向其中通入氧气或氩气到一定压力，关闭气体阀门；用0.5-1h升温至料棒和籽晶融化，设置晶体生长速度进行晶体生长；将生长完的晶体冷却至室温；打开气体阀门，气体放出至正常大气压。本发明生长的蓝宝石晶体尺寸大、无宏观缺陷，颜色更加均匀，晶体质量得到提高。
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公开(公告)号：CN1422990A
公开(公告)日：2003-06-11
申请号：CN02151127.6
申请日：2002-12-02
申请人： 浙江大学
IPC分类号： C30B27/00
摘要： 本发明的生长硅单晶的方法是:将多晶硅在单晶炉中高纯氩气保护下融化、生长,在晶体生长完成后的冷却过程中转换成高纯氮气保护,氮气的压力在5～200Torr,氮气的流量在1～200l/min,直至晶体冷却到室温,出炉。本发明的优点是:在硅单晶在冷却过程中,利用低成本的高纯氮气替代高纯氩气作为保护气,能有效降低大直径硅单晶的生产成本。在硅晶体冷却过程中,晶体的温度不断降低,晶体的表面和氮气基本不反应,没有氮元素的引入,不影响硅单晶的晶体质量。
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公开(公告)号：CN118979307A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411083684.6
申请日：2024-08-08
申请人： 广东先导微电子科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种制备砷化镓单晶的设备和砷化镓单晶的制备方法，属于半导体技术领域。采用所述设备可实现成晶率高、位错密度缺陷低的砷化镓单晶制备。所述砷化镓单晶的制备方法通过单晶生长炉内的磁铁产生的磁场来控制炉内的温场稳定性，进而确保了砷化镓多晶熔体的热稳定性，显著提高了砷化镓单晶的质量。并且，所述制备方法无需外加氧化硼，直接通过氧气和氮化硼坩埚反应得到氧化硼进行密封，然后通过氮气维持阶梯状石英管内部稳定气压进而保持砷化镓的化学配比平衡。此外，所述制备方法还通过氢气还原金属杂质离子和超声波振动促进金属杂质单质分凝作用而减少了空穴、团聚和应力聚集，进而降低了位错密度缺陷，提高了砷化镓单晶的成晶率。
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公开(公告)号：CN118756315B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202411252288.1
申请日：2024-09-09
申请人： 安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司
摘要： 本发明公开了LYSO闪烁晶体材料制备设备及方法，涉及闪烁晶体材料制备领域，包括炉体，炉体内部设置保温层，保温层内侧设置加热器；坩埚与保温层适配滑动设置，使坩埚可竖直升降移动，坩埚表面开设有上下贯通的导气道，导气道的截面尺寸均匀；炉体内充盈惰性气体，气泵的进气、排气端分别连接炉体的上、下部位，气泵输送惰性气体至坩埚下部，本发明采用气泵向坩埚下部输入一定强度的惰性气体，气压作用使坩埚被上移支撑，惰性气体贯穿导气道被循环利用，使LYSO闪烁晶体结晶生长过程被氮气包围，避免氧化，通过控制供气强度控制坩埚下降结晶，实现对坩埚柔性悬浮支撑，避免坩埚在运动过程中受震动影响，提高结晶的质量。
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公开(公告)号：CN118773715A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410835876.1
申请日：2024-06-26
申请人： 北京大学
摘要： 本发明公开了一种成分可调的超平整合金单晶晶圆的制备方法，属于单晶晶圆材料领域。本发明的铜镍合金单晶晶圆的制备方法，包括如下步骤：(1)采用磁控溅射的方法在蓝宝石上溅射一层镍膜，然后在镍膜上再溅射一层铜膜，得到铜/镍/蓝宝石；(2)将所述铜/镍/蓝宝石进行高温退火处理，得到所述铜镍合金单晶晶圆。本发明的方法可以制备4英寸的成分可调节的铜镍合金单晶晶圆，其表面平整度高、单晶面积大，在催化和电子器件、二维材料制备等领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN118756315A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411252288.1
申请日：2024-09-09
申请人： 安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司
摘要： 本发明公开了LYSO闪烁晶体材料制备设备及方法，涉及闪烁晶体材料制备领域，包括炉体，炉体内部设置保温层，保温层内侧设置加热器；坩埚与保温层适配滑动设置，使坩埚可竖直升降移动，坩埚表面开设有上下贯通的导气道，导气道的截面尺寸均匀；炉体内充盈惰性气体，气泵的进气、排气端分别连接炉体的上、下部位，气泵输送惰性气体至坩埚下部，本发明采用气泵向坩埚下部输入一定强度的惰性气体，气压作用使坩埚被上移支撑，惰性气体贯穿导气道被循环利用，使LYSO闪烁晶体结晶生长过程被氮气包围，避免氧化，通过控制供气强度控制坩埚下降结晶，实现对坩埚柔性悬浮支撑，避免坩埚在运动过程中受震动影响，提高结晶的质量。
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