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公开(公告)号：CN116647200A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310772467.7
申请日：2023-06-27
申请人： 北京昂瑞微电子技术股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种低噪声放大器，包括：放大单元、开关电路以及功率检测电路，其中，所述放大单元被配置为对输入的射频输入信号进行放大，以输出射频输出信号；所述开关电路被配置为根据功率检测电路生成的控制信号来导通或者关断，以将射频输入信号输入到所述放大单元；以及所述功率检测电路被配置为根据射频输入信号来生成所述控制信号，以在所述射频输入信号大于第一功率阈值时，阻止射频输入信号传输到所述放大单元。
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公开(公告)号：CN116647195A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310590105.6
申请日：2023-05-24
申请人： 韬润半导体(无锡)有限公司
摘要： 本发明公开了一种小尺寸低噪声放大器和低噪声信号放大方法，其中小尺寸低噪声放大器包括：主通电路模块、辅通电路模块、模式切换模块；所述模式切换模块，用于判断待放大的射频信号强度值是否小于设定的信号强度值，若是，则选通所述主通电路模块对所述射频信号进行放大，否则，选通所述辅通电路模块对所述射频信号进行放大；所述主通电路模块，用于对输入的所述射频信号进行高增益的信号放大处理；所述辅通电路模块，用于对输入的所述射频信号进行低增益的信号放大处理；其中，所述辅通电路模块与所述主通电路模块共用一无源电感。通过本发明，实现两种模式的低噪声信号放大，并通过共用无源电感减小电路面积。
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公开(公告)号：CN113904635B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202111185458.5
申请日：2021-10-12
申请人： 中国电子科技集团公司第二十四研究所
摘要： 本发明属于半导体集成电路设计领域，特别涉及一种高三阶交调点的场效应晶体管射频放大器包括输入偏置网络、输入匹配网络、放大电路、输出匹配网络、输出偏置网络、输入端、输出端和电源端，输入端与输入匹配网络的输入端连接，输入匹配网络的输出端分别作为输入偏置网络以及放大电路的第一输入；输入偏置网输出端作为放大电路的第二输入；放大电路的第一输出端与输出匹配电路的第一输入端连接；放大电路的第二输出端经过输出偏置电路进行偏置处理后作为输出匹配电路的第一输入端；电源端与输出匹配电路的第二输入端连接；输出匹配电路的输出作为高三阶交调点的场效应晶体管射频放大器的输出端；本发明有效提升射频放大器的三阶交调点参数，并在很宽的频带内获得很好的功率特性及输入输出匹配特性。
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公开(公告)号：CN116566408A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310534727.7
申请日：2023-05-12
申请人： 成都信息工程大学
摘要： 本发明公开了一种基于变压器的噪声消除结构接收机前端电路，包括低噪声跨导放大电路、无源混频器、跨阻放大器。本发明设置的低噪声跨导放大电路使用共源共栅cascode级联结构，不仅实现了噪声消除，而且cascode级联实现了两路差分电流的输出，在输入端采用变压器耦合的方式，增加输入端的等效跨导达到功耗减少效果，基带跨阻放大器使用两级结构，辅以前馈补偿获得大的带宽，另外，该接收机在射频频率5.5‑6.5GHz范围内达到的基带带宽为220MHz，且噪声系数低于2.45dB。
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公开(公告)号：CN109661775B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN201780053065.4
申请日：2017-08-25
申请人： 麦克姆技术解决方案控股有限公司
发明人： 贝诺内·阿切里洛阿耶 , 埃里克·奥康森
摘要： 晶体管电路包括：晶体管，具有栅极端子和第一导电端子和第二导电端子；第一电路，被配置为将晶体管电路的AC输入信号转换成栅极偏置电压并将栅极偏置电压施加到晶体管的栅极端子；第二电路，被配置为将晶体管电路的AC输入信号转换成控制电压；以及开关电路，被配置为响应于控制电压将第一电压施加到晶体管的第一导电端子。
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公开(公告)号：CN116470858A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310475816.9
申请日：2023-04-26
申请人： 浙江星曜半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种低噪声功率放大器、射频模组及电子设备，该低噪声功率放大器结合基于目标带宽对多个电容和多个电感进行串联和/或并联的连接形成的输出匹配网络，使该输出匹配网络的谐振点与低噪声功率放大器自身的谐振点相距较远，从而使低噪声功率放大器可有效扩展输出匹配的带宽，配合窄带输入匹配，可完成扩展500MHz及以上的宽带LNA设计。
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公开(公告)号：CN116131770B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310411509.4
申请日：2023-04-18
申请人： 成都明夷电子科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种高集成度的高线性低噪声放大器，包括高隔离度补偿网络单元以及并联设置在信号输入端IN1c与信号输出端OUT1c之间的射频放大单元、旁路单元；所述射频放大单元的输出端通过射频开关SW4c与高隔离度补偿网络单元连接。本发明在带旁路功能低噪声放大器基础上，引入高隔离度补偿网络单元。由于在芯片工艺中，构成高隔离度补偿网络单元的电阻、电容和晶体管都可以通过小尺寸器件实现，所以在付出较小额外面积代价基础上，实现了带旁路功能低噪声放大器的低噪声特性与高线性特性的兼容，具有较好的实用性。
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公开(公告)号：CN116404992A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310345391.X
申请日：2023-04-03
申请人： 广东工业大学
摘要： 本发明公开了一种毫米波宽带高效率线性功率放大器，包括功率放大器主体和自适应偏置电路，所述功率放大器主体包括输入匹配网络、输出匹配网络、第一电感、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、射频功率放大单元和分流电容单元，所述自适应偏置电路包括第八电容、第九电容、第十电容、第十一电容、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第四晶体管、第五晶体管和第二电感。本发明结构的功率放大器在线性度、输出功率、效率和工作带宽上都有着良好的表现。本发明可广泛应用于射频集成电路领域。
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公开(公告)号：CN116366008A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310404822.5
申请日：2023-04-11
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： H03F1/26 , H03F1/56 , H03F3/193 , H03F3/45 , G06F30/367
摘要： 本发明公开了一种毫米波双频段低噪声放大器电路的设计方法，通过匹配网络实现两个频段信号同时放大的毫米波双频段低噪声放大器电路。所述毫米波双频段低噪声放大器电路包括输入匹配网络、第一级放大器、级间匹配网络、第二级放大器和输出匹配网络。通过对匹配网络与放大电路进行等效，将双频段的设计等效为极点的设计，通过Z参数中的正向转移阻抗Z21的方程确定极点，快速计算得到双频段匹配网络的参数，提升了设计效率。所得的毫米波双频段低噪声放大器电路，实现了在低噪声情况下对两个频段的输入信号同时进行放大。
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公开(公告)号：CN116346049A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310379027.5
申请日：2018-12-21
申请人： 立积电子股份有限公司
摘要： 放大装置包含放大电路及保护电路。放大电路具有接收射频信号的输入端，及输出放大后的射频信号的输出端。放大电路包含晶体管。晶体管具有第一端、第二端及控制端。晶体管的第一端输出放大后的射频信号，而晶体管的控制端耦接于放大电路的输入端。保护电路的第一端耦接于放大电路的输入端或输出端。保护电路包含开关单元及钳位单元。开关单元受第一控制信号控制而被导通或被截止。钳位单元耦接于开关单元。当开关单元导通时，钳位单元将保护电路的第一端的电压钳制在预定范围内。
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