公开(公告)号：CN107066023B

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN201611013533.9

申请日：2016-11-15

申请人： 德州仪器公司

发明人： 马蒂亚斯·阿诺尔德 ,  阿西夫·加尧姆

IPC分类号： G05F3/16

摘要： 本申请案涉及低电压电流模式带隙电路及方法。与绝对温度成比例PTAT产生器510在第一调节回路中产生电流PTAT IPTAT及分率VBE。电平移位电压‑电流转换器520布置为第二调节回路且可操作以产生电流ZTC IZTC及/或电压ZTC VZTC。两个调节回路均嵌套到彼此之中。在实施例中，所述电压‑电流转换器520可操作以将经缩放电压PTAT(VPTAT/Y)R504与所述分率VBE(VBE/X)RD502相加以产生ZTC信号。在另一实施例中，所述电压‑电流转换器可操作以将增量电压阈值ΔVTH P611与所述分率VBE(VBE/X)相加以产生所述ZTC信号。

公开(公告)号：CN110998478B

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN201780093735.5

申请日：2017-08-08

申请人： 亚德诺半导体国际无限责任公司

发明人： 卡林·V·拉扎罗夫 ,  罗伯特·C·齐亚科齐亚

IPC分类号： G05F3/30 ,  G01R33/06 ,  G05F1/10 ,  G05F3/08 ,  G05F3/16

摘要： 在用于校正电路中的应力受损信号的系统和方法中，校准电路产生基于一个或多个pnp晶体管的基极‑发射极电压的第一校准电压、基于一个或多个npn晶体管的基极‑发射极电压的第二校准电压，以及与绝对温度成比例的电压。基于这些电压生成一组参考值。基于该组参考值和一组温度相关值的函数计算增益校正因子，并且基于该增益校正因子校正应力受损信号。

公开(公告)号：CN110320959B

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN201910772543.8

申请日：2019-08-21

申请人： 上海南芯半导体科技有限公司

发明人： 耿翔

IPC分类号： G05F3/16

摘要： 本发明公开了一种用于产生CMOS阈值电压VTH的电路，主要解决现有CMOS场效应管的阈值电压产生电路结构复杂，功耗高的问题。该电路包括由五个相同MOS管组成的环路，基于两个VGS栅源电压产生阈值电压的MOS管M6，以及用于使MOS管M6处于和MOS管M5处于一样的饱和区的MOS管M7。通过上述设计，本发明电路结构简单，利用多个相同的MOS管组成环路，基于两个MOS管的栅源电压相减，调整两个相同MOS管之间的电流关系即可得到阈值电压，并且该电路不需要运算放大器来稳定结果，简化了电路结构，降低了电路的整体功耗。因此，具有很高的使用价值和推广价值。

公开(公告)号：CN107015596B

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：CN201611215835.4

申请日：2016-12-26

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林雅芬 ,  林大文 ,  黄毓慧 ,  保罗·罗素 ,  杨胜杰

IPC分类号： G05F3/30 ,  G05F3/16 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8238

摘要： 一些实施例涉及两个晶体管的带隙基准电路。第一晶体管包括第一源极、第一漏极、分离所述第一源极和所述第一漏极的第一体区、以及第一栅极。所述第一漏极和所述第一栅极耦合至DC电源端。第二晶体管包括第二源极、第二漏极、分离所述第二源极和所述第二漏极的第二体区、以及第二栅极。第二栅极耦合至所述DC电源端，并且第二漏极耦合至第一源极。体偏置电路配置为将体偏压施加至所述第一体区和所述第二体区中的至少一个。其他实施例涉及FinFET器件。本发明还提供了集成电路及其形成方法。

公开(公告)号：CN110998478A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201780093735.5

申请日：2017-08-08

申请人： 凌力尔特科技控股有限责任公司

发明人： 卡林·V·拉扎罗夫 ,  罗伯特·C·齐亚科齐亚

IPC分类号： G05F3/30 ,  G01R33/06 ,  G05F1/10 ,  G05F3/08 ,  G05F3/16

摘要： 在用于校正电路中的应力受损信号的系统和方法中，校准电路产生基于一个或多个pnp晶体管的基极-发射极电压的第一校准电压、基于一个或多个npn晶体管的基极-发射极电压的第二校准电压，以及与绝对温度成比例的电压。基于这些电压生成一组参考值。基于该组参考值和一组温度相关值的函数计算增益校正因子，并且基于该增益校正因子校正应力受损信号。

公开(公告)号：CN107479619B

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201710423863.3

申请日：2017-06-07

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： D·伯纳唐

IPC分类号： G05F3/16

摘要： 公开了线性电压调节器的自适应控制。在一个示例中，一种电路包括电压源、传递模块、差分放大器模块和控制模块。传递模块被配置为使用具有电阻的通道来电耦合电压源与负载，并且基于控制信号来修改通道的电阻。差分放大器模块被配置为基于电压参考与负载处的电压的表示的比较来生成差分信号。控制信号基于差分信号。控制模块被配置为根据传递函数来生成负载处的电压的表示。传递函数包括实质上位于传递函数的穿越频率处的零点。

公开(公告)号：CN102375468B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201010262224.1

申请日：2010-08-23

申请人： 联咏科技股份有限公司

发明人： 胡敏弘 ,  丁振国 ,  吴振聪

IPC分类号： G05F3/16

摘要： 本发明公开了一种能带隙参考电路包含有一第一双载子晶体管；一第一电阻，用来产生一正温度系数电流；一第二双载子晶体管；一第二电阻，用来产生一负温度系数电流；一第一运算放大器，耦接于该第一双载子晶体管及该第一电阻；一第二运算放大器，耦接于该第一双载子晶体管及该第二电阻；以及一零温度系数电流产生器，用来加总该正温度系数电流及该负温度系数电流，以产生一零温度系数电流。

公开(公告)号：CN103513695A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201310209824.5

申请日：2013-05-31

申请人： 浙江大学

发明人： 段元锋 ,  武晓楠 ,  樊可清

IPC分类号： G05F3/16

摘要： 本发明公开了一种用于磁流变阻尼器的电流控制器，由调整电路模块，PWM波产生电路模块，输出控制电路模块，误差采样电路模块构成；调整电路模块，连接PWM波产生电路模块，用于输出控制电压；PWM波产生电路模块，连接输出控制电路模块，用于向驱动电路提供陡峭且宽度可变的矩形脉冲列；输出控制电路模块，用以放大PWM信号并产生采样电压；误差采样电路模块，连接PWM波产生电路模块，用于放大采样电压并传至PWM波产生电路模块。该电流控制器的整套设备便于开发和应用，电流控制器可在一定范围(如0.15A～2.01A)内连续可调，输出精度高、线性度好、体积小，成本低，除了可用于磁流变阻尼器的控制外，还可用于其它多种场合，如电磁线圈电路、照明电路或电机控制等。

公开(公告)号：CN102520757B

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201110448349.8

申请日：2011-12-28

申请人： 南京邮电大学

发明人： 夏晓娟 ,  方玉明 ,  陈德媛 ,  郭宇锋

IPC分类号： G05F3/16

摘要： 一种灌电流和拉电流产生电路，包括电压-电流转换电路，将基准电压Vref转换成电流I1，产生第一偏置电压Vb1；稳定偏置电流产生电路，用来获得高稳定性的偏置电流，产生第二偏置电压Vb2；拉电流输出电路，利用PMOS管电流镜的原理产生PMOS拉电流的输出支路；灌电流输出电路，利用NMOS管电流镜的原理产生NMOS灌电流的输出支路。本发明直接采用系统中存在的基准电压Vref，利用Vref的高精度和低温漂的特点，获得同样高精度和低温漂的偏置电流，解决了一些电路设计中对偏置电流精度和温度系数高要求的问题。

公开(公告)号：CN103246312A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201210590543.4

申请日：2012-12-31

申请人： 成都锐成芯微科技有限责任公司

发明人： 不公告发明人

IPC分类号： G05F3/16

摘要： 一种CMOS场效应管阈值电压生成电路，所述阈值电压生成电路包括一第一P型镜像电流镜组、一第一N型场效应管M1、一第二N型场效应管M2、一第一电压跟随器AMP1、一第二电压跟随器AMP2、一第一电阻R1、一第二电阻R2、一第二P型镜像电流镜组、一第三P型镜像电流镜组、一N型镜像电流镜组和一第三电阻R3，所述第一N型场效应管M1和第二N型场效应管M2得到各自的栅源电压，所述第一电压跟随器AMP1、所述第一电阻R1、所述第二电压跟随器AMP2和所述第二电阻R2将栅源电压VGS1、VGS2转化为两路电流信号，所述第二P型镜像电流镜组、所述第三P型镜像电流镜组、所述N型镜像电流镜组和所述第三电阻R3组合两路电流信号并生成高精度的阈值电压。本发明采用简易电路结构实现了CMOS场效应管阈值电压的高精度提取。