公开(公告)号：CN101004561B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200610064333.6

申请日：2006-09-15

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 栗本锐司 ,  下山启介 ,  木村美知夫 ,  河村慎一 ,  高田毅 ,  山下康之 ,  户田直博 ,  中森英雄

IPC: G03G5/06 ,  G03G5/04 ,  G03G15/00 ,  G03G15/16 ,  G03G21/18

CPC classification number: G03G5/047 ,  G03G5/0651 ,  G03G5/0661

Abstract: 本发明的目的在于提供一种成像装置，其含有电子照相感光体、充电单元、曝光单元、显影单元、转印单元以及清洁单元，其中上述电子照相感光体含有支持体以及至少一个在该支持体上的感光层，其中上述感光层含有电荷产生材料以及下述结构式(1)所表示的化合物，其中，上述结构式(1)中，R1以及R2可以相互相同或不同并且表示氢原子、可被取代的烷基、可被取代的环烷基、以及可被取代的芳烷基中的任何一种，R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13以及R14可以相互相同或不同并且表示氢原子、卤素原子、氰基、硝基、氨基、羟基、可被取代的烷基、可被取代的环烷基、以及可被取代的芳烷基中的任何一种，n为重复单元数并且表示0～100的整数。结构式(1)。

公开(公告)号：CN101261457A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200810082689.1

申请日：2008-03-06

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 栗本锐司 ,  下山启介

IPC: G03G5/04 ,  G03G5/06 ,  G03G5/05 ,  G03G15/00 ,  G03G13/00

CPC classification number: G03G5/047 ,  G03G5/0564 ,  G03G5/0575 ,  G03G5/0637 ,  G03G5/0651 ,  G03G5/0696 ,  G03G2215/00957

Abstract: 图像形成方法和图像形成装置，该装置至少具有光电导体、静电潜像形成单元、显影单元和转印单元，其中所述光电导体至少具有基底和在该基底上的单层光敏层，以及所述光敏层至少含有具有特定衍射峰的钛氧基酞菁；X型无金属酞菁；由上面通式(1)表示的电子输运材料；粘结剂用树脂和空穴输运物质，其中，R1和R2可以彼此相同或不同，并且分别表示氢原子、烷基基团、环烷基基团或芳烷基基团；R3至R14可以彼此相同或不同，并且分别表示氢原子、卤原子、氰基、硝基、氨基、羟基、烷基基团、环烷基基团或芳烷基基团；以及“n”代表重复单元的数目并且是0至100的整数。

公开(公告)号：CN101154057A

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200710137366.3

申请日：2007-07-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金范俊 ,  李知英 ,  横田三郎

IPC: G03G5/06 ,  G03G15/00

CPC classification number: G03G5/0651 ,  G03G5/0614 ,  G03G5/0696

Abstract: 可有效用于使用发射短波长光的光源的电子照相成像装置中的光电导体，和使用该光电导体的电子照相成像装置。使用短波长光源的电子照相成像装置的光电导体包括载体和形成在载体上的光电导层，其中光电导层可包括下式(I)代表的萘四羧酸二酰亚胺衍生物，其中，R1、R2和R3各自独立地选自氢原子、卤原子、取代或未取代C1－C20烷基、取代或未取代C1－C20烷氧基、取代或未取代C6－C30芳基，和取代或未取代C7－C30芳烷基。

公开(公告)号：CN101105643A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200710005877.X

申请日：2007-02-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金范俊 ,  李知英 ,  横田三郎 ,  牧野要

IPC: G03G5/06 ,  G03G5/07 ,  G03G21/18 ,  G03G15/00

CPC classification number: G03G5/0651

Abstract: 本发明提供了有机感光体和使用该有机感光体的电子照相成像装置，其中有机感光体相对于短波长的光辐射具有高的光敏性和低的曝光电压。具体地，在导电基材上形成用于短波长的有机感光体，其具有包括萘四羧酸二酰亚胺衍生物的感光层。

公开(公告)号：CN1987664A

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200610172348.4

申请日：2006-12-18

Applicant: 施乐公司

Inventor： J·吴 ,  L·-B·林

IPC: G03G5/04 ,  G03G5/06 ,  G03G15/00

CPC classification number: G03G5/0651 ,  G03G5/0629

Abstract: 公开了包括衬底、生电层和输电层的成像设备。公开了特定的生电层，该生电层包括卟吩或其衍生物以促进电荷产生同时抑制重像和改进感光体性能。

公开(公告)号：CN1932663A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200610151862.X

申请日：2006-09-13

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 下山启介 ,  栗本锐司 ,  佐佐木通孝 ,  河村慎一

IPC: G03G15/00 ,  G03G5/047 ,  G03G5/04 ,  G03G15/16 ,  G03G21/18

CPC classification number: G03G5/0651 ,  G03G5/0661

Abstract: 一种电子照相成像装置，包括感光体、使感光体的表面充电的充电器、以成像光照射感光体的表面以便在其上形成静电潜像的辐照器、以包括调色剂的显像剂使该静电潜像显影以便在感光体的表面上形成调色剂图像的图像显影器、和将调色剂图像转印到转印材料上的转印器；其中，该感光体包括导电基材、和覆盖该导电基材并且包含电荷产生材料和特定电荷迁移材料的光敏层。

公开(公告)号：CN1636995A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410086955.X

申请日：2004-10-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金范俊 ,  横田三郎 ,  连卿烈 ,  李桓求 ,  金承柱

IPC: C07D471/06 ,  G03G5/06

CPC classification number: C07D471/06 ,  G03G5/0651 ,  G03G5/0661

Abstract: 本发明披露萘四羧酸二酰亚胺衍生物和包含该萘四羧酸二酰亚胺衍生物的电子照相光电导材料。萘四羧酸二酰亚胺衍生物具有下面通式所示的结构，其中R1和R2各自独立地选自取代或未取代的C1－C20烷基、取代或未取代的C1－C20烷氧基、取代或未取代的C6－C30芳基、取代或未取代的C7－C30芳烷基和卤素。电子照相光电导材料包括作为电子转移材料的萘四羧酸二酰亚胺衍生物。

公开(公告)号：CN1138708A

公开(公告)日：1996-12-25

申请号：CN96102835.1

申请日：1996-04-18

Applicant: 三田工业株式会社

Inventor： 胜川雅人 ,  浦野彰良 ,  菅濑彩子 ,  伊原光男 ,  山里一郎 ,  中村结花

IPC: G03G5/06

CPC classification number: G03G5/0614 ,  G03G5/056 ,  G03G5/0609 ,  G03G5/0612 ,  G03G5/0616 ,  G03G5/0618 ,  G03G5/0629 ,  G03G5/0637 ,  G03G5/065 ,  G03G5/0651 ,  G03G5/0668

Abstract: 本发明提供了一种含有导电基材和提供在该导电基材上的光敏层的光电敏感材料，该光敏层含有特殊的空穴转移材料和/或电子转移材料和通过使用由上式(1)表示的特定的二羟基化合物而得到的、基本上是线性聚合物的聚酯树脂。式中R1为C2-4的亚烷基，R2，R3，R4和R5相同或不同并表示氢原子，C1-4烷基，芳基或芳烷基等。该光敏材料的光敏性得到了改善，且增强了与导电基材的粘合作用及如耐磨性。