公开(公告)号：CN111834390A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN202010535701.0

申请日：2020-06-12

Applicant: 福州大学 ,  闽都创新实验室

Inventor： 张永爱 ,  翁雅恋 ,  郭太良 ,  周雄图 ,  吴朝兴 ,  严群 ,  孙捷 ,  林志贤 ,  陈培崎

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/06 ,  H01L33/10 ,  H01L33/36 ,  H01L33/50 ,  G09F9/33 ,  G09G3/32

Abstract: 本发明涉及一种全彩化三极发光管显示器件及制造方法，包括缓冲层、设置于缓冲层上的第一半导体层、以及设置于第一半导体层上的第一接触电极、用以显示红光的R单元、用以显示绿光的G单元和用于显示蓝光的B单元。在所述第一接触电极和R单元、G单元、B单元中的第二接触电极之间分别施加一个小功率可变输入信号，在所述第一接触电极和R单元、G单元、B单元中的第三接触电极之间分别施加一个正向偏置电压，使得R单元、G单元和B单元发光。本发明可以实现用小功率输入信号驱动发光芯片发光而激发色彩转换层，从而实现全彩化显示。

公开(公告)号：CN111834388A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN202010535463.3

申请日：2020-06-12

Applicant: 福州大学 ,  闽都创新实验室

Inventor： 孙捷 ,  郭太良 ,  吴朝兴 ,  黄忠航 ,  张永爱 ,  周雄图 ,  严群

IPC: H01L27/15 ,  H01L25/16 ,  G09F9/33 ,  G09G3/32

Abstract: 本发明涉及一种带有单片集成驱动电路的μLED显示芯片，其外延结构从下至上包括衬底、未掺杂缓冲层、第一、第二、第三掺杂半导体层、未掺杂发光层、第四掺杂半导体层。所述芯片的器件结构包括在上述材料上通过半导体工艺制备的各种图形化结构，具体包括半导体台面、沉积的绝缘层和透明电极、沉积的金属接触电极。芯片工作时，其μLED是发光单元；多个双极型晶体管、多个电容组成的电路部分是驱动单元，它对发光单元进行一对一的控制。本发明的最大优点是将像素的发光单元和驱动单元直接集成，从而不需将发光单元一对一精准地转移至驱动衬底上并键合，规避了一大技术瓶颈。本发明降低μLED显示芯片的设计制造复杂度，提高了集成度、良率、可靠性。