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公开(公告)号：CN106782932B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201611238475.X
申请日：2016-12-28
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种应用于高压绝缘领域的高梯度表面微带绝缘子及其制备方法，主要解决现有技术制备工艺复杂、绝缘子可靠性差、耐表面击穿电压较低，难以满足高压装置对真空绝缘要求等问题。所述绝缘子本体表面雕刻有周期性微槽阵列，微槽中有原位生长的金属微带。所述制备方法包括以下步骤：[1]按照设计的绝缘子外形尺寸加工出绝缘子本体；[2]在绝缘子本体表面雕刻出周期性微槽阵列；[3]配制PdCl2/PVP/乙醇或AgNO3/PVP/乙醇胶液，对刻槽后绝缘子本体进行浸渍或涂覆后自然晾干；[4]采用激光诱导活化的方法在微槽表面上形成金属颗粒；[5]采用化学镀的方法在微槽中原位生长出金属微带。本发明可应用于高功率微波技术、高功率激光器、介质壁加速器等尖端设备绝缘领域。
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公开(公告)号：CN109632456A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811527792.2
申请日：2018-12-13
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明提出一种辐照腔中大型效应物内部场强全局增强的装置，提高了大型效应物内部大块区域的场强，达到了大型效应物内部测点场全局增强的效果。本发明在辐照腔工作空间上、下平板的间距减小可以增加工作空间的场强、以及电磁波在介质表面会发生反射和折射理论的基础上，研究辐照腔中大型效应物内部场强的全局增强方式时发现，采用在辐照腔工作下金属板上放置一定尺寸、形状及介质参数的介质块、效应物搁置在该介质块上、并给效应物加上介质套时，大型效应物内部的场出现了全局增强的现象，而且场强增强的效果在一定程度上要好于减小辐照腔工作空间上、下平行板的间距以及增加辐照腔激励源的电压峰值等常规手段。
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公开(公告)号：CN106601388B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201611237411.8
申请日：2016-12-28
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种应用于高压绝缘材料技术领域，具有孔穴微槽织构化表面的绝缘子及其制备方法，主要解决现有技术耐表面击穿电压较低、可靠性不高、重复性差，难以满足高压装置对真空绝缘要求等技术问题。该绝缘子包括绝缘子本体，所述绝缘子本体为聚合物材质，其表面织构有周期性平行V形微槽阵列，微槽的表面均布有微米级尺寸的孔穴，所述微槽由激光刻制而成，所述孔穴由激光烧蚀而成。其制备方法是采用激光刻槽，在绝缘子本体表面刻制出微槽阵列；采用激光烧蚀，在微槽表面形成孔穴。本发明可应用于真空高压绝缘器件领域及其他环境下的高压绝缘领域。
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公开(公告)号：CN103515677B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201310446475.9
申请日：2013-09-26
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: H01P1/18
Abstract: 本发明涉及通信器件技术领域，具体涉及一种高功率微波移相器。该高功率微波移相器包括：矩形波导、位于所述矩形波导一个E面的圆波导以及位于所述矩形波导其他面的模转变及圆极化单元；所述圆波导内设置有可沿所述圆波导轴线方向运动的短路活塞；所述模转变及圆极化单元用于将TE10模微波转变为极化正交、具有相同幅度且相位差为90度的两个TE11模微波输入所述圆波导。由于本发明实施例所提供的高功率微波移相器无需借助铁氧体材料即可实现移相，因此可以减小移相器的尺寸、降低移相器的损耗；同时，由于该高功率微波移相器可以全部为金属材质，因此可以实现高功率容量。
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公开(公告)号：CN113097032A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110443718.8
申请日：2021-04-23
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种微波激射器，具体涉及一种微波激射器用长寿命微柱阵列石墨和金属的复合阴极结构及其制备方法。本发明的目的是解决现有微柱石墨阴极结构存在凸起发射结构消耗严重，甚至完全失去凸起发射结构，从而失去稳定发射电子束流的作用，并且石墨材料自身的多孔结构经电子束轰击后易释气，导致系统的真空度下降、束波的耦合效率降低以及系统器件绝缘性下降的技术问题。该阴极结构包括微柱阵列石墨阴极，该微柱阵列石墨阴极包括刀口状环形石墨阴极基体，以及阵列式设置于刀口状环形石墨阴极基体刀口处表面的多个石墨微柱，其改进之处在于：所述刀口状环形石墨阴极基体的表面以及各个石墨微柱的顶端和侧壁都均匀粘附有金属涂层，所述金属涂层采用难熔金属。
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公开(公告)号：CN109632456B
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201811527792.2
申请日：2018-12-13
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明提出一种辐照腔中大型效应物内部场强全局增强的装置，提高了大型效应物内部大块区域的场强，达到了大型效应物内部测点场全局增强的效果。本发明在辐照腔工作空间上、下平板的间距减小可以增加工作空间的场强、以及电磁波在介质表面会发生反射和折射理论的基础上，研究辐照腔中大型效应物内部场强的全局增强方式时发现，采用在辐照腔工作下金属板上放置一定尺寸、形状及介质参数的介质块、效应物搁置在该介质块上、并给效应物加上介质套时，大型效应物内部的场出现了全局增强的现象，而且场强增强的效果在一定程度上要好于减小辐照腔工作空间上、下平行板的间距以及增加辐照腔激励源的电压峰值等常规手段。
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公开(公告)号：CN111799141A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010681400.9
申请日：2020-07-15
Applicant: 西北核技术研究所
IPC: H01J25/46 , H01J23/12 , H01J23/083
Abstract: 为了提高低磁场相对论返波管的束波转换效率，本发明提供一种束流群聚增强的低磁场相对论返波管。包括返波管管体、环形阴极、阳极、管头、谐振反射器、非均匀慢波结构、提取腔、输出波导和磁场线圈；阳极从前往后依次包括阳极漂移段、阳极腔前漂移段及阳极腔；管头为矩形管头；阳极腔前漂移段为沿返波管管体内壁周向设置的矩形截面环形凸起；阳极腔为沿返波管管体内壁周向开设的矩形截面环形腔体，位于矩形管头前侧，环形阴极后侧。本发明采用矩形管头结构代替原有的斜面管头结构，以在高电压脉冲注入时增强管头附近的局部径向电场；在管头前增加阳极腔，增强对低磁场束流包络的抑制，进而促进束流在射频场中的调制和群聚，有利于实现效率的提高。
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