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公开(公告)号：CN106771413A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201610991024.7
申请日：2016-11-10
Applicant: 苏州维业达触控科技有限公司 , 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种触摸屏导电膜及测试方法，触摸屏导电膜包括导电膜和测试引脚，测试引脚电连接有向外延伸的测试导线。触摸屏导电膜的测试方法包括以下步骤：从导电膜的测试引脚开始连接向外延伸的测试导线；测试设备连接测试导线进行对导电膜的测试；完成测试后分离测试导线。本发明既保证了电性可以准确测试，也避免了绑定位置的破坏，将测试造成的不良降低为零。
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公开(公告)号：CN105489784A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510906030.3
申请日：2015-12-09
Applicant: 苏州大学 , 苏州苏大维格光电科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种柔性导电电极的制备方法及该方法制备的电极及其应用，制备方法包括以下步骤：(1)光掩膜版制备：将导电线栅光刻到光掩膜上；(2)电沉积模具制备：然后将线栅型光掩膜版进行紫外曝光，形成图形化线栅沟槽；(3)电沉积工艺：将金属基板放置于电铸沉积槽中，生成电沉积层；(4)生成柔性导电电极：将金属基板上涂布一层固化胶，柔性衬底覆盖于固化胶上，经过紫外固化后脱模，获得柔性导电电极。本发明制备的柔性导电电极的表面平整度只取决于所用金属基板材料的表面平整度，具有较高平整表面，制备的OLED装置不会因透明电极的表面起伏较大，引起背电极与基底相接触，造成短路而损毁，大大提升了使用寿命。
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公开(公告)号：CN105405752A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510932682.4
申请日：2015-12-15
Applicant: 苏州大学 , 苏州苏大维格光电科技股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/283 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种柔性纳米线栅型透明导电电极的制作方法，与已有技术相比，本发明制作的柔性透明电极的导电线栅结构，有选择性电沉积过程生长而成，最小线宽可达几十纳米。但电沉积形成的纳米线栅本身电导率较高，即便线栅宽度和厚度仅为几十纳米，仍然能保证较低的方阻值。本发明提出的柔性透明电极的制作方法，不仅可以制作单一功能电极，更可以通过在纳米转印模具表面沉积不同的材料层，经过多次转印过程制作多层复合电极、或者制作具有不同导电功能区的透明电极。
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公开(公告)号：CN102798917B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201110136683.X
申请日：2011-05-25
Applicant: 苏州大学 , 苏州苏大维格光电科技股份有限公司
Abstract: 一种彩色图像的制作方法及使用该方法制作的彩色滤光片。该彩色图像和彩色滤光片的色彩由法布里-珀罗谐振腔的共振特性表征。通过纳米压印工艺，制作出具有不同厚度的法布里-珀罗谐振腔，这些不同厚度的法布里-珀罗谐振腔分别对应红色、绿色和蓝色。这些红色、绿色、蓝色法布里-珀罗谐振腔根据分色原理分布，并且其组合在宏观上满足具有表现整体图像的效果。
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公开(公告)号：CN101976020B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201010503788.X
申请日：2010-10-12
Applicant: 苏州苏大维格光电科技股份有限公司 , 苏州大学
Abstract: 一种光刻装置及光刻方法，该光刻装置根据光路的可逆原理在光阑的共轭位置处设置检测装置，可以检测光束在待刻物件表面的汇聚和成像信息，提高光刻光点的品质，同时该光刻方法应用上述光刻装置实现在刻蚀过程中无论由待刻物件表面的凹凸情况引起的离焦现象，还是由填充液加热导致的折射率变化而引起的离焦现象，都能即时地、精确地进行自动调焦，从而保证了移动式曝光的光刻质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101477326B
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN200910028296.7
申请日：2009-02-06
Applicant: 苏州苏大维格光电科技股份有限公司 , 苏州大学
Abstract: 本发明公开了一种多视角图形输入的三维图形直写方法，包括下列步骤：(1)获得三维物体的分视角平面数字图像；(2)对每幅图像进行分色并分割成子图，在各图像中对应位置相同的子图为一组；(3)取一组子图，分别采用迭代傅里叶变换原理，计算每一子图在远场的光场分布，提取位相信息，按视角排列，编码成H1；(4)用空间光调制器显示H1，并放置于透镜的前焦面，在透镜后焦面上形成多视角图像再现，引入干涉光，通过干涉光路在记录材料上记录再现图像；(5)对应下一组子图的位置，移动记录材料的位置；(6)重复上述步骤至所有子图记录完毕，实现三维图形的记录。本发明用激光直写的方式制作三维图形，图形具有丰富的信息表达特征。
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公开(公告)号：CN101510053B
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200910028297.1
申请日：2009-02-06
Applicant: 苏州大学 , 苏州苏大维格光电科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于紫外激光干涉光刻直写系统的光学镜头，其特征在于：由物方透镜组A和像方透镜组B两组透镜组成，A组透镜由A3、A2、A1三片透镜组成，B组透镜由B1、B2、B3、B4四片透镜组成；光线传播方向依次为A3、A2、A1、B1、B2、B3、B4；其中，A1、B1为弯月型凹透镜，A2、B2为双凸透镜，A3、B3、B4为弯月型凸透镜。本发明的像方透镜采用四片结构设计，因而其数值孔径大，干涉条纹的结构精细；限定物方数值孔径，可以减少透镜数量，降低实际加工的累积工艺误差，并且便于与干涉镜头物方的衍射光栅配合；可以在激光干涉直写系统上实现亚波长结构的制作。
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公开(公告)号：CN101551482A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910028285.9
申请日：2009-01-24
Applicant: 苏州大学 , 苏州苏大维格光电科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种亚波长光栅结构彩色滤光片及其制作方法，滤光片包括：透明基底、位于该基底上的三色像素阵列，其特征在于：所述三色像素阵列由光栅阵列构成，所述光栅阵列由介质层和金属层构成，金属层位于介质层的外面，每一光栅的周期与其滤光的颜色相对应，三种周期的光栅分别用于对入射光中的红、绿、蓝三色进行滤光。其制作是在透明基底上依次涂布介质层和金属层，并且使该介质层和金属层形成凹凸的光栅结构。本发明只需改变光栅的周期，就可获得针对R、G、B三色的透射光谱，降低了加工彩色滤光片的难度；获得的滤光片具有合适的透射光谱，色纯度好；偏振光透过率高。
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公开(公告)号：CN100495215C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200610037797.8
申请日：2006-01-12
Applicant: 苏州大学 , 苏州苏大维格数码光学有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明公开了一种对光滑表面进行光刻蚀的方法，采用大功率激光器作为光源，将激光束准直成平行光，经过光阑及透镜后，由分束元件产生分束光束，再会聚到材料表面，形成均匀干涉条纹光场，在光滑表面材料上进行超过材料损伤阈值的光蚀实现图像制作，其特征在于：所述光源采用紫外光输出的大功率二极管泵浦的固态激光器的三倍频或四倍频，所述光阑为可调矩形光阑，在同一位置进行单次脉冲加工，控制激光器的功率，使得在干涉条纹的光强相长处材料发生气化，在材料表面形成条纹结构。并以此制作方法实现微米级条纹高速激光光蚀系统，从而使得激光微米级光栅图像的加工进入真正意义上的工业化应用阶段，是一种微米级结构的先进制造技术。
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公开(公告)号：CN101290371A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200810123710.8
申请日：2008-05-30
Applicant: 苏州大学 , 苏州苏大维格数码光学有限公司
Abstract: 本发明公开了一种亚波长光栅结构偏振片，包括透明基底、介质光栅、第一金属层和第二金属层，所述介质光栅具有周期性间隔设置的脊部和沟槽，所述第一金属层覆盖于介质光栅的脊部，所述第二金属层覆盖于介质光栅的沟槽中，介质光栅的周期小于入射光波长，其特征在于：在所述透明基底和介质光栅之间，设有高折射率介质层，所述高折射率介质层的折射率在1.6至2.4之间。通过在透明基底和介质光栅之间增加高折射率介质层，提高了偏振片的TM光的透射效率和消光比。在整个可见光波段，该偏振片具有高透射效率、高消光比、宽广的入射角度范围。在工艺上，采用纳米压印技术加工制作，制作过程简便易操作，不需要刻蚀工艺，降低了加工成本。
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