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公开(公告)号：CN102718408A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210205758.X
申请日：2012-06-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种制造气体敏感薄膜的方法，包括：将氧化剂和纳米结构材料溶于溶剂中；将混合溶液涂敷于基片上；将基片置入导电聚合物单体气氛中第一时间。本发明实施例中，将氧化剂和纳米结构材料混合溶液涂敷于基片上可以在基片上获得氧化剂/纳米结构材料复合纳米薄膜，然后基片置入导电聚合物单体气氛中一段时间，这样，可以通过简单的化学气相聚合方法修饰氧化剂/纳米结构材料复合纳米薄膜而获得导电聚合物/纳米结构材料复合纳米薄膜，该复合纳米薄膜作为气体敏感薄膜。该方法成本低，可以廉价的实现薄膜的大面积制备，且简单的单体化学气相聚合过程保证了获得的导电聚合物/纳米结构材料复合纳米薄膜结构的性能稳定性。
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公开(公告)号：CN102623175A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210112202.6
申请日：2012-04-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米电容器的制备方法，首先通过Langmuir-Blodgett（LB）膜方法在基底上制备高密度中空纳米粒子薄膜作为电容器一个电极，然后在中空纳米粒子表面采用原子沉积（ALD）方法沉积介电纳米薄膜作为电容器介质材料，最后在介电薄膜上通过ALD方法沉积金属纳米薄膜作为电容器另一个电极，形成一种金属-绝缘体-金属的纳米电容器结构。该方法所制备的纳米电容器及阵列化技术克服了现有技术中所存在的缺陷，并且制备方法合理简单，易于操作。
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公开(公告)号：CN102623173A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210112199.8
申请日：2012-04-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于氧化铝有序纳米孔结构的电容器的制备方法，对多孔氧化铝基体材料进行表面等离子体处理；采用原子层沉积的方法制备金属纳米薄膜作为电容器的一个电极；采用原子层沉积方法沉积介电纳米薄膜作为电容器的介质材料；采用化学静电自组装方法制备导电聚合物复合纳米薄膜作为介质材料与另一个电极间的过渡材料；采用原子层沉积方法制备金属纳米薄膜作为电极材料，从而在氧化铝多孔纳米结构中获得一种金属-绝缘体-聚合物半导体-金属的电容器结构。该方法所制备的电容器具有纳米层状结构，使得电容器具有大的能量密度，并易于实现阵列化。同时该电容器制备技术克服了现有技术中所存在的缺陷，并且制备方法合理简单，易于操作。
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公开(公告)号：CN107132248B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201710492171.4
申请日：2017-06-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种自供能传感器及其制备方法，属于传感器技术领域。本发明结构其结构由下至上依次包括层叠的多孔基片、第一银纳米线薄膜、P型多孔导电聚合物、多孔热释电薄膜、N型多孔导电聚合物和第二银纳米线薄膜。本发明自供能传感器采用多孔热释电薄膜材料同时作为敏感单元和能量采集单元，避免了制备不同功能薄膜时各功能薄膜之间所存在的成膜工艺不匹配、成膜不均匀和相容性不好的问题；本发明器件结构设计合理，能够协同实现能量采集与产生气敏信号，使得器件结构高度集成且提高了气敏单元的灵敏度；此外，本发明制备工艺简单可控、成本低廉，在柔性电子器件具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN107863174A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201711065372.2
申请日：2017-11-02
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H01B1/22 , C08G61/126 , C08G73/0266 , C08G2261/11 , C08G2261/3223 , H01B13/00
Abstract: 本发明公开一种柔性复合电极材料及其制备方法，属于柔性电子技术领域。本发明将有机线型聚合物与金属纳米线混合，使得金属纳米线分散于有机线型聚合物的网状结构中，然后选择性地在金属纳米线表面进行化学聚合形成导电聚合物，得到导电聚合物包裹金属纳米线的导电复合物，通过成膜工艺及成膜后的淬火处理，有利于导电复合物在有机线型聚合物网状结构中均匀分散并形成有效导电通道，从而在保证电极薄膜高导电性的同时获得高延展性。本发明提出的柔性复合电极薄膜材料能够保证在薄膜拉伸后其电学性能不发生明显变化，并且其制备工艺简单可控、成本低廉、流程可控，有利于实现大规模生产，在高性能柔性电子器件领域具有广阔的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103887075B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201410144026.3
申请日：2014-04-11
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种制造高比容电极薄膜的方法，包括：采用反向胶束聚合法合成石墨烯/导电聚合物/导电聚合物纳米结构复合溶液，然后制备石墨烯/导电聚合物/导电聚合物纳米结构复合纳米薄膜，接着采用快速升温干燥法制备多孔石墨烯/导电聚合物/导电聚合物纳米结构复合纳米薄膜，最后采用电化学方法制备石墨烯/导电聚合物/导电聚合物纳米结构/金属氧化物复合纳米薄膜，从而获得一种高比容电极薄膜。该方法制备的复合纳米电极为多组份的复合纳米薄膜，在高比容量电化学储能材料上具有广泛的用途。
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公开(公告)号：CN105118689A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510573793.0
申请日：2015-09-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01G11/86
Abstract: 本发明实施例公开了一种制备柔性电极薄膜的方法，包括：将改性处理后的导电聚合物单体和单层二硫化钼水分散液加入去离子水和无水乙醇的混合溶液中并分散，获得混合分散液；在混合分散液中加入引发剂，使得混合分散液中的导电聚合物单体原位聚合，获得二硫化钼/导电聚合物复合分散液；使二硫化钼/导电聚合物复合分散液通过微孔滤膜进行过滤，形成二硫化钼/导电聚合物复合薄膜。本发明的实施例中，将单层二硫化钼与导电性相对较好的导电聚合物材料进行复合，一方面利用导电聚合物良好的导电性能和赝电容特性，另外一方面结合单层二硫化钼的强度以及高比表面积，通过两种材料的协同作用得到具有高比容量、良好导电性能以及柔性的复合薄膜电极材料。
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公开(公告)号：CN105085961A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510503650.2
申请日：2015-08-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种制造导电聚合物热释电纳米薄膜的方法，包括：采用模版法制备导电聚合物纳米线，然后通过LB膜法制备导电聚合物纳米线薄膜，最后采用化学方法对纳米线薄膜进行掺杂及还原，获得导电聚合物热释电纳米薄膜结构。采用本发明制备的导电聚合物热释电纳米薄膜具有热释电系数高、热导低、稳定性好的优点，在微/纳能量采集及能量存储器件上具有广泛的用途。
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公开(公告)号：CN103112238B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201310030371.X
申请日：2013-01-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: B32B37/15
Abstract: 一种导电聚合物复合薄膜电的制备方法，属于电子功能材料技术领域。本发明提供的导电聚合物复合薄膜的制备方法，主要包括两个过程：（1）在基片表面气相沉积一层导电聚合物薄膜A；（2）在导电聚合物薄膜A表面旋涂原位聚合的导电纳米粒子掺杂的导电聚合物薄膜B。本发明充分结合气相沉积、原位聚合和旋涂工艺各自制备薄膜的优点，能够制备出均匀性好、比容量大、稳定性高的复合薄膜，所制备的复合薄膜可在电池、传感器以及电化学电容器方面具有良好的用途。
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公开(公告)号：CN102709071B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201210179910.1
申请日：2012-06-04
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 一种导电聚合物修饰的超级电容器及其制备方法，属于超级电容器技术领域。本发明采用MEMS技术将多个微型电容器集成于单一硅基片中，多个微型电容器之间通过并联（或串联后再并联）方式形成超级电容器。所有微型电容器包括一对微型凹槽，两个微型凹槽之间具有一个隔离柱，隔离柱的高度低于微型凹槽的深度；微型凹槽的槽壁沉积有金属电极层和导电聚合物薄膜；微型凹槽内部灌注电解液后密封封装。微型电容器制作过程中，在金属电极层上用简单有效的直接化学聚合导电聚合物薄膜，用以修饰电容器电极来提高微电极比容量、降低等效串联电阻。本发明提供的导电聚合物修饰的超级电容器具有比容量大、集成度高的特点，可作为各种电源或储能器件使用。
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