一种导电聚合物修饰的超级电容器及其制备方法

    公开(公告)号:CN102709071B

    公开(公告)日:2014-10-15

    申请号:CN201210179910.1

    申请日:2012-06-04

    CPC classification number: Y02E60/13

    Abstract: 一种导电聚合物修饰的超级电容器及其制备方法,属于超级电容器技术领域。本发明采用MEMS技术将多个微型电容器集成于单一硅基片中,多个微型电容器之间通过并联(或串联后再并联)方式形成超级电容器。所有微型电容器包括一对微型凹槽,两个微型凹槽之间具有一个隔离柱,隔离柱的高度低于微型凹槽的深度;微型凹槽的槽壁沉积有金属电极层和导电聚合物薄膜;微型凹槽内部灌注电解液后密封封装。微型电容器制作过程中,在金属电极层上用简单有效的直接化学聚合导电聚合物薄膜,用以修饰电容器电极来提高微电极比容量、降低等效串联电阻。本发明提供的导电聚合物修饰的超级电容器具有比容量大、集成度高的特点,可作为各种电源或储能器件使用。

    基于聚偏氟乙烯和石墨烯的复合介质薄膜材料及制备方法

    公开(公告)号:CN102729562A

    公开(公告)日:2012-10-17

    申请号:CN201210179758.7

    申请日:2012-06-04

    Abstract: 基于聚偏氟乙烯和石墨烯的复合介质薄膜材料及其制备方法,属于电子功能材料技术领域。所述复合介质薄膜由聚偏氟乙烯和石墨烯复合而成;其中石墨烯的质量百分比含量为复合介质薄膜质量的0.5%到3%。制备时,首先配制聚偏氟乙烯粉末的有机溶液(体系A);然后往体系A中加入石墨烯粉末,得到体系B;再采用超声雾化工艺,将体系B喷涂于衬底表面;最后将喷涂于衬底表面的体系B烘干,得到基于聚偏氟乙烯和石墨烯的复合介质薄膜材料。本发明在聚偏氟乙烯薄膜中掺入接近但不超过逾渗阈值的石墨烯,得到高出纯聚偏氟乙烯薄膜材料介电常数100%以上的复合介质薄膜材料,且保持了原有的柔韧性和易加工性;其制备方法简单、易控,成本低廉。

    一种导电聚合物修饰的超级电容器及其制备方法

    公开(公告)号:CN102709071A

    公开(公告)日:2012-10-03

    申请号:CN201210179910.1

    申请日:2012-06-04

    CPC classification number: Y02E60/13

    Abstract: 一种导电聚合物修饰的超级电容器及其制备方法,属于超级电容器技术领域。本发明采用MEMS技术将多个微型电容器集成于单一硅基片中,多个微型电容器之间通过并联(或串联后再并联)方式形成超级电容器。所有微型电容器包括一对微型凹槽,两个微型凹槽之间具有一个隔离柱,隔离柱的高度低于微型凹槽的深度;微型凹槽的槽壁沉积有金属电极层和导电聚合物薄膜;微型凹槽内部灌注电解液后密封封装。微型电容器制作过程中,在金属电极层上用简单有效的直接化学聚合导电聚合物薄膜,用以修饰电容器电极来提高微电极比容量、降低等效串联电阻。本发明提供的导电聚合物修饰的超级电容器具有比容量大、集成度高的特点,可作为各种电源或储能器件使用。

    一种聚合物叠片式电容器及其制备方法

    公开(公告)号:CN102709053A

    公开(公告)日:2012-10-03

    申请号:CN201210179909.9

    申请日:2012-06-04

    CPC classification number: H01G4/008 H01G4/18 H01G4/30 H01G9/028

    Abstract: 一种聚合物叠片式电容器及其制备方法,属于电子元器件技术领域。由于介电常数较高的有机聚合物加工性能较差,不能采用卷绕方式制作电容器,本发明采用层叠方式制作的聚合物叠片式电容器,可精确控制每层有机聚合物介质薄膜的尺寸、厚度;同时本发明采用的是有机聚合物电极材料,可以大大提电极的有效面积;同体积下本发明的聚合物叠片式电容器可以达到传统的金属化薄膜电容器容量的10~100倍,推进了片式电容器的小型化大容量化进展。此外本发明采用的叠片方块状结构,可以增强产品端面耐电流冲击的能力,减小电感,提高产品稳定性和可靠性;同时本发明的聚合物叠片式电容器采用的材料是聚合物,可减少对资源性原材料的使用,达到环保节能的目的。

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