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公开(公告)号：CN111235423A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010041791.8
申请日：2020-01-15
申请人： 电子科技大学
摘要： 一种室温高自旋霍尔角铂-稀土薄膜材料，属于自旋电子新材料技术领域。所述薄膜材料为生长于基片表面的铂-稀土合金薄膜，所述铂-稀土合金薄膜中，稀土元素的摩尔百分比为1mol％～60mol％，铂的摩尔百分比为40mol％～99mol％。本发明提供的一种室温高自旋霍尔角铂-稀土薄膜材料及其制备方法，简单可行，制得的铂-稀土薄膜相对于纯铂薄膜的室温下的自旋霍尔角度显著增加，室温自旋扩散长度减小；与纯铂金材料的自旋霍尔效应相比，自旋流的产生效率增加，成本降低，可实现在大面积半导体晶圆片上的均匀制备，为巨自旋霍尔材料的大面积制备与研究提供了一种新的方法。
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公开(公告)号：CN107244916B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201710355178.1
申请日：2017-05-19
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/622
摘要： 一种铌酸盐系低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法，属于微波电子陶瓷材料及其制备领域。包括主晶相和占主晶相重量百分比为1％～4％的锌硼玻璃，所述主晶相为Ni1‑xZnxTiNb2O8，其中，0.2≤x≤0.8；所述锌硼玻璃以其标准物计的含量为：ZnO 50mol％～70mol％，HBO3 30mol％～50mol％。本发明提供的陶瓷材料在900～950℃烧结良好，其介电常数εr＝32～35，Q×f＝13000～21000GHz，谐振频率温度系数τf＝‑15～+6ppm/℃，可广泛应用于LTCC叠层微波器件中。
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公开(公告)号：CN111063799A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN202010006849.5
申请日：2020-01-03
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L43/14
摘要： 本发明涉及一种驱动磁斯格明子的方法，包括以下步骤：在薄膜中形成奈尔型磁斯格明子；在圆柱形铁磁材料中施加目标频率的涡旋光场，激发出目标模式的涡旋自旋波；涡旋自旋波通过材料间的层间耦合作用传播至所述薄膜中，从而驱动所述奈尔型磁斯格明子运动。本发明可以有效地解决斯格明子霍尔效应引起的横向漂移运动问题，而且用自旋波来驱动斯格明子能够避免焦耳热的问题，更加有效的减小信息传输过程中的损耗。在材料存在缺陷的情况下，通过自旋波可以驱动磁性斯格明子翻越大尺度的缺陷，进而达到磁性斯格明子精确操控的目的。此外，和扭曲的光子(光学涡旋)驱动磁性斯格明子的旋转运动相比，该方法实现起来更加容易。
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公开(公告)号：CN107675131B
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201710838725.1
申请日：2017-09-18
申请人： 电子科技大学
摘要： 一种柔性基SmCo永磁薄膜的制备方法，属于柔性薄膜制备技术领域。首先，在Si基底上沉积SmCo永磁薄膜；然后将得到的薄膜在600～900℃温度下进行退火处理；最后将退火处理后的SmCo永磁薄膜采用剥离的方式实现从Si基片上转移至柔性衬底上的过程，即可得到所述柔性基SmCo永磁薄膜。本发明利用SmCo永磁薄膜和Si基片的热膨胀系数差异大、附着力较弱的特点，提出了通过剥离的方式实现将SmCo永磁薄膜从Si基片上转移至柔性衬底上的方法，操作简单，成本低，易于实现。
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公开(公告)号：CN110635204A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910800734.0
申请日：2019-08-28
申请人： 电子科技大学
摘要： 一种宽阻带高抑制带通腔体滤波器，属于微波器件领域。所述腔体滤波器为一个带通梳状滤波器，由谐振腔、谐振柱、调谐螺钉、输入输出结构以及两侧盖板组成，其特征在于，所述带通梳状滤波器的每根谐振柱上均设置哑铃型横杆，且所有横杆位于同一高度上，通过横杆间的间隙电容完成谐振单元间的耦合；两侧盖板上设置多个尺寸相同的、与谐振柱开路端的顶部齐平的矩形金属块，每根谐振柱的两侧的矩形金属块呈对称分布，哑铃型横杆对矩形金属块呈半包围结构。本发明通过哑铃型横杆之间进行耦合，可以对滤波器的寄生通带产生抑制能力，使得滤波器到五次谐波均能产生良好抑制，从而实现了宽阻带高抑制带通腔体滤波器。
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公开(公告)号：CN108389718B
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201810112294.5
申请日：2018-02-05
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明涉及一种同时具有面内面外易磁化方向的磁性双层石榴石材料及其制备方法，制备方法包括在钇铁石榴石薄膜基片上制备外延石榴石磁性薄膜的步骤；其中，钇铁石榴石薄膜基片和外延石榴石磁性薄膜的易磁化方向不同。本发明采用面内易磁化的石榴石磁性材料作为外延薄膜材料，并通过液相外延法、磁控溅射法或脉冲激光沉积法制备在钇铁石榴石薄膜基片上，从而增强YIG面外磁矩分量，最终制备得到同时具有面内面外易磁化方向的磁性双层石榴石材料；制备方法简单且多样化。
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公开(公告)号：CN108470825B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201810264358.3
申请日：2018-03-28
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L41/20 , H01L41/316 , H01L41/09
摘要： 一种基于负泊松比磁致伸缩衬底的磁电声表面波器件，属于电子信息功能材料与器件技术领域。所述磁电声表面波器件包括磁致伸缩衬底、压电薄膜和叉指换能器，磁致伸缩衬底为具有负泊松比和拉胀效应的磁致伸缩材料，其厚度大于2倍声表面波波长。本发明提供的磁电声表面波器件中，采用具有负泊松比和拉胀效应的磁致伸缩块材作为磁致伸缩衬底，衬底厚度可达到毫米级别，有效改善了对压电薄膜厚度的限制；本发明提供的磁电声表面波器件在获得优良取向的压电薄膜的同时，可显著提高器件的工作中心频率f0，使得后端频率计数器能更加准确地测试中心频率随磁场的变化，有利于提高磁场探测的灵敏度。
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公开(公告)号：CN106316396B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201610712456.X
申请日：2016-08-23
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01B3/12 , C04B35/495 , C04B35/64
摘要： 一种石榴石结构低温烧结微波介质陶瓷材料，属于电子信息功能陶瓷材料与电子器件技术领域。所述微波介质陶瓷材料由主料和玻璃相助烧剂构成，其中主料的重量百分比为98％～100％，玻璃相助烧剂的重量百分比为0％～2％，所述主料为Ba2LiMg2V3O12，所述玻璃相助烧剂由原料按照摩尔比ZnO：P2O5：MnO2＝13:6:1配制。本发明得到的微波介质陶瓷材料为石榴石结构，具有烧结温度低、介电常数低、品质因数较高、温度稳定性优异等特点，为微波介质元器件向高频化、集成化、LTCC化发展提供了一种有效解决方案。
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公开(公告)号：CN110176533A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910389022.4
申请日：2019-05-10
申请人： 电子科技大学
摘要： 一种光响应的自旋电子器件及其制备方法，属于自旋电子功能器件技术领域。所述光响应的自旋电子器件，包括衬底，以及依次形成于衬底之上的磁性薄膜、半导体薄膜和重金属电极。本发明自旋电子器件，基于“磁性薄膜/半导体薄膜/重金属电极”异质结构，通过在磁性薄膜与重金属电极之间增加半导体光响应层，使自旋电子器件中的自旋流输运过程具备响应外界光照作用的能力。当光照射自旋电子器件时，会在半导体薄膜中产生光生载流子，改变“磁性薄膜/半导体薄膜/重金属电极”界面阻抗匹配，实现对自旋流从磁性层向半导体薄膜注入效率的调节；同时，光生载流子浓度影响自旋扩散长度，改变逆自旋霍尔电压信号，实现逆自旋霍尔电压对光照强度的检测。
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公开(公告)号：CN110098451A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910329401.4
申请日：2019-04-23
申请人： 电子科技大学
摘要： 一种基于极化电流调控的自旋波移相器，属于磁振子器件技术领域。所述自旋波移相器包括自旋波波导4、位于自旋波波导上方的铁磁层1、位于铁磁层1之上的重金属层2、以及与重金属层两端相连用于通入电流的两个电极3，其中，所述自旋波波导4与铁磁层1之间存在间隔，所述铁磁层的长边与自旋波波导的传输方向垂直，所述铁磁层为非对称结构，以产生形状各向异性。本发明基于极化电流调控的自旋波移相器是通过SOT效应实现调控的，所需电流强度较小；与现有极化电流调控铁磁材料的翻转相比，本发明的铁磁层弛豫结果依赖于自身的形状各向异性，仅需通入短暂的电流脉冲即可实现，效率和能耗均更具优势。
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