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公开(公告)号：CN109814283B
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201910238081.1
申请日：2019-03-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种低电压驱动的常开型太赫兹超表面调制器及制备方法，包括高阻硅衬底、埋栅电极、二氧化钒薄膜以及超表面层微结构，高阻硅衬底表面上侧依次是二氧化钒薄膜、超表面层微结构；二氧化钒薄膜包括正方形二氧化钒薄膜块和隔离二氧化钒薄膜，超表面层微结构由若干个金属结构单元周期性排列构成，每个金属结构单元为一个正方形金属块，每个正方形金属块中部设有一个H型槽，H型槽中间的横向段下方设有一个正方形二氧化钒薄膜块，每个正方形金属块的底部通过金属条相连，并最终与漏电极相连接。本器件可广泛应用于太赫兹波通信系统、太赫兹波探测、太赫兹波成像等领域。
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公开(公告)号：CN110124719A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910423596.9
申请日：2019-05-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种高结晶氮化碳光催化材料的制备方法及应用，属于半导体光催化材料技术领域。首先，将三聚氰胺置于马弗炉中进行煅烧，得到七嗪前驱体；然后，将七嗪前驱体、钾盐和锂盐研磨混合均匀，并置于马弗炉中进行煅烧，取出后，经清洗、干燥，得到晶化氮化碳；将得到的晶化氮化碳分散在盐酸中，持续搅拌，洗涤，干燥，即得所述高结晶氮化碳光催化材料。本发明将晶化氮化碳在盐酸水溶液中处理，使得到的氮化碳的结晶度大大增强，高结晶度的氮化碳在迁移光生载流子和抑制光生电子空穴对方面有很大的优势。同时，嵌入高结晶氮化碳中间层的钾离子也为光生电子的迁移作出了很大的贡献。得益于这两个特性，本发明高结晶氮化碳的光催化产氢活性大大增强。
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公开(公告)号：CN110031923A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201910318273.3
申请日：2019-04-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种可拉伸式双面超宽带太赫兹吸波材料及其制备方法，包括可拉伸粘合剂层，可拉伸粘合剂层的上方设有上层石墨烯泡沫层，可拉伸粘合剂层的下方设有下层石墨烯泡沫层，上、下两层石墨烯泡沫层形状及大小完全一致并错位堆叠，上层石墨烯泡沫层旋转20-50°后得到下层石墨烯泡沫层；本发明的有益效果为：①可实现超宽带高吸收率，在0.2-3.0THz超大频率范围内吸收率都在80％以上，且最大吸收率可达90％；②在可拉伸粘合剂层的作用下实现可拉伸性，在20％的一维拉伸量下对太赫兹波的吸收率基本不变，且拉伸具有可恢复性；③制作工艺简单，成本低。
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公开(公告)号：CN105506554B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201511005884.0
申请日：2015-12-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: C23C14/22 , C23C14/35 , C23C14/24 , H01L31/0216
Abstract: 一种可见光/红外波段纳米光学吸收涂层及其制备方法，属于材料技术领域。包括金属基板及生长于金属基板上的具有光电响应特性的半导体光学涂层薄膜，所述金属基板为可见光/红外高反射率金属基板，所述半导体光学涂层薄膜的厚度为10nm～180nm，采用磁控溅射法、热蒸发法或分子束外延法等真空物理气相沉积方式生长。本发明得到的半导体光学涂层薄膜厚度为10～180nm时截止波长即可覆盖400nm～1800nm的范围，其厚度远小于光学吸收波长的1/4；且具有制备工艺简单、超薄、易于大面积集成等优点，在光学镜片涂层、超薄光电探测器以及太阳能电池等领域有着广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN105506554A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201511005884.0
申请日：2015-12-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: C23C14/22 , C23C14/35 , C23C14/24 , H01L31/0216
CPC classification number: C23C14/22 , C23C14/24 , C23C14/35 , H01L31/0216 , H01L31/02168
Abstract: 一种可见光/红外波段纳米光学吸收涂层及其制备方法，属于材料技术领域。包括金属基板及生长于金属基板上的具有光电响应特性的半导体光学涂层薄膜，所述金属基板为可见光/红外高反射率金属基板，所述半导体光学涂层薄膜的厚度为10nm～180nm，采用磁控溅射法、热蒸发法或分子束外延法等真空物理气相沉积方式生长。本发明得到的半导体光学涂层薄膜厚度为10～180nm时截止波长即可覆盖400nm～1800nm的范围，其厚度远小于光学吸收波长的1/4；且具有制备工艺简单、超薄、易于大面积集成等优点，在光学镜片涂层、超薄光电探测器以及太阳能电池等领域有着广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117964360B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202410068516.3
申请日：2024-01-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于微波介电陶瓷材料领域，具体提供一种基于姜泰勒效应改善锌镁钛微波陶瓷性能的方法，使制备得到的锌镁钛微波介电陶瓷材料具有低的介电损耗和低的谐振频率温度系数，适合于制造性能优异的陶瓷基板。本发明采用Zn0.7Mg0.3TiO3体系，通过引入Mn元素，使材料发生姜泰勒效应，晶体结构发生畸变，阻碍离子迁移，增强了陶瓷的结构稳定性；最终，本发明利用姜泰勒效应改善了Zn0.7Mg0.3TiO3微波陶瓷的介电性能，获得了介电常数为20.689，Q×f＝50807.9，谐振频率温度稳定系数为‑22.3ppm/℃的微波介电陶瓷材料，有望用于制造陶瓷基板。
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公开(公告)号：CN119696579A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411828834.1
申请日：2024-12-12
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及模数转换器技术领域，具体涉及一种基于忆阻器的片上可调非均匀量化模数转换器；包括忆阻器阵列单元、输入信号转换电路、输出信号控制转换电路和片上调整电路；输入信号转换电路，用于连接原始输入信号和参考电压，将输入信号与参考电压进行幅值转换；忆阻器阵列单元，用于接收转换后的输入信号与参考电压，并将参考电压分压形成多个参考电压节点；输出信号控制转换电路，用于连接多个参考电压节点，并输出形式为总线形式的数字信号；片上调整电路，用于对忆阻器阵列单元进行选通调节，通过上述方式，实现对数据的非均匀量化，并有效降低量化噪声。
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公开(公告)号：CN116768616B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202310528910.6
申请日：2023-05-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于电子信息功能材料及微电子器件领域，具体提供一种高Q值Li6Zn7Ti11O32基微波介质陶瓷材料及其制备方法，用以优化Li6Zn7Ti11O32微波介质陶瓷的微波介电性能、尤其品质因数Q×f。本发明中微波介质陶瓷材料的化学通式为：Li(1+x)6Zn7Ti11‑x(Li1/4Nb3/4)xO32、0.00
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公开(公告)号：CN117080754A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311131863.8
申请日：2023-09-04
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于吸透一体材料技术领域，涉及频率选择表面雷达吸波体(Frequency Selective Rasorber，FSR)，具体提供一种具有宽频吸收特性的透吸一体三维频率选择吸波体。本发明由上方的三维吸收结构与底部的二维频率选择表面(FSS)两部分构成，在三维吸收结构中采用导电油墨阻抗薄膜代替集总电阻对入射电磁波进行吸收；同时，底部通过二维频率选择表面结构以在工作频带实现低插入损耗的透波带；本发明提供的频率选择吸波体的吸波带在X波段和Ku波段，兼具较宽的吸波带宽和较小的插入损耗，并且具有尺寸小、易于灵活装配等优点，同时具有良好的角度稳定性。
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公开(公告)号：CN116768626A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310180379.8
申请日：2023-02-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/499 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于电子信息功能陶瓷材料与电子器件技术领域，提供一种PbNb2O6基压电陶瓷材料及其制备方法，用以解决PbNb2O6基压电陶瓷难于烧结的问题。本发明压电陶瓷材料主体由PbNb2O6相构成，其分子式为：Pb0.97La0.02(Nb0.936‑xTi0.08Sn1.25x)2O6，x的取值范围为：0.00≤x≤0.10；该材料在Pb0.97La0.02(Nb0.936Ti0.08)2O6的基础上，通过Sn4+离子掺杂改性，使得PbNb2O6基压电陶瓷材料具有致密性好、居里温度高、介电损耗低等特点，为压电元器件向耐高温化、转化效率高化发展提供了一种有效解决方案；同时，该PbNb2O6基压电陶瓷材料的制备方法具有工艺简单、成本低等优点，利用工业化生产。
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