公开(公告)号：CN110799666B

公开(公告)日：2021-10-19

申请号：CN201880041939.9

申请日：2018-05-31

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 长友真圣 ,  八尾章史

IPC: C23C16/44 ,  C01G39/04 ,  C01G41/04 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明的金属氟氧化物的处理方法的特征在于使通式MO(6‑x)/2Fx(0＜x＜6、M＝W或Mo)所示的金属氟氧化物于0℃以上且不足400℃的温度下与含氟气体接触，通过化学反应转换为通式MF6(M＝W或Mo)所示的六氟化金属。于本处理方法中，能够不使用等离子体产生装置而将金属氟氧化物转换为高蒸气压的物质，能够用于氟化金属制造装置的清洁或成膜装置的清洁。

公开(公告)号：CN111886674A

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201980020982.1

申请日：2019-03-05

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 八尾章史 ,  武田雄太 ,  江藤纯

IPC: H01L21/302 ,  C01B7/24 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明的目的在于，提供蚀刻速度快且偏差的抑制优异的基板处理用气体、保管其的保管容器和基板处理方法。本发明的基板处理用气体含有IF5和IF7，IF5的含量相对于IF7整体以体积基准计为1ppm以上且2％以下。

公开(公告)号：CN111279460A

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN201880068626.2

申请日：2018-10-24

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 铃木圣唯 ,  八尾章史

IPC: H01L21/302

Abstract: 本发明提供一种干式蚀刻方法，其特征在于，使包含氟化氢及含氟羧酸的混合气体于小于100℃且无等离子体地与氮化硅接触，蚀刻所述氮化硅。所述含氟羧酸的量优选为所述氟化氢与所述含氟羧的合计量的0.01体积％以上。作为所述含氟羧酸，可列举单氟乙酸、二氟乙酸、三氟乙酸、二氟丙酸、五氟丙酸、五氟丁酸等。通过该干式蚀刻方法，能以高蚀刻速率蚀刻氮化硅，对氧化硅及多晶硅具有高选择比，可抑制对氧化硅的损伤。

公开(公告)号：CN110036460A

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201780073050.4

申请日：2017-10-23

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 大森启之 ,  八尾章史 ,  毛利勇

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明公开一种干式蚀刻剂组合物、及使用其的发明，该干式蚀刻剂组合物含有1,3,3,3-四氟丙烯、与CHxClyFz(x、y、z为1以上的整数，且x+y+z＝4)所表示的氢氯氟烃，且相对于1,3,3,3-四氟丙烯的上述氢氯氟烃的浓度为3体积ppm以上且不足10000体积ppm。本发明的目的在于：于半导体制造工艺中，在无损HFO-1234ze的良好的蚀刻特性的情况下提高HFO-1234ze的保存稳定性，抑制酸性物质的产生，而防止保存容器或配管、蚀刻腔室的腐蚀。

公开(公告)号：CN107533969A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201680020330.4

申请日：2016-03-04

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 中村阳介 ,  藤原昌生 ,  大森启之 ,  八尾章史

IPC: H01L21/3065 ,  C09K13/08 ,  C07C17/383 ,  C07C21/18

Abstract: 本申请涉及一种干法蚀刻气体，其包含纯度为99.5质量％以上，且在气体中混入的Fe、Ni、Cr、Al以及Mo的各金属成分的浓度之和为500质量ppb以下的1,3,3,3‑四氟丙烯。对于该干法蚀刻气体，进一步优选氮含量为0.5体积％以下、水分含量为0.05质量％以下，在使用对干法蚀刻气体进行等离子体化而得到的等离子体气体的干法蚀刻中，能够提高硅系材料相对于掩模的蚀刻选择性。

公开(公告)号：CN102369314B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201080014703.X

申请日：2010-03-04

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 毛利勇 ,  八尾章史 ,  宫崎达夫

IPC: C25B15/08 ,  C25B1/24 ,  C25B9/00

CPC classification number: C25B1/245 ,  C25B15/08

Abstract: 本发明提供一种氟气生成装置，其通过电解熔融盐中的氟化氢从而生成氟气，其包括：电解槽，其存储有熔融盐，在熔融盐液面上分离而区划有第1气室和第2气室，该第1气室用于引导在浸渍于熔融盐中的阳极处生成的以氟气作为主成分的主生成气体，该第2气室用于引导在浸渍于熔融盐中的阴极处生成的以氢气作为主成分的副生成气体；原料供给通路，其与电解槽相连接且用于向熔融盐引导氟化氢；载气供给通路，其与原料供给通路相连接且用于将载气引导到原料供给通路，该载气用于将氟化氢引导到熔融盐中，作为载气，使用在电解槽的阳极处生成的氟气或者在阴极处生成的氢气。

公开(公告)号：CN101801846B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN200880107513.5

申请日：2008-10-10

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 八尾章史

IPC: C01B31/06 ,  C09K3/14 ,  C30B29/04

Abstract: 本发明提供一种氟化纳米金刚石分散液的制作方法，其包括以下工序：纯化工序，将氟化纳米金刚石和碳原子数4以下的醇混合，进行超声波处理而制作悬浮液，对所得的悬浮液进行利用离心分离的分级处理而制作氟化纳米金刚石的分散液；干燥工序，从该纯化工序中获得的氟化纳米金刚石的分散液中除去前述醇，从而制作干燥氟化纳米金刚石；再分散工序，将该干燥工序中获得的干燥氟化纳米金刚石和非质子性极性溶剂混合，利用超声波处理而制作氟化纳米金刚石分散液。