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公开(公告)号：CN111073726B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201911327208.3
申请日：2019-12-20
Applicant: 清华大学
IPC: C10M141/06 , C10M141/08 , C10N30/06
Abstract: 本发明涉及一种微纳米颗粒摩擦添加剂的制备方法及其应用，属于润滑技术领域。本发明方法以无机、有机或金属组成的微纳米颗粒作为对象，根据其物理化学性质来设计并改性表面。通过施加物理场，尤其指外加电场，对颗粒行为进行调控，从而影响微纳米颗粒在液体中或固液界面处的浓度分布、吸附行为或构象，进而实现对摩擦或切削过程的主动控制。本发明制备方法，经过表面设计的微纳米颗粒，不仅可以用于润滑添加剂，还可以用于改善金属切削行为，从而降低了由于摩擦磨损造成的成本，提高了加工精度和生产效率。
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公开(公告)号：CN112003024A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010668433.X
申请日：2020-07-13
Applicant: 清华大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明公开了一种温度调控二维全向金属-介质复合隐身器件及其制作方法，其中，隐身器件包括隐身器件主体和温度控制系统，隐身器件主体包括第一电介质板、第二电介质板和环形金属十字阵列；第一电介质板和第二电介质板交替排列构成层状堆叠结构；第一电介质板的两侧面上分别附着N层环形金属十字阵列，每层环形金属十字阵列包括多个长方体晶格单元；温度控制系统用于控制隐身器主体所处的环境温度，以改变第一电介质板本身的介电常数，使隐身器件主体的频率特性曲线发生移动，实现对隐身器件工作频率的调谐。本发明实现对不同频段的电磁波的隐身，适用范围大、控制方便、结构简单合理、装配方便且结构稳定性高。
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公开(公告)号：CN111969326A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010668434.4
申请日：2020-07-13
Applicant: 清华大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明公开了一种电场调控二维全向金属-介质复合隐身器件，包括隐身器件主体和电场调控系统，隐身器件主体包括第一电介质板、第二电介质板和环形金属十字阵列；第一电介质板和第二电介质板交替排列构成层状堆叠结构，层状堆叠结构为具有圆柱状空间的圆环柱状体；第一电介质板的两侧面上分别附着N层环形金属十字阵列，每层环形金属十字阵列包括多个长方体晶格单元；电场调控系统用于使隐身器件主体的频率特性曲线发生移动，实现对隐身器件工作频率的调谐。本发明实现对不同频段的电磁波的隐身，适用范围大、控制方便、结构简单合理、装配方便且结构稳定性高。本发明还公开了一种电场调控二维全向金属-介质复合隐身器件的制作方法。
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公开(公告)号：CN111073726A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911327208.3
申请日：2019-12-20
Applicant: 清华大学
IPC: C10M141/06 , C10M141/08 , C10N30/06
Abstract: 本发明涉及一种微纳米颗粒摩擦添加剂的制备方法及其应用，属于润滑技术领域。本发明方法以无机、有机或金属组成的微纳米颗粒作为对象，根据其物理化学性质来设计并改性表面。通过施加物理场，尤其指外加电场，对颗粒行为进行调控，从而影响微纳米颗粒在液体中或固液界面处的浓度分布、吸附行为或构象，进而实现对摩擦或切削过程的主动控制。本发明制备方法，经过表面设计的微纳米颗粒，不仅可以用于润滑添加剂，还可以用于改善金属切削行为，从而降低了由于摩擦磨损造成的成本，提高了加工精度和生产效率。
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公开(公告)号：CN109490803A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811201222.4
申请日：2018-10-16
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了用于核磁共振成像系统的超构表面器件及制备方法、核磁共振成像系统。该超构表面器件包括：印刷线路板，印刷线路板包括电介质板和分别设置在电介质板正面和背面的第一电极和第二电极，第一电极沿第一方向延伸，第二电极沿第二方向延伸，第一方向垂直于第二方向，且第二电极在电介质板上的正投影，位于第一电极在电介质板上正投影的两端，以构成平行板电容器；可变电容器，可变电容器与平行板电容器并联连接。由此，该超构表面器件具有结构简单，占用空间小的优点，且该超构表面器件的谐振频率具有可调谐性，使得该超构表面器件的谐振频率与核磁共振成像系统的工作频率能够较好的匹配，提高核磁共振成像系统的测试精度和使用性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106680906A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201610926129.4
申请日：2016-10-24
Applicant: 清华大学
CPC classification number: G02B3/00 , B82B3/0004 , B82Y40/00 , F16C32/0603 , F16C2370/20 , G03F7/2049
Abstract: 本发明提出了等离子体透镜、空气轴承、飞行头、纳米加工系统及其应用。该用于飞行头的等离子体透镜包括：基体，该基体的表面设置有金属薄膜；中心小孔，该中心小孔形成在基体的表面且贯穿金属薄膜；以及多个圆槽，该多个圆槽形成在基体的表面且贯穿金属薄膜，并且多个圆槽与中心小孔构成同心圆；其中，金属薄膜的厚度为30～100nm，多个圆槽的槽周期为300～400nm、槽宽度为100～200nm。本发明所提出的等离子体透镜，能够减小聚束光斑的同时增大光强，可使光刻加工的聚束光被限制在更小的范围内。
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公开(公告)号：CN103926171B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410138965.7
申请日：2014-04-08
Applicant: 清华大学
IPC: G01N11/14
CPC classification number: G01N11/142
Abstract: 本发明公开了一种高速流变仪，包括：底座；驱动装置，所述驱动装置设在所述底座上；下样片系统，所述下样片系统与所述驱动装置相连并在所述驱动装置驱动下沿轴向可转动，待测流体设在所述下样片系统上；上样片系统，所述上样片系统设在所述下样片系统上方，所述上样片系统与所述待测流体相连并在所述流体带动下沿轴向可转动；扭杆，所述扭杆设在所述上样片系统上且在所述上样片系统转动时扭转；光学扭矩测量系统，所述光学扭矩测量系统检测所述扭杆偏转的角度以得到剪切所述待测流体产生的扭矩。根据本发明实施例的高速流变仪，不仅提高了测量的精度，而且测量范围能覆盖低速区域和高速区域，增大了测量量程和测量范围。
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公开(公告)号：CN103234449B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201310170146.6
申请日：2013-05-09
Applicant: 清华大学
IPC: G01B7/06
Abstract: 本发明提出了一种有效减小提离波动影响的导体膜厚度测量方法，包括以下步骤：将电涡流传感器置于与导体膜间隔预定距离的位置；向电涡流传感器输入预定频率范围的交变电流作为激励信号；获取电涡流传感器的等效阻抗随激励信号的频率的变化关系曲线，以便得到等效阻抗的实部与激励信号的频率的比值；得到比值随所述激励信号的频率变化的关系曲线；得到关系曲线中的峰值点的激励频率；比较待测导体膜对应的峰值激励频率与标样的峰值激励频率，以得到待测导体膜的厚度值。该方法可以简便、快速地测量导体膜厚度，且能够减小提离波动对厚度测量的影响，从而提高测量精度。本发明还提出了一种有效减小提离波动影响的导体膜厚度测量装置。
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公开(公告)号：CN102967772B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201210449262.7
申请日：2012-11-09
Applicant: 清华大学
IPC: G01R29/08
Abstract: 一种二维全自动电磁场分布测试系统，属于电磁场实验测试技术领域。该系统包括二维电控平移台、矢量网络分析仪、波导测试系统和控制与数据处理系统，波导测试系统包括发射极子天线、接收极子天线、上金属平板、下金属平板、吸波材料、由上下两块金属平板构成的平行波导测试腔和测试腔开启装置。通过改变接收极子在上金属平板的位置，该系统可实现较大空间范围和电磁波扫描频率的电磁场测量；通过控制接收极子天线在垂直方向运动，可实现不同高度的电磁场测量。本发明能够实现点源和平面波源两种发射模式，并能快速精确全自动扫描测试平行波导测试腔内的电磁场，在实验电磁场测试领域有重要应用。
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公开(公告)号：CN102564378B
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201110452341.9
申请日：2011-12-29
Applicant: 清华大学
IPC: G01B21/08
Abstract: 本发明提出一种用于晶圆台的晶圆膜厚度测量的误差补偿方法，包括测量系统误差；控制升降气缸升起以接收晶圆并启动吸盘对晶圆进行吸附，控制升降气缸下降；控制电机旋转以检测晶圆的缺口并根据晶圆的缺口建立晶圆极坐标系；在建立晶圆极坐标系后，控制电机停止并退回至晶圆的缺口并控制吸盘卸载晶圆以及控制升降气缸升起；控制电机旋转以检测电机的零位点，根据电机的零位点建立电机极坐标系；控制电机停止并退回至电机的零位点，并控制吸盘吸附晶圆以及控制升降气缸下降；利用晶圆测量系统对晶圆进行测量以得到初始膜厚值并根据系统误差对初始膜厚值进行补偿。本发明可以实现对测量得到的晶圆的膜厚度进行误差补偿，得到更为精确的晶圆的膜厚。
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