-
-
公开(公告)号：CN113943287B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202010682184.X
申请日：2020-07-15
Applicant: 清华大学
IPC: C07D455/03 , C07D513/06 , C09K11/06 , H10K85/60 , H10K50/10 , H10K30/00 , H10K10/00
Abstract: 本发明涉及一种多环芳香族化合物及其应用。所述化合物具有下式I所示的结构。当将本发明化合物作为有机电致发光器件中的发光层材料时，可以有效提高器件的发光效率、提高器件的光谱色纯度，以及获得器件发光半峰宽窄的最佳技术效果。
-
-
公开(公告)号：CN110407816B
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN201910553901.6
申请日：2019-06-25
Applicant: 清华大学
IPC: C07D403/10 , C07D403/14 , C07D487/04 , C07D487/14 , C07F9/6558 , C07F9/6561 , C07D409/14 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
Abstract: 本发明提供了一种化合物及其应用以及采用该化合物的器件，该化合物如下式(1)所示：R1‑R5选自式(D)表示的基团或选自氢、C6‑C30的单环芳烃或稠环芳烃基团、C3‑C30的单环杂芳烃或稠环杂芳烃基团。本发明的化合物作为OLED器件中的发光材料时，器件表现出优异的发光性能和稳定性。本发明同时保护采用上述通式化合物的有机电致发光器件。
-
公开(公告)号：CN106589438B
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201611056427.9
申请日：2016-11-25
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种光响应形状记忆复合材料，包括形状记忆材料层，以及与该形状记忆材料层层叠设置的光热转换层，该光热转换层包括钙钛矿结构材料。一种光响应形状记忆复合材料的制备方法，包括提供形状记忆材料层；以及在该形状记忆材料层上层叠设置光热转换层，该光热转换层包括钙钛矿结构材料。一种形状记忆材料的应用方法，包括提供形状记忆复合材料，该形状记忆复合材料处于光响应状态；以及通过去除该第一光热转换层，使该形状记忆复合材料处于光惰性状态。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106340587B
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201510400368.1
申请日：2015-07-09
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种钙钛矿膜的制备方法，包括以下步骤：将AX和PbX2按照一定的化学计量比溶于一前驱体溶剂中，加热至固体完全溶解，并搅拌形成钙钛矿前驱体溶液；将所述钙钛矿前驱体溶液旋涂于一基片上，在开始旋涂钙钛矿前驱体溶液后的一定时间内滴入一辅助溶剂，并继续旋涂所述钙钛矿前驱体溶液，所述辅助溶剂与所述前驱体溶剂不互溶，且辅助溶剂的沸点低于所述前驱体溶剂的沸点；旋涂完毕后，去除所述前驱体溶剂，得到形貌均一致密无针孔的钙钛矿膜。本发明还涉及一种钙钛矿太阳能电池，该钙钛矿太阳能电池所使用的钙钛矿层是利用所述钙钛矿膜的制备方法所制备。
-
-
公开(公告)号：CN108341806A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201710046271.4
申请日：2017-01-22
Applicant: 清华大学
IPC: C07D409/04 , C07D409/14 , C07D405/04 , C07D405/14 , C07D237/26 , C07D403/04 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
Abstract: 本发明提供了一种分子式为L3Ir的铱金属配合物及其应用，以及有机电致发光器件，其中Ir为中心金属原子，L为配体，该配合物的结构通式如下式(Ⅰ)：Ar选自碳原子数为6～30的取代或非取代的芳基、碳原子数为4～30的取代或非取代的杂环芳基；R1～R7分别独立地选自氢原子、卤素原子、氰基、硝基、羟基、碳原子数为1～30的取代或非取代的烷基或环烷基、氟代烷基、氯代烷基、烷氧基或硫代烷氧基，或选自碳原子数为1～30的羧基、酯基、酰基、取代或非取代的氨基、碳原子数为6～30的取代或非取代的芳基、碳原子数为4～30的取代或非取代的杂环芳基；Ar或R1～R7上的取代基团独立选自F、Cl、Br、I、CHO、CN，或碳原子数为1～30的取代或非取代的烷基或环烷基、氟代烷基、烷氧基或硫代烷氧基。
-
公开(公告)号：CN106589438A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611056427.9
申请日：2016-11-25
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种光响应形状记忆复合材料，包括形状记忆材料层，以及与该形状记忆材料层层叠设置的光热转换层，该光热转换层包括钙钛矿结构材料。一种光响应形状记忆复合材料的制备方法，包括提供形状记忆材料层；以及在该形状记忆材料层上层叠设置光热转换层，该光热转换层包括钙钛矿结构材料。一种形状记忆材料的应用方法，包括提供形状记忆复合材料，该形状记忆复合材料处于光响应状态；以及通过去除该第一光热转换层，使该形状记忆复合材料处于光惰性状态。
-
公开(公告)号：CN102372694B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201010258684.7
申请日：2010-08-20
Applicant: 清华大学 , 北京维信诺科技有限公司 , 昆山维信诺显示技术有限公司
IPC: C07D401/14 , C09K11/06 , H01L51/54
Abstract: 本发明涉及通式(1)的化合物，其中：Ar1、Ar2和Ar3为取代基团，其中至少有两个基团为含有吡啶环的5～60个碳原子的芳香基团，剩余的基团分别独立选自氢原子，或独立选自具有1～40个碳原子的烷烃基，或独立选自具有5～50个碳原子的芳香基团，或独立选自具有5～50个碳原子的含氮杂环；n是1或2。本发明还保护该类化合物在有机电致发光器件中的用途，尤其是作为电致磷光器件中磷光掺杂物的基质材料。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
81
records
(took 0.026 seconds)
