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公开(公告)号：CN106082179B
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201610385688.9
申请日：2016-06-03
Applicant: 济南大学
IPC: C01B32/198 , C01G45/02
Abstract: 本发明涉及一种二氧化锰复合材料的制备方法，包括如下步骤：（1）配制0.1~5mg/ml氧化石墨烯水溶液；（2）取泡沫镍浸泡到氧化石墨烯水溶液中，超声，制得负载有氧化石墨烯的泡沫镍材料，材料干燥，得泡沫镍‑氧化石墨烯复合产物；（3）将泡沫镍‑氧化石墨烯复合产物浸泡在高锰酸钾水溶液中，将乙二醇在搅拌的条件下逐滴加入，并控制反应温度25‑200℃，时间为1‑6h，冷却、分离、清洗、干燥，得到二氧化锰复合材料。本方法有效的减缓了石墨烯的层叠、不可逆团聚问题。
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公开(公告)号：CN107381622A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710504940.8
申请日：2017-06-28
Applicant: 济南大学
IPC: C01G15/00 , C01B32/184 , G01N27/12 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC classification number: C01G15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01P2002/72 , C01P2002/85 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , G01N27/12
Abstract: 本发明提供了一种rGO-In2O3纳米微球复合材料的制备方法。该制备方法具体包括：以四水合三氯化铟，十二胺为原料，经水热反应，煅烧处理后得到氧化铟纳米微球；然后用氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)对氧化铟表面进行处理，使其表面带有正电荷；进而将带有正电荷的氧化铟与氧化石墨烯分散至去离子水中，使其二者结合，最后用水热法将氧化石墨烯还原，最终得到rGO-In2O3纳米微球复合材料。本方法生产工艺简单，所得rGO-In2O3纳米微球复合材料具有p-n异质结结构，结合了rGO比表面积大以及In2O3半导体材料的优点。本方法适用于rGO与金属半导体氧化物结合的工艺，从而得到性能优良的材料。
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公开(公告)号：CN107285393A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201710569916.2
申请日：2017-07-13
Applicant: 济南大学
CPC classification number: C01G53/04 , B82Y30/00 , C01G49/06 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/62
Abstract: 本发明主要介绍一种用于气敏传感器的NiO纳米片/α-Fe2O3纳米立方体异质结材料的制备和应用。三氯化铁和氢氧化钠溶于去离子水中，搅拌加热，随后将得到的溶液保温，最后所得溶液经过离心、洗涤、干燥后，得到α-Fe2O3粉末。α-Fe2O3粉末与去离子水预混，加入适量六次甲基四胺、柠檬酸钠和六水合硝酸镍，所得溶液超声一段时间，再将其水浴加热一定的时间，最后所得溶液经过离心、洗涤、干燥后，将得到的样品煅烧，即可得到NiO纳米片/α-Fe2O3纳米立方体异质结材料。本发明所讲述的NiO纳米片/α-Fe2O3纳米立方体颗粒异质结材料的制备方法工艺简单，设备要求低，可操作性强，成本比较低，可获得性能稳定好，对三乙胺有较好气敏性能的气敏材料，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN107285388A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201710517027.1
申请日：2017-06-29
Applicant: 济南大学
CPC classification number: C01G49/06 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/62 , C01P2004/82
Abstract: 本发明主要介绍一种三维rGO/Fe2O3纳米复合材料的制备方法，属于无机先进纳米材料制备工艺技术领域。将一定量的氢氧化钠溶液滴加到氯化铁溶液中，再加入草酸溶液及氧化石墨烯溶液，放入高压釜中进行水热反应，透析、冷冻干燥后即可制备出三维rGO/Fe2O3复合材料。本发明所讲述的三维rGO/Fe2O3纳米复合材料制备方法工艺简单，产率高，成本比较低，得到的复合材料外观为三维结构，rGO为较薄的片层搭接而成的三维孔洞状结构，纳米材料具有较小的晶粒尺寸。可用于化工催化、光催化剂气敏传感器等领域。
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公开(公告)号：CN107267808A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710341614.X
申请日：2017-05-16
Applicant: 济南大学
CPC classification number: C22C12/00 , B23K35/264 , C22C1/03
Abstract: 本发明公开了一种细化Sn-Bi合金共晶组织的方法，特别涉及一种简洁、低成本的制备方法。本发明的特点是采用稀土合金（Sn-La或Sn-La-Ce）作为变质剂和细化剂，除稀土元素的表面活化作用促进合金凝固过程中的形核，对钎料合金起变质均匀化作用外；凝固过程中原位析出的化合物（LaBi2，CeBi2）也可作为Bi相的异质形核核心，提高Bi相的形核率；原位析出的稀土单相（La，Ce）也可有效阻碍晶粒的长大，抑制了服役过程中晶粒的粗化，提高焊接头的时效服役强度，延长接头使用寿命。本发明的制备工艺简单可行，成本较低，细化效果显著，易制得具有细小共晶组织的Sn-Bi铸态合金，适宜工业化批量生产。
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公开(公告)号：CN105483422B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201510983357.0
申请日：2015-12-24
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明涉及一种电触头材料，尤其涉及一种石墨烯增强铜基电触头复合材料，以及这种材料的制备方法。电触头材料由重量比为0.1‑2.0%石墨烯镀镍和98.0‑99.9%铜合金组成。其制备方法为：石墨烯镀镍、铜合金雾化、球磨混粉、一次成型、烧结、二次成型、烧结。本发明的电触头材料，在铜合金中添加镀镍石墨烯作为骨架，使材料具有高硬度、抗机械冲击性能与抗电弧烧蚀性能的同时，避免了导电性、导热性的降低。
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公开(公告)号：CN107200361A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201710515052.6
申请日：2017-06-29
Applicant: 济南大学
IPC: C01G49/06 , C01B32/184 , B82Y30/00
CPC classification number: C01G49/06 , B82Y30/00 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/62 , C01P2004/80
Abstract: 本发明主要介绍一种rGO/Fe2O3纳米复合材料的制备方法，属于无机先进纳米材料制备工艺技术领域。将一定量的氢氧化钠和氯化铁溶解在水中形成溶液，然后采用沉淀老化法得到立方体Fe2O3纳米材料；将立方体Fe2O3分散到去离子水中，加入APTES，采用水浴法对Fe2O3进行表面改性，然后将Fe2O3与氧化石墨烯混合，超声分散后放入高压釜中进行水热反应，洗涤杂质离子、冷冻干燥后即可制备出rGO/Fe2O3纳米复合材料。本发明所讲述的rGO/Fe2O3纳米复合材料制备方法工艺简单，产率高，成本比较低，得到的石墨烯具有较薄的片层结构，纳米材料具有较小的晶粒尺寸。可用于化工催化、光催化剂气敏传感器等领域。
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公开(公告)号：CN105132743B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201510629970.2
申请日：2015-09-29
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开一种含钽和碲元素的锌-铝合金，由以下质量百分含量的成分组成：Ta 0.05-0.35%，Te 0.045-0.31%，Mg 0.015-0.025%，Cu1.8-2.4%，Al 26-31%，余量为Zn；本发明还公开了该合金的制备方法。本发明合金中，钽元素形成TaAly-xZnx化合物粒子，产生晶粒细化作用。碲元素会大大改善TaAly-xZnx粒子的表面活性，在凝固后会转变成细小的Al2Te3粒子弥散分布于基体中，使粒子形核能力大大增强、形核率得到提高；共同添加钽和碲元素使上述锌-铝合金力学性能比没有钽和碲元素或只含有其中一种元素时都得到提高。
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公开(公告)号：CN105152215B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201510418712.X
申请日：2015-07-17
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明提供了一种Au修饰三维分级结构花球状二硫化钼微球的制备方法，属于无机先进纳米材料制备工艺技术领域。以氯金酸，硼氢化钠，L-赖氨酸和已制备的二硫化钼为原料，在常温下反应合成一种Au修饰三维分级结构花球状二硫化钼。该制备方法具体包括：将已经制备好的二硫化钼分散到一定体积的去离子水中，加入一定摩尔比的氯金酸和L-赖氨酸，充分混合，再加入一定量的硼氢化钠溶液，充分搅拌混合。常温下反应一定时间后离心分离，洗涤，干燥，将烘干样品置于马弗炉中一定温度下煅烧一定时间即可得到Au修饰三维分级结构花球状二硫化钼微球。本方法成本低，生产工艺简单，产率高，无环境污染，易于工业化大规模生产。所得Au修饰三维分级结构花球状二硫化钼微球形貌规整，可用于化工催化、光催化剂气敏传感器等领域。
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